初步
0
典型应用
3V CDMA / AMPS蜂窝手机
3V J- CDMA / TACS蜂窝手机
3V TDMA / AMPS蜂窝手机
产品说明
该RF2162是一种高功率，高效率线性扩增
费里IC针对3V手持系统。该装置是
采用先进的砷化镓异质制造
结双极晶体管（ HBT）的过程中，并一直
设计用作在双模式的最终RF放大器
3V CDMA / AMPS手持式数字蜂窝设备，
扩频系统，并在其它应用
800MHz至960MHz的频段。该RF2162有一个模拟
偏置控制电压，以最大限度地提高效率。该装置是
自包含具有50Ω的输入和输出可以是eas-
随手匹配，以获得最佳的功率，效率和线性
earity特点。该装置被装在一个
紧凑的4mmx4mm ， 16引脚无引线芯片载体。
RF2162
3V 900MHZ线性放大器
扩频系统
CDPD移动数据卡
- 便携式电池供电设备
0.10 C B
-B-
4.00
0.10 C B
2 PLCS
3.75
2 PLCS
2.00
0.80
典型值
2
A
1.60
2 PLCS
3.75
0.75
0.50
索引区
尺寸（mm） 。
1.50
平方米。
4.00
0.10 C A
2 PLCS
0.45
0.28
3.20
2 PLCS
2.00
0.10 C A
2 PLCS
阴影针脚是铅1 。
12°
最大
0.05
0.00
0.10 M C A B
1.00
0.90
0.75
0.65
C
0.05
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式： QFN ， 16引脚， 4x4的
特点
单3V电源
为29dBm的线性输出功率
VCC BIAS
VCC1
VCC1
GND
29分贝线性增益
2F0
35 ％的线性效率
板载Power Down模式
RF OUT
RF OUT
RF OUT
1
GND
GND
RFIN
2
3
4
5
VREG1
16
15
14
13
12
11
10
800MHz至960MHz的运行
订购信息
RF2162
RF2162 PCBA
3V 900MHZ线性放大器
完全组装的评估板
6
VMODE
7
VREG2
8
BIAS GND
9
GND
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
电话：（ 336 ） 664 1233
传真：（ 336 ） 664 0454
http://www.rfmd.com
转A19 060208
2-227
RF2162
绝对最大额定值
参数
电源电压（ RF关闭）
电源电压（P
OUT
≤31dBm)
模式电压（V
模式
)
控制电压（V
PD
)
输入射频功率
工作温度
储存温度
湿气敏感度
初步
等级
单位
V
DC
V
DC
V
DC
V
DC
DBM
°C
°C
+8.0
+4.5
+3.0
+3.0
+12
-30到+110
-30至+150
修改JEDEC 2级
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
参数
整体
可用频率范围
典型频率范围
线性增益
二次谐波（包括
二次谐波陷阱）
最大连续输出功率
总有效率（ AMPS模式）
最大线性输出功率
（ CDMA调制）
总的线性效率
邻道功率Rejec-
化
噪声功率
最大线性输出功率
（ CDMA调制）
总有效率（ AMPS模式）
最大连续输出功率
总的线性效率
邻道功率Rejec-
化
输入VSWR
输出负载VSWR
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
800
28
824-849
29
-30
31.5
50
29
30
35
-46
-58
-90
29
50
30.5
36
-46
-58
<2 ： 1
960
31
单位
条件
T = 25℃ ，V
CC
= 3.4V ，频率= 824MHz到
849MHz ，除非另有说明
兆赫
兆赫
dB
dBc的
DBM
%
DBM
%
dBc的
dBc的
DBM
DBM
%
DBM
%
dBc的
dBc的
-44
-56
-89
ACPR @ 885kHz
ACPR @ 1980kHz
V
CC
= 3.4V ; BW = 30kHz的; RX频带NF测
确保从TX中心波段RX中心带。
V
CC
=3.0V
30
30
31
-44
-56
10:1
ACPR @ 885kHz
ACPR @ 1980kHz
没有损害。
TDMA
线性输出功率
线性ACP
线性ALT CP
效率
30
-29
-49
46
3.4
135
10
DBM
-28
-48
30kHz的偏移
60kHz的偏移
O/P=30dBm
V
mA
mA
ns
μA
V
V
V
45
3.0
电源
电源电压
空载电流
V
REG
当前
开/关时间
总电流（关机）
V
REG
“低”电压
V
REG
“高”电压
VMODE偏置控制电压
范围
4.5
200
15
<100
10
0.2
2.9
V
模式
= 0V至0.5V
总销6和7 ，V
REG
=2.8V
V
PD
ULOW
2.7
0
2.8
02.5
2-228
转A19 060208
初步
针
1
2
3
4
功能
GND
GND1
GND1
在RF
描述
接地连接。连接到封装基地地面。这个理由
应该从顶部金属层的背面接地触头分离。
地面阶段1.保持身体的痕迹短，连接被立即
ately到地平面以获得最佳性能。这种地面应该是异
从顶部的金属层的背面接触地面迟来。
相同引脚2 。
RF输入。如果该端口是外部隔直流电容是必需的
连接到直流接地路径或一个直流电压。
RF2162
接口示意图
VCC1
在RF
偏见
GND1
阶段
5
VREG1
6
7
VMODE
VREG2
8
9
10
GND
GND
RF OUT
开启电压为第一阶段。当该引脚为“低” ，所有的电路都关
关。当该引脚为2.8V ，所有的电路都工作正常。 V
REG
需要一个稳压2.8V的放大器在所有正常运行
指定的温度和电压范围。从滴电阻
较高的调节电压可以被用来提供所需的2.8V。一
100pF的高频旁路电容。
这是一个模拟偏置电流控制引脚。的范围是0V为最小
偏置3.0最大偏差。
开启电压为第二或输出阶段。当该引脚为“低” ，所有的税务局局长
cuits被关闭。当该引脚为2.8V ，所有的电路都工作去甲
马利。 V
REG
需要一个稳压2.8V的放大器工作
适当地在所有特定的温度和电压范围。另外，滴下
从更高的稳压电压电阻器可以用来提供
所需的2.8V 。一个100pF高频旁路电容是中建议
谁料。
偏置电路接地。见应用原理图。
接地连接。连接到封装基地地面。这个理由
应该从顶部金属层的背面接地触头分离。
RF输出和电源的输出级。偏置的输出
放阶段，通过这个引脚和13引脚的外部配套提供
网络是必需的，以提供最佳负载阻抗;看
应用原理图的细节。
同10脚。
同10脚。
谐波陷阱。该引脚连接到所述RF输出，但也用于亲
人们提供一个低阻抗的操作的二次谐波频
昆西。电感器或传输线路与芯片上的谐振
电容在2FO是需要在该引脚。
电源的偏置电路。一个100pF高频旁路电容
器建议。
间调谐和偏置电源为第一阶段。
间调谐和偏置电源为第一阶段。
接地连接。包装的背面应焊接到
顶侧接地焊盘，其连接到所述接地平面与mul-
tiple孔。该垫应具有短的散热路径到地面
平面。
见引脚10 。
RF OUT
偏见
阶段
11
12
13
RF OUT
RF OUT
2FO
14
15
16
PKG
BASE
VCC BIAS
VCC1
VCC1
GND
转A19 060208
2-229
初步
应用原理图 - 美国TDMA
P1-1
10 nF的
C30
间调谐的
中心频率响应
RF2162
100 pF的
绕过了V
CC
二阶谐波陷阱
TL
5
1.5 nH的
3.6 pF的
100 pF的
TL
7
14
13
12
11
10
TL
1
TL
2
12 pF的**
1.5 nH的
TL
3
4.7 pF的**
100 pF的
RF OUT
1
100 pF的
2
3
4
100 pF的
15 nH的
匹配网络
最佳的输入回波损耗
16
15
16 nH的*
1 pF的
改变增益
820
Ω
在RF
5
0
Ω
100 pF的
6
7
8
9
27 nH的
偏回归
匹配网络
最佳负载
阻抗
100 pF的
旁路为
V
REG1
和V
REG2
VREG
* L1是一个高Q电感器（如Coilcraft在0805HQ系列） 。
** C1和C14是高Q电容（即约翰森C系列） 。
1 kΩ
VMODE
转A19 060208
2-231
QQ：2880707522 复制
