RF2163
绝对最大额定值
参数
电源电压
功率控制电压（V
REG
)
直流电源电流
输入射频功率
工作环境温度
储存温度
湿气敏感度
等级
-0.5到+6.0
-0.5到3.3
1000
+15
-40至+85
-40到+150
JEDEC 3级
单位
V
DC
V
mA
DBM
°C
°C
请参阅“处理PSOP和PSSOP产品”
对特别处理的信息16-15页。
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
参数
整体
频带
最大输出饱和
动力
效率最大输出功率
最大线性输出功率
线性效率
小信号增益
反向隔离
二次谐波
邻道功率
备用信道功率
隔离
输入阻抗
输入VSWR
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
1800至2500年
+30
26
25
25
19
30
30
-35
-35
-52
待定
50
2:1
2.3
0
0.5
-32
-50
单位
条件
T为25 ° C，V
CC
=3.5V, V
REG1
=V
REG2
=2.3V,
Freq=2450MHz
+29
+32
兆赫
DBM
%
DBM
%
dB
dB
dB
dBc的
dBc的
dBc的
DBM
Ω
P
IN
=+13dBm
与802.11调制（ 11Mbit / s）和
满足802.11的频谱屏蔽。
P
IN
=10dBm
在“ON”状态
在“OFF ”状态
包括二次谐波陷阱，看看应用
化电路
P
OUT
=24dBm
P
OUT
=24dBm
在“关”状态，磷
IN
±待定
随着外部匹配
随着外部匹配
提供给控制输入电压;设备
“ON”时
提供给控制输入电压;设备
“关”的
16
掉电
V
REG
“ON”时
V
REG
“关”的
V
V
电源
工作电压
消耗电流
3.0 5.0
650
350
150
V
mA
mA
mA
关机“ON” ，在最大输出功率
关机“ON” ，P
OUT
=25dBm
空载电流
290
2-238
转A6 060301
RF2163
针
1
2
功能
GND
在RF
描述
接地连接。为了获得最佳性能，保持身体的痕迹短
和立即连接到地平面。
RF输入。该输入是交流耦合的，因此外部隔直电容
不需要，如果此引脚连接到直流通路。
接口示意图
VCC1
键合线
电感
在RF
BIAS
3
4
BIAS GND2
PWR SEN
地面第二级的偏置电路。为了获得最佳性能，请保持
身体的痕迹短并立即连接到地平面。
压水堆SEN和PWR REF引脚可以配合使用的
外部反馈路径，以提供RF功率控制功能，用于在
RF2163 。功率控制功能是基于采样的RF驱动器
到RF2163的最后阶段。
见引脚16 。
RF OUT
PWR SEN
PWR REF
BIAS
5
6
7
8
9
10
PWR REF
VREG1
VREG2
BIAS GND1
GND
RF OUT
一样的4脚。
该引脚需要一个稳定的电源，以保持正确的偏置电流
租。
同销6 。
地面的第一级偏置电路。为了获得最佳性能连接
地面用一个10nH到电感器。
相同的引脚1 。
见4脚。
见引脚16 。
见引脚16 。
见引脚16 。
11
12
13
14
RF OUT
RF OUT
NC
VCC1
RF输出和偏置输出级。为输出的电源
把晶体管需要被供给到该引脚。这是可以做到
通过四分之一波长度的微带线是射频接地的
BIAS
另一端，或通过支持所需要的直流电流的射频电感
租金。
同10脚。
见引脚10 。
同10脚。
未连接。
级间匹配和偏置第一级的输出。级间连接
匹配电容吨引脚短的痕迹。连接低频
旁路电容来此引脚具有悠久痕迹。见评估板
布局细节。
同14脚。
电源引脚的偏置电路。外部低频旁路
如果没有其他的低频去耦电容是应连接
酒店附近。
VREG1
VREG2
RF OUT
见引脚10 。
见第2脚。
15
16
VCC1
VCC
见第2脚。
VCC
BIAS
BIAS
GND1
BIAS
GND2
PKG
BASE
GND
接地连接。包装的背面应连接
通过一个短的路径，即，该装置根据通孔的接地平面
可能需要。
见引脚1和2 。
转A6 060301
2-239
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