RF2155
3V可编程增益功率
扩音器
符合RoHS &无铅产品
封装形式：标准蝙蝠
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
G16
G8
RF OUT
GND
GND
RF OUT
NC
NC
特点
单3V电源
500mW的连续输出功率
31分贝小信号增益
高达60 ％的效率
数字控制输出
动力
430MHz的到930MHz频
昆西范围
VCC1
VCC2
GND
GND
GND1
在RF
PD
应用
模拟通信系
TEMS
900MHz的扩频
系统
400MHz的工业收音机
对于高功率驱动级
应用
3V应用
功能框图
产品说明
该RF2155是一个3V中功率可编程增益放大器IC 。该
设备是一种先进的砷化镓异质结制备
双极型晶体管（ HBT）的过程，并且已被设计为用作
在模拟蜂窝电话发射器或ISM应用的最终RF放大器
工作在915MHz的。该装置自包含除
输出匹配网络和电源供给线。一个两比特的数字
控制提供了4个等级的功率控制，在8分贝步骤。
订购信息
RF2155
RF2155PCBA-41X
3V可编程增益功率放大器
完全组装的评估板
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司
转B9 DS080128
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
1 10
RF2155
绝对最大额定值
参数
电源电压
掉电电压（V
PD
)
直流电源电流
输入射频功率
输出负载VSWR
工作环境温度
储存温度
等级
-0.5到+5.5
-0.5到+3.3
500
+10
10:1
-30至+85
-40到+150
单位
V
DC
V
mA
DBM
°C
°C
注意！ ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态（在这个文件修改时间） 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有
承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐
阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。
参数
整体
频带
最大连续输出功率
小信号增益
二次谐波
三次谐波
四倍频
输入VSWR
CW效率
输出负载VSWR
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
T为25 ° C，V
CC
=3.6V, V
PD
= 2.8V ，Z
负载
=13Ω,
P
IN
=为0dBm ，频率= 915MHz的
430 930
450
300
31
-30
-40
-36
2:1
50
6:1
2.7
0
2.2
0
0.8
+25.5
+15.0
+7.5
-2.5
2.8
0.5
3.7
2.5
0.3
1.0
+26.5
+18.5
+10.5
+1.5
3.0
0.8
5.0
3.0
0.5
1.6
+28.0
+21.0
+13.0
+4.0
100
56
兆赫
mW
mW
dB
dBc的
dBc的
dBc的
所有增益设置
%
G16 = “高” ， G8 = “高” ，P
IN
=0dBm
Spurious<-60dBc
V
V
mA
V
V
mA
DBM
DBM
DBM
DBM
ns
电压提供给输入
电压提供给输入
只有在“ON”状态
电压提供给输入
电压提供给输入
只有在“ON”状态
G16 = “高” ， G8 = “高” ，P
IN
=0dBm
G16 = “高” ， G8 = “低” ，P
IN
=0dBm
G16 = “低” ， G8 = “高” ，P
IN
=0dBm
G16 =“低” ，G8 =“低” ，P
IN
=0dBm
如果没有外部的二次谐波陷阱
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
功率控制
关机“ON”
关机“OFF”
PD输入电流
G16 ， G8 “ ON”
G16 ， G8 “ OFF”
G16 ， G8输入电流
输出功率
开/关时间
2 10
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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RF2155
参数
电源
电源电压
3.0
电源电流
225
90
37
25
20
50
1
3.6
5.0
300
115
55
35
110
10
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
μA
特定网络阳离子
操作限制
G16 = “高” ， G8 = “高” ，P
IN
=0dBm
G16 = “高” ， G8 = “低” ，P
IN
=0dBm
G16 = “低” ， G8 = “高” ，P
IN
=0dBm
G16 =“低” ，G8 =“低” ，P
IN
=0dBm
G16 = “高” ， G8 = “高” ，无射频在
G16 =“低” ，G8 =“低” ， （D）= “低”的
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
转B9 DS080128
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
3 10
RF2155
针
1
2
功能
NC
VCC1
描述
没有内部连接。
正电源用于第一阶段（驱动程序）的放大器。这是一个无与伦比的
三极管集电极输出。该引脚应看到一个感性的路径交流
地面（V
CC
与UHF旁路电容） 。该电感可以
实现具有短，薄的微带线（约相当于
0.4nH ） 。在较低频率下，电感值应较大（较长
微带线）和V
CC
应具有较大的旁路绕过电容
器。此电感形成一个匹配网络与放大器级，
设定的最大增益放大器的频率。另外一个1μF
与超高频旁路电容器并联的旁路电容也recom-
修补，但该组件的放置是不一样重要。的电阻
39Ω从这个引脚到引脚3是必要的，以确保在极端稳定
输出VSWR条件。
正电源的偏置电路。该引脚应与赎罪被绕过
GLE超高频电容放置在尽可能靠近的包。
接地连接。保持身体的痕迹短并立即连接
到接地平面以获得最佳性能。
一样的4脚。
接地回路用于第一阶段;这应该通过非常连接到
关闭该设备。
放大器的RF输入。这是一个50Ω的RF输入端口到放大器。为了提高
输入匹配在四个增益控制设置，一个输入电感
6.8nH应添加。放大器不包含内部直流嵌段
荷兰国际集团，因此，应在外部连接到之前的DC阻断
其中有目前DC或任何设备包含一个直流接地路径。一
系列超高频电容建议的直流阻塞。
断电控制电压。当该引脚为0V ，该设备将在
掉电模式下，耗散最小直流电源。当此引脚为3V
该设备将在全功率模式下提供最高可用增益
和输出功率的能力。该引脚不应在任何情况下，是
比3.3V高。该引脚也应该有一个外部UHF和HF
旁路电容。
没有内部连接。
没有内部连接。
放大器的RF输出。这是最后的一个无与伦比的集电极输出
放大器晶体管。它在内部连接到销11和14 ，以提供
低串联电感和输出匹配的灵活性。偏置最后
功率放大器的输出晶体管，还必须通过一个设置
这些引脚。通常情况下，销14被用来提供偏压。的传输线
大约500mils长度，其次是一个旁路电容器，是足够的。
该引脚也可以被用来创建一个二次谐波陷。超高频和
大钽（ 1μF ）电容应放置在电源侧
的偏置电感。销11应当用于RF输出与匹配 -
荷兰国际集团的网络呈现最佳的负载阻抗为PA的马克西 -
妈妈的功率和效率，以及提供DC阻断在输出上。
一样的4脚。
一样的4脚。
同11脚。
RF输出功率增益控制8分贝位（参见逻辑规格表） 。该
在这个引脚控制电压不能超过3.3V和逻辑高
应至少为2.7V 。该引脚也应该有一个外部UHF bypass-
荷兰国际集团的电容器。
VCC2
RF OUT
VCC1
接口示意图
在RF
偏见
阶段
3
4
5
6
7
VCC2
GND
GND
GND1
在RF
见第2脚。
8
PD
PD
射频
S TAGES
9
10
11
NC
NC
RF OUT
F RO M B IA s
的TA克（E S）
12
13
14
15
GND
GND
RF OUT
G8
GXX
射频
阶段
针
功能
描述
接口示意图
4 10
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
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RF2155
16
G16
RF输出功率增益控制16分贝位（参见逻辑规格表） 。
同销15 。
在这个引脚上的控制电压不能超过3.3V和逻辑高
应至少为2.7V 。该引脚也应该有一个外部UHF bypass-
荷兰国际集团的电容器。
封装图
-A-
0.158
0.150
0.021
0.014
0.009
0.004
0.392
0.386
0.069
0.064
0.050
0.244
0.230
8 MAX
0 ° MIN
0.010
0.008
0.060
0.054
0.035
0.016
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5 10
RF2155
绝对最大额定值
参数
电源电压
掉电电压（V
PD
)
直流电源电流
输入射频功率
输出负载VSWR
工作环境温度
储存温度
等级
-0.5到+5.5
-0.5到+3.3
500
+10
10:1
-30至+85
-40到+150
单位
V
DC
V
mA
DBM
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
参数
整体
频带
最大连续输出功率
小信号增益
二次谐波
三次谐波
四倍频
输入VSWR
CW效率
输出负载VSWR
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
T为25 ° C，V
CC
=3.6V, V
PD
=2.8V,
Z
负载
=13Ω, P
IN
=为0dBm ，频率= 915MHz的
50
6:1
2.7
0
2.2
0
0.8
+25.5
+15.0
+7.5
-2.5
430 930
450
300
31
-30
-40
-36
2:1
56
兆赫
mW
mW
dB
dBc的
dBc的
dBc的
%
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.0V
如果没有外部的二次谐波陷阱
所有增益设置
G16 = “高” ， G8 = “高” ，P
IN
=0dBm
Spurious<-60dBc
电压提供给输入
电压提供给输入
只有在“ON”状态
电压提供给输入
电压提供给输入
只有在“ON”状态
G16 = “高” ， G8 = “高” ，P
IN
=0dBm
G16 = “高” ， G8 = “低” ，P
IN
=0dBm
G16 = “低” ， G8 = “高” ，P
IN
=0dBm
G16 =“低” ，G8 =“低” ，P
IN
=0dBm
功率控制
关机“ON”
关机“OFF”
PD输入电流
G16 ， G8 “ ON”
G16 ， G8 “ OFF”
G16 ， G8输入电流
输出功率
2.8
0.5
3.7
2.5
0.3
1.0
+26.5
+18.5
+10.5
+1.5
3.0
0.8
5.0
3.0
0.5
1.6
+28.0
+21.0
+13.0
+4.0
100
V
V
mA
V
V
mA
DBM
DBM
DBM
DBM
ns
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
μA
开/关时间
电源
电源电压
3.0
电源电流
225
90
37
25
50
1
3.6
5.0
300
115
55
35
110
10
特定网络阳离子
操作限制
G16 = “高” ， G8 = “高” ，P
IN
=0dBm
G16 = “高” ， G8 = “低” ，P
IN
=0dBm
G16 = “低” ， G8 = “高” ，P
IN
=0dBm
G16 =“低” ，G8 =“低” ，P
IN
=0dBm
G16 = “高” ， G8 = “高” ，无射频在
G16 =“低” ，G8 =“低” ， （D）= “低”的
20
2-174
转B8 060921
RF2155
针
1
2
功能
NC
VCC1
描述
没有内部连接。
正电源用于第一阶段（驱动程序）的放大器。这是一
无与伦比的晶体管集电极输出。该引脚应看到一个感性
路径AC接地（V
CC
与UHF旁路电容） 。这种电感
tance可以用很短的，薄的微带线来实现（大约
相当于0.4nH ） 。在较低频率下，电感值应
更大（更长的微带线）和V
CC
应与被旁路
更大的旁路电容。此电感形成一个匹配网络
与放大级，设置最大的放大器的频率
获得。额外1μF旁路电容并联的超高频
旁路电容也推荐，但本康波的放置
新界东北不是关键。 39Ω的电阻从这个引脚到引脚3 neces-
萨利确保极端输出VSWR条件下的稳定性。
正电源的偏置电路。该引脚应与被绕过
单超高频电容放置在尽可能靠近的包。
接地连接。保持身体的痕迹短，连接被立即
ately到接地平面以获得最佳性能。
一样的4脚。
接地回路用于第一阶段;这应该通过非常连接到
关闭该设备。
放大器的RF输入。这是一个50Ω的RF输入端口到放大器。对
提高在四个增益控制设置的输入匹配，输入
6.8nH的电感应补充。放大器不包含
内部DC阻断，因此，应在外部直流阻断
连接到具有DC存在或CON组的任何设备之前，
含有一个直流接地路径。一系列超高频电容推荐
直流阻塞。
断电控制电压。当该引脚为0V ，该设备将在
掉电模式下，耗散最小直流电源。当此引脚为
3V器件将在全功率模式下提供最大可用
增益和输出功率能力。该引脚不应该在任何circum-
姿态，比3.3V高一些。该引脚也应该有一个外部UHF
和HF绕过电容。
没有内部连接。
没有内部连接。
放大器的RF输出。这是最后的一个无与伦比的集电极输出
放大器晶体管。它在内部连接到销11和14 ，以亲
韦迪低串联电感和灵活性，输出匹配。偏置
还必须设置在末级功率放大输出晶体管
通过这些引脚之一。通常情况下，销14被用来提供偏压。一
传输线的大约500mils长度，其次是一个旁路
电容器，是足够的。该引脚也可以被用来创建一个第二
谐波陷阱。超高频和大钽电容（ 1μF ）电容应
放置在偏置电感器的电源侧。引脚11应
用于射频输出匹配网络，它能呈现opti-
最大负载阻抗到PA为最大功率和效率，如
以及提供DC阻断在输出上。
一样的4脚。
一样的4脚。
同11脚。
RF输出功率增益控制8分贝位（参见逻辑规格表） 。
在这个引脚上的控制电压不能超过3.3V和逻辑
高应至少为2.7V 。该引脚也应该有一个外部UHF
旁路电容。
VCC2
接口示意图
VCC1
在RF
偏见
阶段
3
4
5
6
7
VCC2
GND
GND
GND1
在RF
见第2脚。
8
PD
PD
射频
阶段
9
10
11
NC
NC
RF OUT
RF OUT
偏见
阶段
12
13
14
15
GND
GND
RF OUT
G8
GXX
射频
阶段
转B8 060921
2-175
RF2155
针
16
功能
G16
描述
RF输出功率增益控制16分贝位（参见逻辑规格表） 。
在这个引脚上的控制电压不能超过3.3V和逻辑
高应至少为2.7V 。该引脚也应该有一个外部UHF
旁路电容。
接口示意图
同销15 。
应用原理
915兆赫
33 pF的
1
W = 20 ，L = 180密耳
33 pF的
2
39
Ω
3
板材质： FR- 4 （ ER = 4.7 ）
H = 30万
阻抗引脚关键
2 ，7，11 ，和14个
33 pF的6.8 nH的
在RF
掉电
33 pF的
7
8
10
9
33 pF的
4
5
6
14
33 pF的
13
12
W = 55 ， L = 330万
11
3.9 pF的
50
Ω
33 pF的
RF OUT
15
W = 20 ，L = 570密耳
V
CC
8分贝Ctrl键
16
33 pF的
16分贝Ctrl键
V
CC
2-176
转B8 060921
QQ：2881677436 复制
