RF2105L
绝对最大额定值
参数
电源电压（V
CC
)
掉电电压（V
PD
)
直流电源电流
输入射频功率
输出负载
工作温度
工作环境温度
储存温度
等级
-0.5到+8.5
-0.5到+6.5
700
+12
20:1
-40至+100
-40至+85
-40到+150
单位
V
DC
V
DC
mA
DBM
°C
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
2
功率放大器
参数
整体
频带
最大连续输出功率
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
T为25 ° C，V
CC
=5.8V, V
PD
= 5.8V ，Z
负载
=9,
P
IN
=为0dBm ，频率= 840MHz
430 930
+30.8
兆赫
DBM
CW效率，在最大输出
在最大输出直流电流
小信号增益
二次谐波
三次谐波
四倍频
输入VSWR
输入阻抗
+29.3
+28.5
+30
+27.8
+27
48
450
33
-23
-36
-35
<2 ： 1
50
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
%
mA
dB
dBc的
dBc的
dBc的
V
CC
=5.8V, V
PD
= 5.8V ，Z
负载
=9
请注意，增加V
CC
上述5.8V呢
不会导致更高的输出功率;功率可
实际上减少。
V
CC
=5.0V, V
PD
= 5.0V ，Z
负载
=9
V
CC
=4.4V, V
PD
= 4.4V ，Z
负载
=9
V
CC
=5.8V, V
PD
= 5.8V ，Z
负载
=12
V
CC
=5.0V, V
PD
= 5.0V ，Z
负载
=12
V
CC
=4.4V, V
PD
= 4.4V ，Z
负载
=12
如果没有外部的二次谐波陷阱
与外部匹配网络;看到应用程序
阳离子原理
与外部匹配网络;看到应用程序
阳离子原理
PEP-3dB
P
OUT
=+24.0dBm/tone
P
OUT
=+24.0dBm/tone
P
OUT
=+24.0dBm/tone
双色调规格
平均双色电源
IM
3
IM
5
IM
7
双色漏极电流
双色功率附加EFF 。
+27.0
-30
-32
-40
260
33
-25
-30
350
DBM
dBc的
dBc的
dBc的
mA
%
225
功率控制
关机“ON”
关机“OFF”
PD输入电流
V
CC
0
3.7
2.7 6.5
2
60
80
100
120
V
V
5.0
mA
V
DC
A
mA
mA
mA
mA
电压提供给输入
电压提供给输入
只有在“ON”状态
电源
电源电压
总的空闲电流消耗
10
V
PD
<0.1V
DC
, V
CC
=6.5V
V
PD
=4.4V
DC
, V
CC
=6.5V
V
PD
=5.0V
DC
, V
CC
=6.5V
V
PD
=5.8V
DC
, V
CC
=6.5V
V
PD
=6.5V
DC
, V
CC
=6.5V
80
165
2-20
转B3 010720
RF2105L
针
1
功能
VCC2
描述
正电源用于第二阶段（驱动程序）的放大器。这是一
无与伦比的晶体管集电极输出。该引脚应看到一个感性
路径AC接地（V
CC
与UHF旁路电容） 。这种电感
tance可以用一个短的，薄的微带线或低来实现
值的片式电感器（ 2.7nH ） 。在较低的频率下，电感
值应该是较大的（较长的微带线）和V
CC
应
绕过一个更大的旁路电容（见应用原理
对于430MHz的操作）。此电感形成一个匹配网络与
在第二和第三阶段之间的内部串联电容器，设定
婷的最大增益放大器的频率。另外一个1μF
与超高频旁路电容器并联的旁路电容也消遣
ommended ，但该组件的放置是不一样重要。在大多数
应用中，引脚1 ，2和3可以共享单个1μF的旁路电容。
正电源的有源偏置电路。该引脚可以是外部
结合销3（ VCC1 ）和一对旁路与单个超高频
电容器，置于尽可能接近到包。另外
1μF的旁路还建议，而且靠近包
不是关键的。在大多数应用中，引脚1 ，2和3可以共享单个
1μF旁路电容。
正电源的第一级（输入）放大器。该引脚可克斯特
应受结合销2（ VCC3 ）和一对旁路与单个
超高频电容放置在尽可能靠近的包。另外
1μF的旁路还建议，而且靠近包
不是关键的。在大多数应用中，引脚1 ，2和3可以共享单个
1μF旁路电容。
接地连接。为了获得最佳性能，保持身体的痕迹短
和立即连接到地平面。此外，对于指定的per-
formance ，包的背面金属应焊接至地
平面。
断电控制电压。当该引脚为0V ，该设备将在
掉电模式下，耗散最小直流电源。当此引脚为
V
CC
（ 3V至6.5V ） ，该设备将在全功率模式下提供马克西
妈妈可用的增益和输出功率能力。该引脚也可
用于执行某种程度的增益控制或功率控制的设置时
为0V和V之间的电压
CC
。它不为这个功能优化，以便
的传递函数是不在宽范围内呈线性，与其他
专门为模拟增益控制设计的装置;然而，它可以
对于粗调整，或在一些闭环自动增益控制系统中使用。
该引脚不应在任何情况下，更高的电压比V
CC
,
也不应该永远是比6.5V高。该引脚也应该有一个
外部UHF旁路电容。
放大器的RF输入。这是一个50Ω的RF输入端口到放大器。它
不包含内部直流阻断，因此应在外部
DC -封锁连接到具有DC存在或任何设备之前，
它包含一个直流接地路径。一系列超高频电容是中建议
荐为直流阻挡。
一样的4脚。
没有内部连接。
没有内部连接。
接口示意图
2
功率放大器
2
VCC3
3
VCC1
4
GND
5
PD
6
在RF
7
8
9
GND
NC
NC
转B3 010720
2-21
RF2105L
针
10
功能
RF OUT
描述
放大器的RF输出。这是最后的一个无与伦比的集电极输出
放大器晶体管。它在内部连接至销10 ，11，13 ，和14
以提供低的串联电感和灵活性的输出匹配。偏见
为最后的功率放大器的输出晶体管，还必须提供
通过2的四个引脚。典型地，销10和11分别连接
要创建一个二次谐波陷阱的网络。对于830MHz操作
化，这个网络是简单地从两个引脚到一个2.4pF电容
地面上。该系列电容与共鸣，在两个内部连接线
倍工作频率，从而有效地短路所述第二har-
首一。短路此谐波的作用是提高了放大器的
最大输出功率和效率，以及降低的程度
的二次谐波输出。典型地，销13和14是从外部
连接非常靠近封装并用作RF输出用
呈现最佳负载阻抗与功率放大器匹配网络
为最大功率和效率，以及提供直流阻挡在
的输出。偏置电感器和并联电阻器的附加的网络
提供DC偏置，并有助于防止高电压的输出
波动是由于严峻的负荷不匹配。分路保护二极管
包括剪辑以上15V峰值电压偏移，以防止电压
故障在最坏的情况下。
同10脚。
一样的4脚。
同10脚。
同10脚。
没有内部连接。
没有内部连接。
这种接触是主要的地面接触的整个设备。关怀
应注意，以确保该接点以及焊接以
防止性能来自于该指示被降解
特定连接的阳离子。
接口示意图
2
功率放大器
11
12
13
14
15
16
PKG
BASE
RF OUT
GND
RF OUT
RF OUT
NC
NC
GND
2-22
转B3 010720
QQ：2881677436 复制
