RF2128
2
典型应用
PCS通信系统
2.5GHz的ISM频段应用
无线局域网
商业和消费系统
便携式电池供电设备
中功率线性放大器
2
功率放大器
产品说明
该RF2128是一个中等功率，高效率，线性
功放IC 。该设备采用先进的制造
砷化镓异质结双极晶体管（ HBT ）
过程，并已被设计用作最后的射频
放大器在2.45GHz的ISM应用诸如WLAN
和POS终端。该部分也将作为最终的
数字PCS电话机的发射机需要线性阶段
放大1900兆赫之间运行
2200MHz的，超过100mW的发射功率，或者作为
驱动级的RF2125高功率放大器。一个SIM-
PLE省电功能包括用于TDD操作。
.315
.305
0.057 MAX
1
.050
ro
du
ct
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
ü
砷化镓HBT
的SiGe HBT
砷化镓MESFET
硅CMOS
特点
单3.0V至6.5V电源
100mW的线性输出功率
25分贝小信号增益
30 ％的效率
数控掉电模式
1900MHz至2500MHz的运行
VCC2 1
GND1 2
PD 3
U
pg
r
BIAS
电路
S
ee
ad
ed
8 VCC1
7 RF OUT
6 RF输出
5 GND 2
P
RF IN 4
订购信息
RF2128
RF2128 PCBA
中功率线性放大器
完全组装的评估板
包装基地
GND
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7625
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
R
F2
12
4°MAX
0°MIN
.017
.013
封装形式： SOP - 8 -C
8P
.006
.004
.166
SQ
.017
.013
.004
.000
0.180 SQ MAX
金属盖和底座，镀金
电话：（ 336 ） 664 1233
传真：（ 336 ） 664 0454
http://www.rfmd.com
转A3 010112
2-85
RF2128
绝对最大额定值
参数
电源电压（V
CC
)
掉电电压（V
PD
)
直流电源电流
输入射频功率
输出负载VSWR
工作温度
工作环境温度
储存温度
等级
+7.5
+5.5
125
+12
20:1
-40至+100
-40至+85
-40到+150
单位
V
DC
V
mA
DBM
°C
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
2
功率放大器
参数
整体
频带
最大输出功率
最大输出功率
总CW效率
小信号增益
二次谐波
三次谐波
隔离
输入VSWR
输入阻抗
噪声系数
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
1900至2500年
>+20
>+23
30
25
-25
-22
15
2:1
50
7
+17
-24
-36
-44
36
单位
条件
T为25 ° C，V
CC
=5V, V
PD
=5.0V,
Freq=2400MHz
双色调规格
平均双色电源
IM
3
IM
5
IM7
双色功率附加
效率
ro
du
ct
1.2
65
10
关机“ON”
关机“OFF”
ad
ed
掉电控制
P
V
CC
0
电源
电压
当前
当前
2-86
S
ee
U
pg
r
5
3.0 6.5
50
85
R
F2
12
V
PD
=0.2V
dB
DBM
dBc的
dBc的
dBc的
%
兆赫
DBM
DBM
%
dB
dBc的
dBc的
dB
V
CC
=5.0V, V
PD
= 5.0V ，P
IN
=-3.0dBm
V
CC
=6.0V, V
PD
= 5.5V ，P
IN
=0dBm
最大输出
PEP-3dB
P
OUT
= + 14dBm的每个音
P
OUT
= + 14dBm的每个音
P
OUT
= + 14dBm的每个音
V
V
V
V
mA
mA
A
提供给输入电压;器处于“打开”
提供给输入电压;设备是“关”的
特定网络阳离子
操作
工作空闲
在最大输出功率
掉电
8P
转A3 010112
RF2128
针
1
功能
VCC2
描述
电源为驱动级和级间匹配。外
该引脚上的匹配是需要优化的增益。匹配上
该端口也极大地影响输入阻抗。去耦电容
330pF的器的需要，推出了一系列的RC调谐马克西在一起
妈妈增益在所需的频率。看到该应用程序的信息
详细信息。
接地连接的驱动级。保持身体的痕迹短
和立即连接到接地平面以获得最佳性能。
掉电控制。当该引脚为"low" ，所有的电路都切断。一
"low"是典型1.2V或更低温度为室温。当该引脚为
"high" ，所有的电路都工作正常。一个"high"为V
CC
。如果PD低于
V
CC
，输出功率和性能会下降。这可能是
用于获得一定的增益控制，但结果不能保证。
RF输入。这是一个50Ω的输入，但实际的阻抗依赖于
提供引脚1匹配的外部隔直流电容器
需要，如果此端口被连接到一个直流接地路径。
接地输出级。保持身体的痕迹短
和立即连接到接地平面以获得最佳性能。
RF输出和电源的输出级。偏压的输出
阶段需要提供关于这个引脚。这可以通过完成
四分之一波微带即射频接地的另一端。为
匹配到50Ω ，外部串联微带线是必需的。
同销6 。
电源的偏置电路。外部RF旁路电容器
22pF的需要。使布线到电容器尽可能短，
和立即连接的电容器到地平面。
接地连接。包装的背面应连接
通过一个短的路径，即，该装置根据通孔的接地平面
可能需要。
接口示意图
2
3
GND1
PD
2
功率放大器
22 pF的
L =四分之一波，
W = 10MIL
15 pF的
RF OUT
4
5
6
在RF
GND2
RF OUT
7
8
PKG
BASE
RF OUT
VCC1
GND
应用原理
2450MHz
V
CC
1 nF的
U
pg
r
ad
ed
1.5
2.4 pF的
1
2
33 pF的
3
P
330 pF的
L = 250万，
W = 20万
BIAS
电路
22 pF的
8
7
6
5
包装基地
L = 220万，
W = 25万
PCB材料： FR- 4
厚度： 0.031"
S
ee
VPD
动力
下
在RF
6.2 pF的
4
L = 175万，
W = 10MIL
转A3 010112
ro
du
ct
R
F2
12
8P
2-87
QQ：2881677436 复制
