RF21923V
900MHz的Lin-的
耳电力
扩音器
RF2192
3V 900MHZ线性功率放大器
符合RoHS &无铅产品
封装形式： QFN ， 16引脚， 4 ×4
BIAS GND
14
VMODE
VREG1
VREG2
特点
单3V电源
为29dBm的线性输出功率
37 ％的线性效率
低功耗模式
45毫安空闲电流
47 ％的峰值效率31dBm的输出
放
GND
GND
在RF
1
2
3
4
5
GND
16
15
13
12
11
10
RF OUT
RF OUT
RF OUT
6
VCC1
7
VCC1
8
VCC BIAS
9
2FO
应用
3V CDMA / AMPS蜂窝手 -
套
3V JCDMA蜂窝手机
3V CDMA2000蜂窝手 -
套
3V TDMA /步态蜂窝手 -
套
3V CDMA 450MHz频段的手 -
套
便携式电池供电分析装备
换货
功能框图
产品说明
该RF2192是一种高功率，高效率的线性放大器IC针对3V手工
手持系统。该设备是一种先进的砷化镓异质制造
erojunction结双极晶体管（HBT）的过程，并且已被设计为用作
在双模式3V的CDMA / AMPS和CDMA2000的手持式数字最终RF放大器
蜂窝设备，扩频系统，并在其它应用
800MHz至960MHz的频段。该RF2192具有低功耗模式，以延长电池的
低输出功率的条件下生活。该装置被装在一个16针，
4mmx4mm QFN封装。
订购信息
RF2192
RF2192PCBA-41X
3V 900MHZ线性功率放大器
完全组装的评估板
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MEMS
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司
转A8 DS060918
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
GND
1 12
RF2192
绝对最大额定值
参数
电源电压（ RF关闭）
电源电压（P
OUT
≤31dBm)
模式电压（V
模式
)
控制电压（V
REG
)
输入射频功率
工作温度
储存温度
等级
+8.0
+5.2
+4.2
+3.0
+10
-30到+110
-40到+150
单位
V
DC
V
DC
V
DC
V
DC
DBM
°C
°C
注意！ ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态（在这个文件修改时间） 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有
承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐
阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。
参数
可用频率范围
大功率语句
美国-CDMA （Ⅴ
模式
低）
频带
线性增益
二次谐波
三次谐波
最大线性输出功率
（ CDMA调制）
总的线性效率
邻道功率抑制
输入VSWR
输出VSWR
噪声功率
分钟。
400
规范
典型值。
马克斯。
960
单位
兆赫
Chondition
案例中T = 25 ° C，V
CC
=3.4V, V
REG
= 2.85V,
V
模式
= 0V至0.5V ，频率= 824MHz至849MHz
（除非另有规定编）
824
27
30
-33
<-60
29
37
-48
-58
2:1
849
兆赫
dB
dBc的
dBc的
DBM
%
P
OUT
=29dBm
ACPR@885kHz
ACPR@1980kHz
没有损害。
无振荡。 >-70dBc
dBm / Hz计
在偏移为45MHz
案例中T = 25 ° C，V
CC
=3.4V, V
REG
=2.85V,
V
模式
= 1.8V到3V ，频率= 824MHz至849MHz
（除非另有规定编）
-44
-56
10:1
6:1
dBc的
dBc的
-133
低功耗语句
美国-CDMA （Ⅴ
模式
HIGH ）
频带
线性增益
二次谐波
三次谐波
最大线性输出功率
（ CDMA调制）
我最大
CC
邻道功率抑制
输入VSWR
输出VSWR
16
824
19
22
-33
<-60
20
150
-48
<-60
2:1
10:1
6:1
-46
-58
849
兆赫
dB
dBc的
dBc的
DBM
mA
dBc的
dBc的
P
OUT
= + 16dBm时（所有电流含税）
ACPR@885kHz
ACPR@1980kHz
没有损害。
无振荡。 >-70dBc
2 12
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
转A8 DS060918
RF2192
参数
高功率状态CDMA 2000
1X （V
模式
低）
频带
线性增益
试点+ DCCH 9600
最大线性输出功率
（ CDMA 2000调制）
邻道功率抑制
试点FCH + 9600 + 9600 SCHO
最大线性输出功率
（ CDMA 2000调制）
邻道功率抑制
29
-47
<-60
DBM
dBc的
dBc的
4.5分贝峰均比的CCDF 1 ％
ACPR@885kHz
ACPR@1.98MHz
案例T = 25
o
C，V
CC
=3.4V, V
REG
=2.85V.
V
模式
= 1.8V到3V ，频率= 824MHz至849MHz
824
22
16
20
-48
<-85
效率
试点FCH + 9600 + 9600 SCHO
最大线性输出功率
（ CDMA 2000调制）
邻道功率抑制
16
20
<-50
<-65
DBM
dBc的
dBc的
4.5分贝峰均值比在CCDF 1 ％
ACPR@885kHz
ACPR@1.98MHz
案例中T = 25 ° C，V
CC
=3.4V, V
REG
=2.85V,
V
模式
= 0V至0.5V ，频率= 824MHz至849MHz
（除非另有规定编）
824
30
-33
<-60
31
32
47
2:1
10:1
6:1
注： DCCH ：专用控制信道
FCH ：基本信道
CCDF ：互补累积分布函数
没有损害。
无振荡。 >-70dBc
849
兆赫
dB
dBc的
dBc的
DBM
%
P
OUT
= 31dBm的（室温）
15
849
兆赫
dB
DBM
dBc的
dBc的
%
5.4分贝峰均值比在CCDF 1 ％
ACPR@885kHz
ACPR@1.98MHz
P
OUT
=20dBm
26.5
-47
<-60
DBM
dBc的
dBc的
包括IS98D CCDF 1 ％ 2.5分贝退避
5.4分贝峰均比的CCDF 1 ％
ACPR@885kHz
ACPR@1.98MHz
824
29
849
兆赫
dB
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
案例T = 25
o
C，V
CC
=3.4V, V
REG
=2.85V.
V
模式
= 0V至0.5V ，频率= 824MHz至849MHz
（除非另有规定编）
低功耗状态CDMA 2000
1X （V
模式
HIGH ）
频带
线性增益
试点+ DCCH 9600
最大线性输出功率
（ CDMA 2000调制）
邻道功率抑制
FM模式
频带
收益
二次谐波
三次谐波
最大连续输出功率
总有效率（ AMPS模式）
输入VSWR
输出VSWR
转A8 DS060918
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
3 12
RF2192
参数
高功率状态， CDMA450
(V
模式
低）
频带
线性增益
二次谐波
三次谐波
最大线性输出功率
（ CDMA调制）
总的线性效率
邻道功率抑制
输入VSWR
输出VSWR
29
35
-49
-56
2:1
10:1
6:1
没有损害。
无振荡。 > -70dBc
案例T = 25
o
C，V
CC
=3.4V, V
REG
=2.85V,
V
模式
= 2.85V ，频率= 452MHz至458MHz
（除非另有规定编）
452
23
16
160
-52
-70
输入VSWR
输出VSWR
2:1
10:1
6:1
没有损害。
无振荡。 > -70dBc
V
mA
70
10
1
<40
mA
mA
mA
μs
V之间的时间
REG
接通和PA到达
充满电。开启/关闭时间可以通过减小
降低对旁路电容值
V
REG
线。
V
REG
ULOW
最大功率输出为V
CC
= 3.0V是
28dBm.
V
模式
ULOW
V
模式
高
458
兆赫
dB
DBM
mA
dBc的
dBc的
P
OUT
= + 16dBm时（所有电流含税）
ACPR @ 885kHz
ACPR @ 1980kHz
452
31
30
-60
458
兆赫
dB
dBc的
dBc的
DBM
%
dBc的
dBc的
P
OUT
=29dBm
ACPR @ 885kHz
ACPR @ 1980kHz
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
案例T = 25
o
C，V
CC
=3.4V, V
REG
=2.85V,
V
模式
= 0V至0.5V ，频率= 452MHz至458MHz
（除非另有规定编）
低功耗状态， CDMA450
(V
模式
HIGH ）
频带
线性增益
最大线性输出功率
（ CDMA调制）
我最大
CC
邻道功率抑制
DC电源
电源电压
静态电流
V
REG
当前
V
模式
当前
开/关时间
3.0
3.4
160
45
4.2
总电流（关机）
V
REG
“低”电压
V
REG
“高”电压
V
模式
“低”电压
V
模式
“高”电压
0
2.75
0
1.8
2.85
2.85
10
0.5
2.95
0.5
3.0
μA
V
V
V
V
4 12
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
转A8 DS060918
RF2192
针
1
2
3
4
功能
GND
GND
GND
在RF
描述
接地连接。
接地连接。
接地连接。
RF输入。外部100pF的电容串联，需要一个DC块。在
此外，并联电感和串联电容须提供
2 ： 1VSWR 。
在RF
从
BIAS
GND1
阶段
VCC1
100 pF的
接口示意图
5
6
7
8
9
10
VREG1
VMODE
VREG2
BIAS GND
GND
RF OUT
掉电控制第一阶段。稳压电源的放大器
偏见。在掉电模式下， V
REG
和V
模式
需要是低（ <0.5V ） 。
对于正常操作（高功率模式） ，V
模式
被设置为低电平。当设置
高电平，驱动器和最后阶段动态地缩放，以减少
设备尺寸，结果降低了无功电流。
掉电控制的第二阶段。稳压电源的
放大器的偏置。在掉电模式下， V
REG
和V
模式
需要是低
(<0.5V).
偏置电路接地。见应用原理图。
接地连接。
RF输出和电源，用于最后阶段。这是无与伦比的收藏家
输出第二级的。继匹配的DC块需要
组件。偏压可通过用于谐振的并联LC组提供
南切在824MHz的工作频率到849MHz 。重要的是要
选择与1A的额定电流非常低直流电阻的电感。
可替代地，分流微带技术也适用，并提供
非常低的直流电阻。低频旁路所需的稳定性。
同10脚。
同10脚。
谐波陷阱。该引脚连接到所述RF输出，但也用于提供
低阻抗的工作频率的二次谐波。一
电感器或传输线路与芯片上的电容在2FO谐振是
在此引脚必需的。
电源的偏置电路。一个100pF高频旁路电容
推荐使用。
电源的第一阶段。
同销15 。
接地连接。包装的背面应焊接到一
顶侧接地焊盘，其连接到所述接地平面具有多个
过孔。该垫应具有短的散热路径到接地平面。
RF OUT
F RO M B IA s
的TA克（E S）
11
12
13
RF OUT
RF OUT
2FO
见引脚10 。
14
15
16
PKG
BASE
VCC BIAS
VCC1
VCC1
GND
转A8 DS060918
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
5 12
RF2192
0
典型应用
3V CDMA / AMPS蜂窝手机
3V JCDMA蜂窝手机
3V CDMA2000蜂窝手机
产品说明
该RF2192是一种高功率，高效率线性扩增
费里IC针对3V手持系统。该装置是
采用先进的砷化镓异质制造
结双极晶体管（ HBT）的过程中，并一直
设计用作在双模式的最终RF放大器
3V CDMA / AMPS和CDMA 2000的手持式数字cellu-
拉尔设备，扩频系统和其它
应用程序在800MHz至960MHz的频段。该
RF2192具有低功耗模式，以延长电池寿命
在低输出功率的条件。该装置是封装
年龄在16引脚， 4mmx4mm QFN封装。
0.10 C B
-B-
3V 900MHZ线性功率放大器
符合RoHS &无铅产品
3V TDMA /步态蜂窝手机
3V CDMA 450MHz频段的手机
- 便携式电池供电设备
4.00
0.10 C B
2 PLCS
3.75
2 PLCS
2.00
0.80
典型值
2
A
1.60
2 PLCS
3.75
0.75
0.50
索引区
尺寸（mm） 。
1.50
平方米。
4.00
0.10 C A
2 PLCS
0.45
0.28
3.20
2 PLCS
2.00
0.10 C A
2 PLCS
阴影针脚是铅1 。
12°
最大
0.05
0.00
0.10 M C A B
1.00
0.90
0.75
0.65
C
0.05
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式： QFN ， 16引脚， 4x4的
特点
单3V电源
为29dBm的线性输出功率
VCC BIAS
VCC1
VCC1
37 ％的线性效率
2F0
GND
- 低功耗模式
45毫安空闲电流
47 ％的峰值效率31dBm的输出
1
GND 2
GND 3
RF IN 4
5
VREG1
16
15
14
13
12 RF OUT
11 RF OUT
10 RF OUT
订购信息
RF2192
3V 900MHZ线性功率放大器
RF2192PCBA - 41X完全组装的评估板
6
VMODE
7
VREG2
8
BIAS GND
9
GND
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
电话：（ 336 ） 664 1233
传真：（ 336 ） 664 0454
http://www.rfmd.com
转A8 060918
2-327
RF2192
绝对最大额定值
参数
电源电压（ RF关闭）
电源电压（P
OUT
≤31dBm)
模式电压（V
模式
)
控制电压（V
REG
)
输入射频功率
工作温度
储存温度
等级
+8.0
+5.2
+4.2
+3.0
+10
-30到+110
-40到+150
单位
V
DC
V
DC
V
DC
V
DC
DBM
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
参数
可用频率范围
大功率语句
美国-CDMA （Ⅴ
模式
低）
频带
线性增益
二次谐波
三次谐波
最大线性输出功率
（ CDMA调制）
总的线性效率
邻道功率Rejec-
化
输入VSWR
输出VSWR
噪声功率
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
400
960
单位
兆赫
条件
案例中T = 25 ° C，V
CC
=3.4V, V
REG
= 2.85V,
V
模式
= 0V至0.5V ，频率= 824MHz到
849MHz （除非另有规定）
824
27
849
30
-33
<-60
29
37
-48
-58
2:1
兆赫
dB
dBc的
dBc的
DBM
%
dBc的
dBc的
P
OUT
=29dBm
ACPR@885kHz
ACPR@1980kHz
没有损害。
无振荡。 >-70dBc
在偏移为45MHz
案例中T = 25 ° C，V
CC
=3.4V, V
REG
=2.85V,
V
模式
= 1.8V到3V ，频率= 824MHz到
849MHz （除非另有规定）
-44
-56
10:1
6:1
-133
dBm / Hz计
低功耗语句
美国-CDMA （Ⅴ
模式
HIGH ）
频带
线性增益
二次谐波
三次谐波
最大线性输出功率
（ CDMA调制）
我最大
CC
邻道功率Rejec-
化
输入VSWR
输出VSWR
824
19
849
22
-33
<-60
20
150
-48
<-60
2:1
兆赫
dB
dBc的
dBc的
DBM
mA
dBc的
dBc的
16
-46
-58
10:1
6:1
P
OUT
= + 16dBm时（所有电流含税）
ACPR@885kHz
ACPR@1980kHz
没有损害。
无振荡。 >-70dBc
2-328
转A8 060918
RF2192
参数
大功率语句
CDMA450 （V
模式
低）
频带
线性增益
二次谐波
三次谐波
最大线性输出功率
（ CDMA调制）
总的线性效率
邻道功率Rejec-
化
输入VSWR
输出VSWR
452
31
30
-60
29
35
-49
-56
2:1
10:1
6:1
458
兆赫
dB
dBc的
dBc的
DBM
%
dBc的
dBc的
P
OUT
=29dBm
ACPR @ 885kHz
ACPR @ 1980kHz
没有损害。
无振荡。 > -70dBc
案例T = 25
o
C，V
CC
=3.4V, V
REG
=2.85V,
V
模式
= 2.85V ，频率= 452MHz至458MHz
（除非另有规定编）
452
23
16
160
-52
-70
2:1
10:1
6:1
3.0
3.4
160
45
4.2
V
mA
mA
mA
mA
μs
458
兆赫
dB
DBM
mA
dBc的
dBc的
P
OUT
= + 16dBm时（所有电流含税）
ACPR @ 885kHz
ACPR @ 1980kHz
没有损害。
无振荡。 > -70dBc
最大功率输出为V
CC
= 3.0V是
28dBm.
V
模式
ULOW
V
模式
高
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
案例T = 25
o
C，V
CC
=3.4V, V
REG
=2.85V,
V
模式
= 0V至0.5V ，频率= 452MHz到
458MHz （除非另有规定）
低功耗语句
CDMA450 （V
模式
HIGH ）
频带
线性增益
最大线性输出功率
（ CDMA调制）
我最大
CC
邻道功率Rejec-
化
输入VSWR
输出VSWR
DC电源
电源电压
静态电流
V
REG
当前
V
模式
当前
开/关时间
70
10
1
<40
总电流（关机）
V
REG
“低”电压
V
REG
“高”电压
V
模式
“低”电压
V
模式
“高”电压
0
2.75
0
1.8
2.85
2.85
10
0.5
2.95
0.5
3.0
μA
V
V
V
V
V之间的时间
REG
接通和PA
达到满功率。开启/关闭时间可以是
减小，通过降低旁路电容
值在V
REG
线。
V
REG
ULOW
2-330
转A8 060918
RF2192
针
1
2
3
4
功能
GND
GND
GND
在RF
描述
接地连接。
接地连接。
接地连接。
RF输入。外部100pF的电容串联，需要一个DC块。
另外，分流电感器和串联电容器都需要提供
2 ： 1VSWR 。
在RF
从
BIAS GND1
阶段
VCC1
100 pF的
接口示意图
5
6
7
8
9
10
VREG1
VMODE
VREG2
BIAS GND
GND
RF OUT
掉电控制第一阶段。稳压电源的扩增
费里的偏见。在掉电模式下， V
REG
和V
模式
需要是低
(<0.5V).
对于正常操作（高功率模式） ，V
模式
被设置为低电平。当
设为高电平，驱动器和最后阶段动态地缩放，以减少
该装置的尺寸，结果降低了无功电流。
掉电控制的第二阶段。稳压电源的
放大器的偏置。在掉电模式下， V
REG
和V
模式
需
LOW （ <0.5V ） 。
偏置电路接地。见应用原理图。
接地连接。
RF输出和电源，用于最后阶段。这是无与伦比的同事
第二级的讲师输出。直流模块需要继
匹配元件。偏压可以经由平行的L-C提供
设置为谐振于824MHz的工作频率，以849MHz 。它
重要的是要选择的电感器具有与图1A非常低的直流电阻
电流额定值。可替代地，分流微带技术也应用程序
电缆，并提供极低的直流电阻。低频旁路是
所需的稳定性。
同10脚。
同10脚。
谐波陷阱。该引脚连接到所述RF输出，但也用于亲
人们提供一个低阻抗的操作的二次谐波频
昆西。电感器或传输线路与芯片上的谐振
电容在2FO是需要在该引脚。
电源的偏置电路。一个100pF高频旁路电容
器建议。
电源的第一阶段。
同销15 。
接地连接。包装的背面应焊接到
顶侧接地焊盘，其连接到所述接地平面与mul-
tiple孔。该垫应具有短的散热路径到地面
平面。
RF OUT
偏见
阶段
11
12
13
RF OUT
RF OUT
2FO
见引脚10 。
14
15
16
PKG
BASE
VCC BIAS
VCC1
VCC1
GND
注：此示意图是一个初步的示意图。这450MHz频段的CDMA调整是通过修改完成现有
800MHz频段CDMA评估板。
转A8 060918
2-331
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