RF2140
2
典型应用
3V DCS1800 （ PCN ）蜂窝手机
3V DCS1900 （ PCS ）蜂窝手机
3V双频/三频手机
商业和消费系统
- 便携式电池供电设备
GPRS兼容
3V DCS功率放大器
2
功率放大器
产品说明
该RF2140是一种高功率，高效率电源扩增
费里的模块，提供高性能的GSM或GPRS
应用程序。该设备采用先进的制造
的GaAs HBT工艺制造，并已被设计为用作
在DCS1800 / 1900手持数字最终RF放大器
蜂窝设备和在其它应用中
1700MHz至2000MHz的频段。板载电源控制
提供了以上的控制范围65分贝与模拟电压
年龄的输入，并提供功率下降为逻辑“低”为
待机操作。该设备是自包含50Ω
输入和输出可以容易地匹配，以获得opti-
妈妈功率和效率characteristics.The RF2140
可以用RF2138双频一起使用
操作。该器件采用超小尺寸
陶瓷封装，最大限度地减少所需的电路板空间。
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
3.50
3.35
平方米。
1
1.50
1.20
0.38
0.40
平方米。
R
F2
17
4
2.00
4.20
平方米。
3.95
1.50
平方米。
所有焊盘公差P0.05mm
0.28 0.80
0.13
P
ro
du
c
t
封装形式： MP16K01A
ü
砷化镓HBT
的SiGe HBT
砷化镓MESFET
硅CMOS
特点
单2.7V至4.8V电源电压
+ 33dBm的输出，在3.5V电源
27分贝增益与模拟增益控制
51 ％的效率
1700MHz至1950MHz运行
支持DCS1800和PCS1900
1
AT_EN 2
RF IN 3
4 GND1
5
16
15
ee
U
pg
r
6
7
APC2
8
VCC
ad
ed
VCC2
14
13
12 RF OUT
11 RF OUT
10 RF OUT
9
2F0
NC
GND2
VCC2
VCC2
VCC1
APC1
订购信息
RF2140
RF2140 PCBA
3V DCS功率放大器
完全组装的评估板
S
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
电话：（ 336 ） 664 1233
传真：（ 336 ） 664 0454
http://www.rfmd.com
转A12 011031
2-129
RF2140
绝对最大额定值
参数
电源电压
功率控制电压（V
APC
)
使能电压（V
AT_EN
)
直流电源电流
输入射频功率
占空比最大功率
输出负载VSWR
工作温度
储存温度
等级
-0.5到+6.0
-0.5到+3.0
-0.5到+3.0
1500
+13
50
10:1
-40至+85
-55到+150
单位
V
DC
V
V
mA
DBM
%
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
2
功率放大器
参数
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
温度= 25 ° C，V
CC
=3.5V, V
APC1,2
=2.6V,
V
AT_EN
= 2.6V ，P
IN
= + 6dBm的，频率= 1710MHz
到1910MHz ， 25 ％占空比，脉冲
width=1154s
见应用原理图调整的详细信息。
不同的调整是必需的。
温度= 25 ° C，V
CC
=3.5V, V
APC1,2
=2.6V
温度= + 25 ° C，V
CC
=3.2V, V
APC1,2
=2.6V
温度= + 85°C ，V
CC
=3.2V, V
APC1,2
=2.6V
温度= 25 ° C，V
CC
=2.7V, V
APC1,2
=2.6V
温度= + 85°C ，V
CC
=2.7V, V
APC1,2
=2.6V
在P
出，最大
, V
CC
=3.5V
在P
出，最大
, V
CC
=3.0V
P
OUT
=+20dBm
P
OUT
=+10dBm
整体
工作频率范围
可用频率范围
最大输出功率
一七一○年至1785年
1850至1910年
1700年至2000年
+33
+32.8
+31.5
+31
+30
51
51
15
10
+7
兆赫
兆赫
兆赫
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
%
%
%
%
DBM
DBM
+32
+31.5
总有效率
P
推荐的输入功率
范围
输出噪声功率
+5
ro
du
ct
+9
-79
-30
-35
-45
-50
-45
-45
-45
-36
2.2:1
3:1
+29.5
45
正向隔离
二次谐波
三次谐波
四倍频
第五次谐波
第六次谐波
所有其他非谐波Spuri-
组织单位
输入阻抗
输入VSWR
ad
ed
S
ee
U
pg
r
-37
-40
-60
-65
-50
-50
-50
50
输出负载VSWR
输出负载阻抗
10:1
4.5-j3.9
2-130
R
F2
17
DBM
DBM
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
DBM
RBW = 100kHz时， 1805MHz至1880MHz ，并
1930MHz至1990MHZ ，
P
OUT ， MIN
<P
OUT
<P
出，最大
,
P
IN， MIN
<P
IN
<P
IN，最大
, V
CC
= 3.0V至5.0V
V
APC1,2
= 0.2V ，P
IN
=+10dBm
V
APC1,2
= 0.2V ，P
IN
=+6dBm
P
出，最大
-5dB<P
OUT
<P
出，最大
P
OUT
<P
出，最大
-5dB
Spurious<-36dBm ，V
APC1,2
= 0.2V至2.6V ，
RBW=100kHz
在RF OUT引脚上的负载阻抗
4
转A12 011031
RF2140
针
1
功能
GND2
描述
接地连接的驱动级。保持身体的痕迹短
和立即连接到接地平面以获得最佳性能。这是
对于稳定的重要，该引脚有它自己的过孔到地平面，
尽量减少任何普通电感。该引脚在内部连接到
地塞。
控制输入的PIN二极管。 PIN二极管的目的是为了
当在V衰减的RF输入驱动电平
APC
是低的。这符合
既通过自偏置的装置事业来降低漏电
与高水平的RF输入驾驶时，以及保持
当输入级的偏置截止良好的输入匹配。当
该引脚为“高”的PIN二极管控制是否打开。见理论
操作的更多细节。
RF输入。这是一个50Ω的输入，但实际的阻抗依赖于
级间匹配网络连接到引脚5外部直流嵌段
如果此端口被连接到一个直流接地路径是必需的荷兰国际集团电容器
或直流电压。
接口示意图
见引脚15 。
2
功率放大器
2
AT_EN
引脚
二极管
2 k
AT_EN
GND1
VCC1
3
在RF
在RF
针
由经办人
控制电路
GND 1
偏见
阶段
5
VCC1
ro
du
ct
6
APC1
R
F2
17
4
4
GND1
P
接地连接于所述预放大器级。保持身体的痕迹
见3脚。
短并立即连接到接地平面最好perfor-
曼斯。它是稳定的重要，该引脚都有它自己的过孔的
接地面，以尽量减少任何普通电感。
电源用于预放大级和级间匹配。这见3脚。
销形成所需的间的正确调谐的并联电感
阶段比赛。请参阅应用程序示意图正确的转换
成形，并注意组件的位置和价值是
非常重要的。
功率控制用于驱动级和前置放大器。当该引脚为
APC VCC
"low ， "所有电路都关闭。一个"low"通常是0.5V或更低，在室温
温度。分流旁路电容是必需的。在正常操作
ATION该引脚为功率控制。控制范围从大约1.0V变化
为-10dBm至2.6V为+ 33dBm的射频输出功率。最大功率
可以实现依赖于实际的输出匹配;看
应用信息以获取更多详细信息。的最大电流成此
引脚为5mA时， V
APC1
= 2.6V ，并且0毫安当V
APC
=0V.
GND
GND
射频
阶段
7
8
9
10
APC2
VCC
NC
RF OUT
功率控制的输出级。请参见第6脚的更多细节。
电源的偏置电路。
未连接。该引脚连接到地平面的兼容性
未来的包装。
RF输出和电源的输出级。偏置电压的
最后一个阶段是通过这种广泛的输出引脚提供。外部匹配 -
荷兰国际集团网络是必需的，以提供最佳负载阻抗。
ad
ed
请参见第6脚。
请参见第6脚。
U
pg
r
RF OUT
11
12
13
S
ee
偏见
GND
阶段
PCKG BASE
RF OUT
RF OUT
2F0
同10脚。
同10脚。
连接的二次谐波陷阱。该引脚在内部CON-
，连接到该射频输出引脚。键合线与外部
电容构成串联谐振器，它应调谐到所述第二
为了提高效率和减少杂散谐波频率
输出。
同销15 。
同10脚。
同10脚。
同10脚。
14
2-132
VCC2
转A12 011031
QQ：2881677436 复制
