RF2152
2
典型应用
3V CDMA / AMPS蜂窝手机
3V JCDMA / TACS蜂窝手机
3V TDMA / AMPS蜂窝手机
扩频系统
CDPD移动数据卡
- 便携式电池供电设备
双模CDMA / AMPS或TDMA / AMPS
3V功率放大器
2
功率放大器
D
E
R
S
F
IG
21
62
N
/R
S
.157
.150
.012
.008
.003
.001
1
产品说明
该RF2152是一种高功率，高效率线性扩增
费里IC针对3V手持系统。该装置是
采用先进的砷化镓异质制造
结双极晶体管（ HBT）的过程中，并一直
设计用作在双模式的最终RF放大器
3V CDMA / AMPS手持式数字蜂窝设备，
扩频系统，并在其它应用
800MHz至950MHz的频段。该设备是自足
与50Ω输入和输出可以很容易地匹配
获得最佳功率，效率和线性度character-
istics 。该包是一个PSSOP -16与背面侧接地。
.197
.189
.025
.244
.228
8 μMAX
0°MIN
.030
.018
.009
.008
N
E
ro
W
d
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
uc
ts
请参阅“处理PSOP和PSSOP产品” 16-15页
对于特殊的处理信息。
!
砷化镓HBT
的SiGe HBT
封装形式： PSSOP - 16
砷化镓MESFET
硅CMOS
特点
单3V电源
28dBm的线性输出功率
30分贝线性增益
35 ％的线性效率
板载Power Down模式
800MHz至960MHz的运行
VCC
LTUNE
NC
VCC1
N
S
O
ee
T
GND1
在RF
VPD
VPD
U
F
pg
O
ra
R
de
d
P
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
模式
NC
BIAS
电路
RF OUT
RF OUT
RF OUT
NC
NC
NC
订购信息
RF2152
双模CDMA / AMPS和TDMA / AMPS 3V电源
扩音器
RF2152 PCBA -N完全组装的评估板824-849MHz
RF2152 PCBA -J完全组装的评估板877-924MHz
RF Micro Devices公司
桑代克路7625
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
电话：（ 336 ） 664 1233
传真：（ 336 ） 664 0454
http://www.rfmd.com
包装基地
GND
功能框图
转A8 001109
F2
19
2
.059
.051
.062
.070
裸露
散热器
.102
.110
2-155
RF2152
绝对最大额定值
参数
电源电压（ RF关闭）
电源电压（P
OUT
≤31dBm)
直流电源电流
模式电压（V
模式
)
控制电压（V
PD
)
输入射频功率
工作环境温度
储存温度
湿气敏感度
等级
+8.0
+5.2
1.0
+3.0
+3.0
+12
-40至+85
-40到+150
JEDEC LEVEL 5
单位
V
DC
V
DC
A
V
DC
V
DC
DBM
°C
°C
请参阅“处理PSOP和PSSOP产品”
对特别处理的信息16-15页。
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
2
功率放大器
参数
整体
可用频率范围
典型频率范围
线性增益
二次谐波（包括
二次谐波陷阱）
最大连续输出功率
总有效率（ AMPS模式）
最大线性输出功率
（ CDMA调制）
总的线性效率
邻道功率Rejec-
化
邻道功率Rejec-
化
输入VSWR
输出负载VSWR
噪声系数
噪声功率P
OUT
=15dBm
P
OUT
=28dBm
P
OUT
=31dBm
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
800
824-849
877-925
30
-38
31.5
45
28.5
35
-46
-58
28
-32
31
40
28
N
E
ro
W
d
uc
ts
30
-44
-56
< 2:1
6.0
86.5
89.3
92.3
3.4
90
U
F
pg
O
ra
R
de
d
P
5.9
电源
N
S
O
ee
T
电源电压
空载电流
空载电流
3.0
200
10
V
PD
当前
开/关时间
总电流（关机）
V
PD
“低”电压
V
PD
“高”电压
MODE “高”电压
MODE “低”电压
2.7
2.1
0
2.8
2.8
0
2-156
D
E
R
S
F
IG
21
62
N
/R
S
单位
960
33
-42
32
55
29
兆赫
兆赫
兆赫
dB
dBc的
DBM
%
DBM
%
dBc的
dBc的
Pout=28dBm
调整为CDMA
调整为CDMA
38
-50
-62
ACPR@885kHz
ACPR@1980kHz
10:1
6.1
dB
DBM
DBM
DBM
V
mA
mA
mA
<100
10
0.2
2.9
2.9
0.5
ns
A
V
V
5.2
V
PD
= LOW
条件
T = 25℃ ，V
CC
=3.4V, V
PD
=2.8V,
频率= 824MHz到849MHz ，除非另有
特定网络版
无振荡
V
CC
=3.4V
V
CC
= 3.4V ; 30KHz的带宽; RX频带NP测
来自德克萨斯州中心的频段sured到RX中心
BAND
MODE =低引脚16 =地面AMPS /低
电力CDMA模式
MODE =高引脚16 = 2.8V高功率
CDMA模式（ Pout>20dBm ）
Pins7,8 ， VPD = 2.8V （引脚7 （典型值）没有连接，
I = 5毫安的引脚8 ）
F2
19
2
转A8 001109
RF2152
针
1
2
功能
VCC
LTUNE
描述
电源的输入偏置电路。一个100 pF的高频旁路
电容。
间调谐。该引脚连接到用于并联电感
间调谐。对于824MHz到849MHz一个1.5nH离散电感
使用;用于877MHz至为925MHz短路传输线呈现
也可使用0.7 nH的电感或离散电感器。该电感器
应尽可能靠近引脚放置。
无连接。接地引脚建议。
电源舞台1. V
CC
应通过在25nH以上被馈送
电感上的伏去耦电容
CC
SIDE 。
地面阶段1.保持身体的痕迹短，连接被立即
ately到地平面以获得最佳性能。这种地面应该是异
从背面侧接地触头迟来。
RF输入。如果该端口是外部隔直流电容是必需的
连接到直流接地路径或一个直流电压。
请参见第6脚。
请参见第6脚。
接口示意图
5
6
GND1
在RF
D
E
R
S
F
IG
21
62
N
/R
S
7
VPD
无连接。接地引脚建议。
无连接。接地引脚建议。
RF输出和电源的输出级。偏置的输出
放阶段，通过这个引脚和13引脚的外部配套提供
网络是必需的，以提供最佳负载阻抗;看
应用原理图的细节。匹配的第一分流帽
电路应尽可能靠近引脚放置。
同销12 。
N
E
ro
W
d
uc
ts
8
9
10
11
12
VPD
NC
NC
NC
RF OUT
掉电控制。当该引脚为“低” ，所有的电路都切断。
当该引脚为2.8伏，所有的电路都工作正常。 V
PD
需要一个用于运行正常了所有的放大器调节2.8 V
指定的温度和电压范围。从滴电阻
较高的调节电压可以被用来提供所需的2.8 V的
100 pF的高频旁路电容。
连接到引脚7 。
无连接。接地引脚建议。
13
14
RF OUT
RF OUT
U
F
pg
O
ra
R
de
d
P
见引脚12 。
见引脚12 。
谐波陷阱。该引脚连接到所述RF输出，但也用于亲
人们提供一个低阻抗的操作的二次谐波频
昆西。电感器或传输线，包括一个并联谐振
电容在2F
0
连接到该引脚。
无连接。接地引脚建议。
MODE引脚可在AMPS和低效率更高的操作
电力CDMA模式。模式应设为“低”为最高的效率
在AMPS / TACS和低功耗（ < + 15 dBm的） CDMA运营。 MODE
应设置“高”在高功率的CDMA运营最佳的线性度。
N
S
O
ee
T
15
16
NC
模式
PKG
BASE
GND
接地连接。包装的背面应焊接到
顶侧接地焊盘，其连接到所述接地平面与mul-
tiple孔。该垫应具有短的散热路径到地面
平面。
转A8 001109
F2
19
2
VCC1
在RF
偏见
GND1
阶段
RF OUT
偏见
阶段
模式
2-157
功率放大器
3
4
NC
VCC1
2
QQ：2880707522 复制
