RF2132
0
符合RoHS &无铅产品
典型应用
4.8V AMPS蜂窝手机
4.8V CDMA / AMPS手机
4.8V JCDMA / TACS手机
产品说明
的RF2132是一种高功率，高效率线性扩增
费里的IC 。该设备采用先进的GAL-制造
lium砷化镓异质结双极晶体管（ HBT ）
过程，并已被设计用作最后的射频
放大器在双模式4芯的CDMA / AMPS手持digi-
TAL蜂窝设备，扩频系统，并
其他应用程序在800MHz至950MHz的频段。该
设备的自包含50Ω输入和输出
可以很容易地匹配，以获得最佳的动力，艾菲
效率和线性特性在不同供应
和控制电压。
-A-
0.158
0.150
0.021
0.014
0.009
0.004
线性功率放大器
蜂窝基站驱动放大器
- 便携式电池供电设备
0.392
0.386
0.069
0.064
0.050
0.244
0.230
8 MAX
0 ° MIN
0.010
0.008
0.060
0.054
0.035
0.016
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式：标准蝙蝠
特点
单4.2V至5.0V电源
高达29 dBm的线性输出功率
VCC 1
NC 2
RF IN 3
GND 4
GND 5
GND 6
7 GND
PC 8
16 GND
15 RF OUT
14 RF OUT
13 GND
12 GND
11 RF OUT
10 RF OUT
9 GND
29分贝增益模拟增益控制
45 ％的线性效率
板载Power Down模式
800MHz至950MHz的运行
BIAS
订购信息
RF2132
线性功率放大器
RF2132PCBA - 41X完全组装的评估板
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
电话：（ 336 ） 664 1233
传真：（ 336 ） 664 0454
http://www.rfmd.com
转B10 060908
2-109
RF2132
绝对最大额定值
参数
电源电压（无RF ）
电源电压（P
OUT
<32dBm)
功率控制电压（V
PC
)
直流电源电流
输入射频功率
输出负载VSWR
储存温度
结温
等级
-0.5到+8.0
-0.5到+5.0
-0.5到+5.0或V
CC
800
+12
10:1
-40到+150
200
单位
V
DC
V
DC
V
mA
DBM
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
参数
整体
可用频率范围
线性增益
总的线性效率
效率最大输出
关断隔离
二次谐波
最大线性输出功率
邻道功率Rejec-
化@ 885千赫
邻道功率Rejec-
化@ 1.98 MHz的
最大连续输出功率
工作温度
工作环境温度
结到管壳热电阻
tance
输入VSWR
输出负载VSWR
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
T为25 ° C，V
CC
=4.8V, V
PC
=4.0V,
频率= 824MHz至849MHz
800
27
40
50
23
824到849
29
45
55
27
-30
28.5
-46
950
31
兆赫
dB
%
%
dB
dBc的
dBc的
29
-44
-58
31.5
-30
-30
32
-56
dBc的
DBM
°C
°C
° C / W
V
PC
=0V,P
IN
=+6dBm
包括二次谐波陷阱
IS-95A的CDMA调制
POUT = 28 dBm的
ACPR可以通过权衡艾菲得到改善
效率。
POUT = 28 dBm的
110
100
85
<2 ： 1
10:1
100
10
0.5
VCC
5.0
100
20
POUT = 31 dBm时，效率= 55 ％
无振荡
ns
μA
V
V
V
mA
mA
掉电
开/关时间
总电流
V
PC
“关”电压
V
PC
“开”电压
“关”状态
0.2
3.6
4.2
4.0
4.8
40
15
电源
电源电压
空载电流
目前进入VPC销
工作电压
V
PC
=4.0V
“开”状态
2-110
转B10 060908
RF2132
针
1
功能
VCC1
描述
电源为驱动级和级间匹配。分流
电感需要在这个引脚，其可以通过一个电感来实现
TOR到V
CC
与在V去耦电容
CC
侧。的值
电感是频率相关的; 3.3nH需要830MHz ，
和1.2nH为950MHz的。代替电感器，高阻抗
微带线都可以使用。
未连接。
RF输入。这是一个50Ω的输入，但实际输入阻抗取决于
级间匹配网络连接到引脚1，外部直流
如果此端口被连接到一个直流路径，需要隔直电容
地面或直流电压。
接地连接。保持身体的痕迹短，连接被立即
ately到接地平面以获得最佳性能。
一样的4脚。
地面阶段1.保持身体的痕迹短，连接被立即
ately到地平面以获得最佳性能。这种地面应该是异
从蝙蝠和其他地面接触迟来。看评测
电路板布局。
同销6 。
功率控制。当该引脚为"low" ，所有的电路都切断。一个"low"是
通常0.5V或更低温度为室温。在正常操作期间
该引脚为功率控制。控制范围从约2V的变化
为0dBm到V
CC
为+ 31dBm的射频输出功率。最大功率是
就可以实现依赖于实际的输出匹配。 PC应
不能超过5.0V或V
CC
，取其中最低的。
PC
接口示意图
VCC
在RF
偏见
阶段
2
3
NC
在RF
见引脚1 。
4
5
6
GND
GND
GND
7
8
GND
PC
射频
晶体管
9
10
GND
RF OUT
一样的4脚。
RF输出和电源的输出级。的4个输出引脚
合并，并且偏置电压的最后阶段，通过设置
这些引脚。外部路径必须保持对称，直到相结合，
确保稳定。外部匹配网络是必需的，以提供
最佳负载阻抗;详见应用原理图。
同10脚。
一样的4脚。
一样的4脚。
同10脚。
同10脚。
一样的4脚。
见引脚10 。
见引脚10 。
RF OUT
偏见
阶段
11
12
13
14
15
16
RF OUT
GND
GND
RF OUT
RF OUT
GND
见引脚10 。
转B10 060908
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