RF21633 V,
2.5GHz的Lin-的
耳电力
扩音器
RF2163
3V , 2.5GHZ线性功率放大器
符合RoHS &无铅产品
封装形式: QFN , 16引脚, 4 ×4
VCC1
VCC1
14
GND
VCC
特点
单3.3V电源
+ 30dBm的饱和输出
动力
19分贝小信号增益
高功率附加效率
专利申请权意识
技术
1800MHz至2500MHz的频
昆西范围
PWR SEN
在RF
BIAS GND2
1
2
3
4
5
PWR REF
16
15
NC
13
12
11
RF OUT
RF OUT
RF OUT
10
9
GND
BIAS
6
VREG1
7
VREG2
8
BIAS GND 1
应用
2.5GHz的ISM频段应用
PCS通信系统
无线局域网系统
商业和消费系
TEMS
便携式电池供电分析装备
换货
宽带扩频
系统
功能框图
产品说明
该RF2163是一种线性的,中等功率,高效率的功放IC设计specif-
ically用于低电压操作。该设备采用先进的GAL-制造
lium砷化镓异质结双极晶体管( HBT )工艺,并已
专为使用在2.5GHz的扩频发射机的最后的RF放大器。
该设备提供了一种在16引脚无引线芯片载体与背面接地和
是自包含的,除了输出匹配网络和电源的支持
帘布层进料管线。
订购信息
RF2163
RF2163 PCBA
3V , 2.5GHZ线性功率放大器
完全组装的评估板
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES , RFMD ,优化科技Matching ,启用无线连接 ,的PowerStar , POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ,LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司,美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称,商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年, RF Micro Devices公司
转A6 DS060301
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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RF2163
绝对最大额定值
参数
电源电压
功率控制电压(V
REG
)
直流电源电流
输入射频功率
工作环境温度
储存温度
湿气敏感度
等级
-0.5到+6.0
-0.5到3.3
1000
+15
-40至+85
-40到+150
JEDEC 3级
单位
V
DC
V
mA
DBM
°C
°C
注意! ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态(在这个文件修改时间) 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而,没有
承担因RF Micro Devices公司( "RFMD" )供其使用,也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利,其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件,应用程序推荐
阳离子和规格,恕不事先通知的任何时间。
参数
整体
频带
最大饱和输出功率
效率最大输出功率
最大线性输出功率
线性效率
小信号增益
反向隔离
二次谐波
邻道功率
备用信道功率
隔离
输入阻抗
输入VSWR
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
T为25 ° C,V
CC
=3.5V, V
REG1
=V
REG2
=2.3V,
Freq=2450MHz
1800至2500年
+29
+30
26
25
25
16
19
30
30
-35
-35
-52
待定
50
2:1
2.3
0
0.5
-32
-50
+32
兆赫
DBM
%
DBM
%
dB
dB
dB
dBc的
dBc的
dBc的
DBM
Ω
P
IN
=10dBm
在“ON”状态
在“OFF ”状态
包括二次谐波陷阱,看看应用
化电路
P
OUT
=24dBm
P
OUT
=24dBm
在“关”状态,磷
IN
±待定
随着外部匹配
随着外部匹配
V
V
提供给控制输入电压;设备
“ON”时
提供给控制输入电压;设备
“关”的
与802.11调制( 11Mbit / s)和meet-
荷兰国际集团802.11频谱屏蔽。
P
IN
=+13dBm
掉电
V
REG
“ON”时
V
REG
“关”的
电源
工作电压
消耗电流
3.0 5.0
650
350
150
290
V
mA
mA
mA
关机“ON” ,在最大输出功率
关机“ON” ,P
OUT
=25dBm
空载电流
2 12
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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RF2163
针
1
2
功能
GND
在RF
描述
接地连接。为了获得最佳性能,保持身体的痕迹短
和立即连接到地平面。
RF输入。该输入是交流耦合的,因此外部隔直电容不
如果需要该引脚连接到直流通路。
接口示意图
VCC1
键合线
电感
在RF
BIAS
3
4
BIAS GND2
PWR SEN
地面第二级的偏置电路。为了获得最佳性能,请保持痕迹
见引脚16 。
身体短而立即连接到地平面。
压水堆SEN和PWR REF引脚可以配合使用一个外部
纳尔反馈路径,以提供RF功率控制功能的RF2163 。
功率控制功能是基于采样的RF驱动器到最终
阶段RF2163的。
RF OUT
PWR SEN
PWR REF
BIAS
5
6
7
8
9
10
PWR REF
VREG1
VREG2
BIAS GND1
GND
RF OUT
一样的4脚。
该引脚需要一个稳定的电源,以保持正确的偏置电流。
同销6 。
地面的第一级偏置电路。为了获得最佳性能连接到接地
用10nH到电感器。
相同的引脚1 。
RF输出和偏置输出级。用于输出的电源
晶体管需要被供给到该引脚。这可以通过完成
四分之一波长微带线是射频接地,另一端,或
通过支持所需要的直流电流的RF电感器。
同10脚。
同10脚。
未连接。
见4脚。
见引脚16 。
见引脚16 。
见引脚16 。
RF OUT
BIAS
11
12
13
14
RF OUT
RF OUT
NC
VCC1
见引脚10 。
见引脚10 。
15
16
VCC1
VCC
级间匹配和偏置第一级的输出。连接级间匹配 - 见第2脚。
荷兰国际集团电容吨引脚短的痕迹。连接低频旁路
电容器该引脚与长期跟踪。请参阅评估电路板布局
详细信息。
同14脚。
见第2脚。
电源引脚的偏置电路。外部低频旁路电容
如果没有其他的低频去耦附近itors应连接。
VREG1
BIAS
VREG2
VCC
BIAS
GND1
BIAS
GND2
PKG
BASE
GND
接地连接。包装的背面应连接到
通过一个短的路径接地平面,即,该装置下通孔可以是
所需。
见引脚1和2 。
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RF2163
封装图
-B-
0.10 C B
0.10 C B
4.00
2.00
2 PLCS
3.75
2 PLCS
0.80
典型值
2
A
1.60
2 PLCS
3.75
0.75
0.50
索引区
1.50
平方米。
4.00
0.10 C A
2 PLCS
0.45
0.28
3.20
2 PLCS
2.00
0.10 C A
2 PLCS
0.10 M C A B
12°
最大
0.05
0.00
1.00
0.90
尺寸(mm) 。
C
0.05
阴影针脚是铅1 。
0.75
0.65
4 12
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RF2163
应用原理
2400MHz的到2483MHz
V
CC
10 uF的
部分背面接地。
1000 pF的
1000 pF的
1000 pF的
6.2 pF的
10 pF的
1
1.5 pF的
在RF
1.5 nH的
2
3
4
5
390
Ω
1000 pF的
390
Ω
1000 pF的
1000 pF的
10 uF的
16
15
14
13
12
11
15 nH的
3.0 pF的
TL1
3.0 pF的
TL2
10 pF的
RF OUT
1.5 pF的
BIAS
10
8
9
6
7
10 nH的
1000 pF的
1000 pF的
传输
线长
10 uF的
WLAN
TL1
V
REG1
= 2.4 V
V
REG2
= 2.4 V
V
CC
= 3.5 V
TL2
PWR SEN
PWR REF
25万
175万
VREG1
VREG2
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