RF2173
3V GSM功率放大器
封装形式： QFN ， 16引脚， 4x4的
符合RoHS &无铅产品
VCC2
VCC2
GND
特点
单一2.7V至4.8V电源
电压
+ 36dBm的输出功率
3.5V
32分贝增益与模拟增益
控制
56 ％的效率
800MHz至950MHz的操作
化
支持GSM和E -GSM
1
GND2 2
RF IN 3
4 GND1
5
VCC1
16
15
14
6
APC1
7
APC2
8
VCC
应用
3V GSM蜂窝手机
3V双频/三频
手机
GPRS兼容
商业和消费
系统
便携式电池供电
设备
功能框图
产品说明
该RF2173是一种高功率，高效率功放模块优惠 -
荷兰国际集团高性能在GSM或GPRS应用程序。该设备是制造
factured上先进的GaAs HBT工艺制造，并已被设计为
在GSM手持式数字蜂窝设备的最终RF放大器使用
和其他应用程序在800MHz至950MHz的频段。板载电源
控制提供了控制范围70分贝用模拟电压输入，
并提供掉电具有逻辑“低”为备用操作。该
装置被自包含与50Ω的输入和输出可以很容易地
相匹配，以获得最佳的功率和效率特性。该
RF2173可以连同RF2174用于双波段操作中使用。
该器件采用超小塑料封装，减少了
所需的电路板空间。
订购信息
RF2173
RF2173PCBA-41X
3V GSM功率放大器
完全组装的评估板
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司
转A8 DS070730
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
GND
2F0
13
12 RF OUT
11 RF OUT
10 RF OUT
9
NC
1 14
RF2173
绝对最大额定值
参数
电源电压
功率控制电压（V
APC
)
直流电源电流
输入射频功率
占空比最大功率
输出负载VSWR
工作温度
储存温度
等级
-0.5到+6.0
-0.5到+3.0
2400
+13
50
10:1
-40至+85
-55到+150
单位
V
DC
V
mA
DBM
%
°C
°C
注意！ ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态（在这个文件修改时间） 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有
承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐
阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。
参数
整体
工作频率范围
可用频率范围
最大输出功率
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
温度= 25 ° C，V
CC
=3.5V, V
APC
=2.7V,
P
IN
= + 6dBm的，频率= 880MHz至915MHz ， 25 ％
占空比，脉冲宽度= 1154μs
880到915
800 950
+35.0
+34.0
+34.0
+33.0
+32.5
+34.0
56
56
12
5
+36
+35.2
兆赫
兆赫
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
%
%
%
%
+8
-72
DBM
DBM
见评估板电路图。
温度= 25 ° C，V
CC
=3.5V, V
APC
=2.7V
温度= + 25 ° C，V
CC
=3.2V, V
APC
=2.7V
温度= + 85°C ，V
CC
=3.2V, V
APC
=2.7V
温度= 25 ° C，V
CC
=2.7V, V
APC
=2.7V
温度= + 85°C ，V
CC
=2.7V, V
APC
=2.7V
在P
出，最大
, V
CC
=3.2V
在P
出，最大
, V
CC
=3.0V
P
OUT
=+20dBm
P
OUT
=+10dBm
RBW = 100kHz时为925MHz到935MHz ，
P
OUT ， MIN
<P
OUT
<P
出，最大
,
P
IN， MIN
<P
IN
<P
IN，最大
, V
CC
= 3.0V至5.0V
RBW = 100kHz时， 935MHz至960MHz的，
P
OUT ， MIN
<P
OUT
<P
出，最大
,
P
IN， MIN
<P
IN
<P
IN，最大
, V
CC
= 3.0V至5.0V
V
APC
= 0.2V ，P
IN
=+6dBm
V
APC
= 0.2V ，P
IN
=+8dBm
总有效率
50
输入电源的最大输出
输出噪声功率
+4
+6
-81
DBM
正向隔离
二次谐波
三次谐波
所有其他非谐波
伪
输入阻抗
最佳源阻抗
输入VSWR
输出负载VSWR
输出负载阻抗
10:1
-45
-50
-65
-40
-30
-38
-43
-36
DBM
DBM
dBc的
dBc的
DBM
Ω
Ω
50
40+j10
2.5:1
4:1
为了获得最佳的噪声性能
P
出，最大
-5dB<P
OUT
<P
出，最大
P
OUT
<P
出，最大
-5dB
Spurious<-36dBm ，V
APC
= 0.2V至2.7V ，
RBW=100kHz
1.5-j1.7
Ω
在RF OUT垫提出负载阻抗
2 14
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
转A8 DS070730
RF2173
参数
功率控制V
APC
功率控制“开”
功率控制“关”
功率控制范围
增益控制斜率
APC输入电容
APC输入电流
开/关时间
4.5
0.2
75
5
100
150
10
5
10
100
3.5
2.7
4.8
5.5
电源电流
50
2
200
1
1
375
10
10
0.5
2.7
V
V
dB
分贝/ V
pF
mA
μA
ns
V
V
V
A
mA
μA
μA
最大P
OUT
电路，电压提供给输入
最低P
OUT
电路，电压提供给输入
V
APC
= 0.2V至2.7V
P
OUT
= -10dBm至+ 35dBm的
DC至2MHz
V
APC
=2.7V
V
APC
=0V
V
APC
= 0 2.7V
特定网络阳离子
标称工作范围，P
OUT
<+35dBm
最大输出负载VSWR 6 ： 1 ，
P
OUT
<+35dBm
在P直流电流
出，最大
待机电流，P
IN
<-30dBm
P
IN
<-30dBm ，V
APC
=0.2V
P
IN
<-30dBm ，V
APC
= 0.2V ，温度= + 85°C
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
电源
电源电压
转A8 DS070730
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3 14
RF2173
针
1
2
功能
GND
GND2
描述
内部连接到地面蛞蝓。
接地连接的驱动级。以最小化噪声功率在
输出，建议带着一丝约达40mil连接这个引脚
到接地平面。这将稍微降低小信号增益，
降低噪声功率。重要的是稳定该引脚有它自己的
过孔到接地平面，最大限度地减少普通电感。
RF输入。这是一个50Ω的输入，但实际的阻抗依赖于
级间匹配网络连接到引脚5外部隔直流
如果此端口被连接到一个直流通路到地或需要电容器
直流电压。
见引脚15 。
接口示意图
3
在RF
VCC1
在RF
偏见
GND1
阶段
4
GND1
5
VCC1
6
APC1
接地连接于所述预放大器级。保持身体的痕迹短见3脚。
和立即连接到接地平面以获得最佳性能。这是
对于稳定的重要，该引脚都有它自己的过孔到地平面，以
尽量减少任何常见的电感。
电源用于预放大级和级间匹配。该引脚见3脚。
形成所需要的级间的正确调谐的并联电感
匹配。请参阅应用原理进行适当的配置。记
组件的该位置和值是很重要的。
APC VCC
功率控制用于驱动级和前置放大器。当该引脚为"low ， "
所有的电路都切断。一个"low"通常是0.5V或更低温度的房间
真实存在。分流旁路电容是必需的。在正常操作该引脚
是功率控制。控制范围从大约1.0V变化为-10dBm到
2.6V为+ 35dBm的射频输出功率。这可以是最大功率
实现取决于实际的输出匹配;看到应用信息，
息的更多细节。最大电流到该引脚为5mA时
V
APC1
= 2.6V ，并且0毫安当V
APC
=0V.
GND
GND
射频
阶段
7
8
9
10
APC2
VCC
GND
RF OUT
功率控制的输出级。请参见第6脚的更多细节。
电源的偏置电路。
内部连接到地面蛞蝓。
RF输出和电源的输出级。偏压为最终
舞台通过这种广泛的输出引脚提供。外部匹配网络
工作是必需的，以提供最佳负载阻抗。
请参见第6脚。
请参见第6脚。
RF OUT
偏见
阶段GND
PCKG BAS
11
12
13
RF OUT
RF OUT
2F0
同10脚。
同10脚。
连接的二次谐波陷阱。该引脚在内部连接
到RF OUT引脚。键合线与外部电容
形成串联谐振器，它应被调谐到的二次谐波频
昆西以提高效率和减少杂散输出。
未连接。
电源为驱动级和级间匹配。该引脚形式
并联电感所需的级间匹配适当的调整。
请参阅应用原理图进行适当配置，
注意，位置和所述部件的值是很重要的。
同销15 。
接地输出级。该焊盘应连接到
地平面由直属装置的通孔。短路径是必需的
以获得最佳的性能，以及提供了良好的热路径
到PCB为最大的散热。
同10脚。
同10脚。
同10脚。
14
15
NC
VCC2
VCC2
偏见
GND2
阶段
16
PKG
BASE
VCC2
GND
同销15 。
4 14
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RF2173
封装图
0.10 C B
-B-
4.00
0.10 C B
2 PLCS
3.75
2 PLCS
2.00
0.80
典型值
2
A
1.60
2 PLCS
3.75
0.75
0.50
索引区
1.50
平方米。
4.00
0.10 C A
2 PLCS
0.45
0.28
3.20
2 PLCS
2.00
0.10 C A
2 PLCS
0.10 M C A B
12°
最大
0.05
0.00
1.00
0.90
尺寸（mm） 。
C
0.05
阴影针脚是铅1 。
0.75
0.65
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5 14
RF2173
绝对最大额定值
参数
电源电压
功率控制电压（V
APC
)
直流电源电流
输入射频功率
占空比最大功率
输出负载VSWR
工作温度
储存温度
等级
-0.5到+6.0
-0.5到+3.0
2400
+13
50
10:1
-40至+85
-55到+150
单位
V
DC
V
mA
DBM
%
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
参数
整体
工作频率范围
可用频率范围
最大输出功率
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
温度= 25 ° C，V
CC
=3.5V, V
APC
=2.7V,
P
IN
= + 6dBm的，频率= 880MHz至915MHz ，
25％的占空比，脉冲宽度= 1154μs
见评估板电路图。
温度= 25 ° C，V
CC
=3.5V, V
APC
=2.7V
温度= + 25 ° C，V
CC
=3.2V, V
APC
=2.7V
温度= + 85°C ，V
CC
=3.2V, V
APC
=2.7V
温度= 25 ° C，V
CC
=2.7V, V
APC
=2.7V
温度= + 85°C ，V
CC
=2.7V, V
APC
=2.7V
在P
出，最大
, V
CC
=3.2V
在P
出，最大
, V
CC
=3.0V
P
OUT
=+20dBm
P
OUT
=+10dBm
RBW = 100kHz时为925MHz到935MHz ，
P
OUT ， MIN
<P
OUT
<P
出，最大
,
P
IN， MIN
<P
IN
<P
IN，最大
, V
CC
= 3.0V至5.0V
RBW = 100kHz时， 935MHz至960MHz的，
P
OUT ， MIN
<P
OUT
<P
出，最大
,
P
IN， MIN
<P
IN
<P
IN，最大
, V
CC
= 3.0V至5.0V
V
APC
= 0.2V ，P
IN
=+6dBm
V
APC
= 0.2V ，P
IN
=+8dBm
总有效率
+35.0
+34.0
+34.0
+33.0
+32.5
50
880到915
800 950
+36
+35.2
+34.0
56
56
12
5
+6
输入电源的最大输出
输出噪声功率
+4
+8
-72
兆赫
兆赫
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
%
%
%
%
DBM
DBM
-81
DBM
正向隔离
二次谐波
三次谐波
所有其他非谐波
伪
输入阻抗
最佳源阻抗
输入VSWR
输出负载VSWR
输出负载阻抗
10:1
-45
-50
-65
-40
-30
-38
-43
-36
DBM
DBM
dBc的
dBc的
DBM
Ω
Ω
50
40+j10
2.5:1
4:1
1.5-j1.7
Ω
为了获得最佳的噪声性能
P
出，最大
-5dB<P
OUT
<P
出，最大
P
OUT
<P
出，最大
-5dB
Spurious<-36dBm ，V
APC
= 0.2V至2.7V ，
RBW=100kHz
在RF OUT垫提出负载阻抗
2-266
转A7 060921
RF2173
针
1
2
功能
GND
GND2
描述
内部连接到地面蛞蝓。
接地连接的驱动级。以最小化噪声功率见销15 。
输出，建议带着一丝关于连接这个引脚
40mil的到地平面。这将稍微降低小信号
获益，并降低噪声功率。正是出于稳定性，该引脚重要
有它自己的过孔与接地平面，最大限度地减少普通电感。
RF输入。这是一个50Ω的输入，但实际的阻抗依赖于
级间匹配网络连接到引脚5外部直流嵌段
如果此端口被连接到一个直流接地路径是必需的荷兰国际集团电容器
在RF
或直流电压。
接地连接于所述预放大器级。保持身体的痕迹
见3脚。
短并立即连接到接地平面最好perfor-
曼斯。它是稳定的重要，该引脚都有它自己的过孔的
接地面，以尽量减少任何普通电感。
电源用于预放大级和级间匹配。这见3脚。
销形成所需的间的正确调谐的并联电感
阶段比赛。请参考应用电路图进行适当的配置
化。注意，位置和部件的值是很重要的。
APC VCC
功率控制用于驱动级和前置放大器。当该引脚为
"low ， "所有电路都关闭。一个"low"通常是0.5V或更低，在室温
温度。分流旁路电容是必需的。在正常操作
ATION该引脚为功率控制。控制范围从大约1.0V变化
为-10dBm至2.6V为+ 35dBm的射频输出功率。最大功率
可以实现依赖于实际的输出匹配;看
应用信息以获取更多详细信息。的最大电流成此
引脚为5mA时， V
APC1
= 2.6V ，并且0毫安当V
APC
=0V.
GND
GND
接口示意图
3
在RF
VCC1
偏见
GND1
阶段
4
GND1
5
VCC1
6
APC1
射频
阶段
7
8
9
10
APC2
VCC
GND
RF OUT
功率控制的输出级。请参见第6脚的更多细节。
电源的偏置电路。
内部连接到地面蛞蝓。
RF输出和电源的输出级。偏置电压的
最后一个阶段是通过这种广泛的输出引脚提供。外部匹配 -
荷兰国际集团网络是必需的，以提供最佳负载阻抗。
请参见第6脚。
请参见第6脚。
RF OUT
偏见
阶段GND
PCKG BAS
11
12
13
RF OUT
RF OUT
2F0
同10脚。
同10脚。
连接的二次谐波陷阱。该引脚在内部CON-
，连接到该射频输出引脚。键合线与外部
电容构成串联谐振器，它应调谐到所述第二
为了提高效率和减少杂散谐波频率
输出。
未连接。
电源为驱动级和级间匹配。该引脚
形成所需要的级间的正确调谐的并联电感
匹配。请参阅应用原理图进行适当的配置
化，并注意位置和价值的成分是非常重要的。
同销15 。
接地输出级。该焊盘应连接
通过直接在该装置的通孔的接地平面。短路径
需要以获得最佳的性能，以及提供了良好的
热路径连接至PCB为最大的散热。
同10脚。
同10脚。
同10脚。
14
15
NC
VCC2
VCC2
偏见
GND2
阶段
16
PKG
BASE
VCC2
GND
同销15 。
2-268
转A7 060921
RF2173
的操作和应用信息论
该RF2173是一个三阶段的器件具有32 dB增益时
充满电。因此，所需的驱动完全饱和
率输出为+ 3dBm的。基于HBT （异质
结双极型晶体管）的技术，该部
仅需要一个正3V电源来操作，以
完整的规范。功率控制是通过一个设置
单针接口，具有独立的电源关闭CON-
控制引脚。最后阶段地通过实现
大垫在包的背面的中间位置。
第一级和第二级为由被带到了
通过独立的接地引脚用于隔离的输出
放。这些理由，应直接与连接
过孔的印刷电路板的地平面，而不是与连接
输出地，形成所谓的“局部地
平面“ PCB的顶层上。的输出是
带出通过宽输出焊盘，并且形成
RF输出信号路径。
该放大器工作在接近C级偏置模式。该
最后一个阶段是"deep AB" ，这意味着静态电流
是很低的。作为射频驱动器的增加，最后阶段
自偏压，使偏置点转移起来，在
充满电，吸引约2000毫安。最佳的负载
输出级是约1.2Ω 。这是负载
在输出集电极，并且由串联在
由输出键形成的电感布线，过孔，并
微带和2并联电容器外部的一部分。
在RF输出焊盘的最佳负载阻抗为
1.5 j1.7Ω 。随着本场比赛，一个50Ω的终端阻抗
得以实现。该输入在内部匹配到50Ω
只需要一个隔直电容。此数据表
定义了用于GSM操作的配置。
该输入DC耦合;因此，阻挡帽必须
串联插入。另外，第一级的偏置可以是
通过一个电阻分压器的高值电阻调整
在这个引脚到V
PC
和地面。对于正常操作，
但是，没有外部的调整是必要的接口
最终电阻设置偏置点优化。
VCC1和VCC2提供电源电压给所述第一和
第二阶段，以及提供了一些频率
选择性地调谐到该工作频带。从本质上讲，
偏置通过短微带输送到该引脚。一
旁路电容设置看到的部分的电感，
所以旁路电容的放置可能影响频
昆西增益峰值。该电源应该是
与之前100pF的电容分别绕过
被加上V
CC
对输出级到预
发泄反馈和振荡。
该RF OUT引脚提供的输出功率。偏置
的最后阶段被输送到该输出线和进料
必须能够支持大约2A的
当前的需要。应当小心，以保持
损耗低的偏压进料和输出部件。一
窄微带线是建议，因为DC
在一个偏压扼流圈损失会降低效率和
力。
而部分安全CW下运行，最大
功率和可靠性将根据脉冲直流实现
ditions 。在此数据表中显示的数据是基于
在12.5％的占空比和一个600μs脉冲，除非试样
田间并非如此。
该器件将工作在3.0V至5.0V范围内。下
正常情况下，在3.5V电源会更大
比+ 34.5dBm温度为+ 90 ℃。随着电压增加，
然而，输出功率将增加。因此，在一系
统的设计， ALC （自动电平控制）环路
电源会退缩到所需的水平。这
必须出现在操作期间，或者该设备可以是
太多的功耗损坏。在5.0V ，
高于+ 38dBm可以生产;然而，这种程度的
功率不推荐，并且可能会损坏
该设备。
该HBT的击穿电压是>20V ，所以没有
问题过压保护。然而，在最坏的情况下
条件下，在全功率传输过程中的RF驱动器
麻省理工学院和输出电压驻波比非常高，在低负荷
在输出晶体管的集电极阻抗可
引起比正常的电流要高得多。由于该
器件的双极性质，因此是没有限制
目前德设备的数量会下沉，和安全
电流密度可以超过。
大电流条件下有潜在危险
任何射频设备。大电流导致高路温
peratures ，并可能迫使早期故障。该RF2173
包括在所述偏压温度补偿电路
网络来稳定RF晶体管，从而限制了
电流通过放大器和保护
从损坏的设备。同样的机制来
补偿由于环境温度的电流
的变化。
以避免过高的电流是很重要的
控制V
APC
当在电源电压工作
比4.0V高，例如，最大输出功率
不超标。
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