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RF2155
2
典型应用
模拟通信系统
900MHz的扩频系统
400MHz的无线电工业
对于高功率应用驱动阶段
3V应用
3V可编程增益功率放大器
2
功率放大器
产品说明
该RF2155是一个3V中功率可编程增益
功放IC 。该设备采用先进的制造
砷化镓异质结双极晶体管( HBT )
过程,并已被设计用作最后的射频
放大器的模拟蜂窝电话发射器或ISM
应用程序在915MHz的工作。该设备是自CON-
tained除输出匹配网络
与电源供给线。一个双位数字控制亲
志愿组织4级功率控制,在8分贝步骤。
0.158
0.150
0.021
0.014
-A-
0.009
0.004
0.392
0.386
0.069
0.064
0.050
0.244
0.230
8 MAX
0 ° MIN
0.010
0.008
0.060
0.054
0.035
0.016
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
ü
砷化镓HBT
的SiGe HBT
封装形式:标准蝙蝠
砷化镓MESFET
硅CMOS
特点
单3V电源
500mW的连续输出功率
31分贝小信号增益
高达60 %的效率
数字控制输出功率
430MHz的以930MHz频率范围
NC
VCC1
VCC2
GND
GND
GND1
在RF
PD
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
G16
G8
RF OUT
GND
GND
RF OUT
NC
NC
订购信息
RF2155
RF2155 PCBA
3V可编程增益功率放大器
完全组装的评估板
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 , USA
电话:( 336 ) 664 1233
传真:( 336 ) 664 0454
http://www.rfmd.com
转B3 010417
2-179
RF2155
绝对最大额定值
参数
电源电压
掉电电压(V
PD
)
直流电源电流
输入射频功率
输出负载VSWR
工作环境温度
储存温度
等级
-0.5到+5.5
-0.5到+3.3
500
+10
10:1
-30至+85
-40到+150
单位
V
DC
V
mA
DBM
°C
°C
注意!
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为,家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。但是, RF Micro Devices公司保留权利,以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品(S )的责任。
2
功率放大器
参数
整体
频带
最大连续输出功率
小信号增益
二次谐波
三次谐波
四倍频
输入VSWR
CW效率
输出负载VSWR
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
T为25 ° C,V
CC
=3.6V, V
PD
=3.0V,
Z
负载
=13, P
IN
=为0dBm ,频率= 915MHz的
50
6:1
2.7
0
2.2
0
0.8
+25.5
+16.0
+8.0
-1.0
430 930
450
300
31
-30
-40
-36
2:1
56
兆赫
mW
mW
dB
dBc的
dBc的
dBc的
%
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
如果没有外部的二次谐波陷阱
所有增益设置
G16 = “高” , G8 = “高” ,P
IN
=0dBm
Spurious<-60dBc
电压提供给输入
电压提供给输入
只有在“ON”状态
电压提供给输入
电压提供给输入
只有在“ON”状态
G16 = “高” , G8 = “高” ,P
IN
=0dBm
G16 = “高” , G8 = “低” ,P
IN
=0dBm
G16 = “低” , G8 = “高” ,P
IN
=0dBm
G16 =“低” ,G8 =“低” ,P
IN
=0dBm
功率控制
关机“ON”
关机“OFF”
PD输入电流
G16 , G8 “ ON”
G16 , G8 “ OFF”
G16 , G8输入电流
输出功率
2.8
0.5
3.7
2.5
0.3
1.0
+26.5
+18.5
+10.5
+1.5
3.0
0.8
5.0
3.0
0.5
1.6
+28.0
+21.0
+13.0
+4.0
100
V
V
mA
V
V
mA
DBM
DBM
DBM
DBM
ns
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
A
开/关时间
电源
电源电压
3.0
电源电流
225
90
37
25
50
1
3.6
5.0
300
115
55
35
110
10
特定网络阳离子
操作限制
G16 = “高” , G8 = “高” ,P
IN
=0dBm
G16 = “高” , G8 = “低” ,P
IN
=0dBm
G16 = “低” , G8 = “高” ,P
IN
=0dBm
G16 =“低” ,G8 =“低” ,P
IN
=0dBm
G16 = “高” , G8 = “高” ,无射频在
G16 =“低” ,G8 =“低” , (D)= “低”的
20
2-180
转B3 010417
RF2155
1
2
功能
NC
VCC1
描述
没有内部连接。
正电源用于第一阶段(驱动程序)的放大器。这是一
无与伦比的晶体管集电极输出。该引脚应看到一个感性
路径AC接地(V
CC
与UHF旁路电容) 。这种电感
tance可以用很短的,薄的微带线来实现(大约
相当于0.4nH ) 。在较低频率下,电感值应
更大(更长的微带线)和V
CC
应与被旁路
更大的旁路电容。此电感形成一个匹配网络
与放大级,设置最大的放大器的频率
获得。额外1μF旁路电容并联的超高频
旁路电容也推荐,但本康波的放置
新界东北不是关键。 39Ω的电阻从这个引脚到引脚3 neces-
萨利确保极端输出VSWR条件下的稳定性。
正电源的偏置电路。该引脚应与被绕过
单超高频电容放置在尽可能靠近的包。
接地连接。保持身体的痕迹短,连接被立即
ately到接地平面以获得最佳性能。
一样的4脚。
接地回路用于第一阶段;这应该通过非常连接到
关闭该设备。
放大器的RF输入。这是一个50Ω的RF输入端口到放大器。对
提高在四个增益控制设置的输入匹配,输入
6.8nH的电感应补充。放大器不包含
内部DC阻断,因此,应在外部直流阻断
连接到具有DC存在或CON组的任何设备之前,
含有一个直流接地路径。一系列超高频电容推荐
直流阻塞。
断电控制电压。当该引脚为0V ,该设备将在
掉电模式下,耗散最小直流电源。当此引脚为
3V器件将在全功率模式下提供最大可用
增益和输出功率能力。该引脚不应该在任何circum-
姿态,比3.3V高一些。该引脚也应该有一个外部UHF
和HF绕过电容。
没有内部连接。
没有内部连接。
放大器的RF输出。这是最后的一个无与伦比的集电极输出
放大器晶体管。它在内部连接到销11和14 ,以亲
韦迪低串联电感和灵活性,输出匹配。偏置
还必须设置在末级功率放大输出晶体管
通过这些引脚之一。通常情况下,销14被用来提供偏压。一
传输线的大约500mils长度,其次是
旁路电容器,是足够的。该引脚也可以被用来创建一个
二次谐波陷阱。超高频和大钽电容( 1μF )电容
应放在偏置电感器的电源侧。引脚11
应该用于RF输出以呈现一个匹配网络
最佳负载阻抗到PA为最大功率和艾菲
在输出效率,以及提供隔直流。
一样的4脚。
一样的4脚。
同11脚。
RF输出功率增益控制8分贝位(参见逻辑规格表) 。
在这个引脚上的控制电压不能超过3.3V和逻辑
高应至少为2.7V 。该引脚也应该有一个外部UHF
旁路电容。
VCC2
RF OUT
接口示意图
VCC1
在RF
偏见
阶段
2
功率放大器
3
4
5
6
7
VCC2
GND
GND
GND1
在RF
见第2脚。
8
PD
PD
射频
阶段
9
10
11
NC
NC
RF OUT
偏见
阶段
12
13
14
15
GND
GND
RF OUT
G8
GXX
射频
阶段
转B3 010417
2-181
RF2155
16
功能
G16
描述
RF输出功率增益控制16分贝位(见规格表
逻辑)。在这个引脚上的控制电压不能超过3.3V和
逻辑高应至少为2.7V 。该引脚也应该有一个外部
超高频旁路电容。
接口示意图
同销15 。
2
功率放大器
V
CC
应用原理
915兆赫
33 pF的
1
W = 20 ,L = 180密耳
33 pF的
2
39
3
板材质: FR- 4 ( ER = 4.7 )
H = 30万
阻抗引脚关键
2 ,7,11 ,和14个
33 pF的6.8 nH的
在RF
掉电
33 pF的
7
8
10
9
33 pF的
4
5
6
14
33 pF的
13
12
W = 55 , L = 330万
11
3.9 pF的
50
33 pF的
RF OUT
15
W = 20 ,L = 570密耳
V
CC
8分贝Ctrl键
16
33 pF的
16分贝Ctrl键
2-182
转B3 010417
RF2155
评估板电路图
(从www.rfmd.com下载材料清单)。
P1
P1-1
1
2
P1-3
3
VB2
GND
PD
P2-3
P2-1
P2
1
2
3
VCC
GND
VB1
2
功率放大器
2155400版本 -
C14
1
F
P2-1
1
2
R1
39
C4
33 pF的
3
4
5
16
15
14
13
12
11
10
9
C10
3.9 pF的
C2
33 pF的
C12 1 nF的
L = 570万,
W = 20万
C7
33 pF的
C8
33 pF的
P2-3
C13
1
F
C6
1 nF的
C5
33 pF的
P1-1
L = 330万,
W = 55万
C2
33 pF的
50
在RF
J1
P1-3
50
C1
33 pF的
L1
6.8 nH的
6
7
8
RF OUT
J2
C9
1 nF的
C3
33 pF的
转B3 010417
2-183
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    联系人:杨小姐
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    RF2155PCBA
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    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
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