RF2103P
2
典型应用
数字通信系统
- 便携式电池供电设备
扩频通信系统商业和消费系统
驱动器更高的功率线性应用基站设备
中功率线性放大器
2
功率放大器
产品说明
该RF2103P是一个中等功率线性放大器IC 。该
设备是一种先进的砷化镓制造
异质结双极晶体管（HBT）的过程，并具有
被设计用作最后的线性RF放大器
在450MHz之间运行UHF无线电发射器
为1000MHz 。它也可以被用来作为一个驱动器放大器中
更高功率的应用。该设备是自足
唯一的例外是输出匹配网络，电源
供给进料管线，以及旁路电容，并可以产生
750MW的输出功率电平（CW） 。该设备可以
在3节电池应用中使用。最大CW
在3.6V输出为175MW 。该单元具有的总增益
31分贝，根据输出匹配网络。
0.156
0.148
.018
.014
0.010
0.004
0.347
0.339
0.050
0.252
0.236
0.059
0.057
8 MAX
0 ° MIN
0.0500
0.0164
0.010
0.007
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
ü
砷化镓HBT
的SiGe HBT
封装形式： SOIC -14
砷化镓MESFET
硅CMOS
特点
在450MHz至1000MHz运行
高达750MW CW输出功率
31分贝小信号增益
单2.7V至7.5V电源
47 ％的效率
数控掉电模式
RF IN 1
GND 2
GND 3
PD 4
VCC1 5
VCC2 6
PRE AMP PWR 7
PRE
AMP
FPA
14 RF OUT
13 RF OUT
12 GND
11 GND
10 GND
9 RF OUT
8 RF OUT
BIAS
电路
订购信息
RF2103P
RF2103P PCBA
中功率线性放大器
完全组装的评估板
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
电话：（ 336 ） 664 1233
传真：（ 336 ） 664 0454
http://www.rfmd.com
转B1 010720
2-1
RF2103P
绝对最大额定值
参数
电源电压
掉电电压（V
PD
)
直流电源电流
输入射频功率
输出负载VSWR
工作温度
工作环境温度
储存温度
等级
-0.5到+7.5
-0.5 + 5
350
+12
10:1
-40至+100
-40至+85
-40到+150
单位
V
DC
V
mA
DBM
°C
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
2
功率放大器
参数
整体
频带
最大输出功率
最大输出功率
二次谐波
三次谐波
输出噪声功率
输入阻抗
输入VSWR
输出阻抗
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
T为25 ° C，V
CC
=5.8V, V
PD
=5.0V,
Z
负载
=18, P
IN
=为0dBm ，频率= 915MHz的
450 1000
+28.8
+26.5
-24
-30
<-125
50
<2 ： 1
18+j0
兆赫
DBM
DBM
dBc的
dBc的
dBm / Hz计
V
CC
=7.5V
V
CC
=5.8V
如果没有外部的二次谐波陷阱
标称5.8V
CON组fi guration
线性功率增益
饱和CW输出功率
IM
3
IM
5
集电极电流，I
CC
V
PD
当前
CW总有效率
双色总有效率
24
31
+26.5
-40
-45
175
<3.5
47
26
2.7 7.5
45
1
<100
dB
DBM
dBc的
dBc的
mA
mA
%
%
V
mA
A
ns
与外部匹配网络;看到应用程序
阳离子原理
与外部匹配网络;看到应用程序
阳离子原理
最佳匹配负载阻抗
V
CC
=5.8V, V
PD
= 4.0V ，Z
负载
=18,
P
IN
=为0dBm ，频率= 830MHz
-25
-30
250
P
OUT
=+18.5dBm/tone
P
OUT
=+18.5dBm/tone
总的脚7和8的
到4针
P
OUT
=+18.5dBm/tone
电源
电源电压
电源待机电流
总"OFF"漏电流
开启时间
80
10
V
PD
<0.1V
DC
V
PD
= 0至V
PD
=+4V
DC
2-2
转B1 010720
RF2103P
针
1
2
3
4
功能
在RF
GND
GND
PD
描述
射频输入引脚。有这个引脚之间的内部隔直电容
和前置放大器的输入，而不是之间的引脚和内部为2kΩ
电阻连接到地。
接地连接。为了获得最佳性能，保持身体的痕迹短
和立即连接到地平面。
相同引脚2 。
断电控制电压。当该引脚为0V ，该设备将在
掉电模式下，耗散最小直流电源。当此引脚为
V
CC
（ 3V至6.5V ） ，该设备将在全功率模式下提供马克西
妈妈可用的增益和输出功率能力。该引脚也可
用于执行某种程度的增益控制或功率控制的设置时
为0V和V之间的电压
CC
。它不为这个功能优化，以便
的传递函数是不在宽范围内呈线性，与其他
专门为模拟增益控制设计的装置;然而，它可以
对于粗调整，或在一些闭环自动增益控制系统中使用。
该引脚不应在任何情况下，更高的电压比V
CC
.
该引脚也应该有一个外部旁路电容。
正电源的有源偏置电路。该引脚可以是外部
结合6脚（ VCC2 ）和一对旁路单capac-
itor ，置于尽可能接近到包。额外的旁路
1
F也被推荐，但靠近该包不是作为crit-
iCal中。在大多数应用中，销5 ，图6和7可以共享一个1
F
旁路电容。
相同的引脚5 。
正电源的前置放大器。这是一个无与伦比的晶体管
集电极输出。该引脚应看到一个感性的路径AC地
(V
CC
与旁路电容） 。此电感可以与实现
短，薄的微带线或具有低的值的片式电感（近似
三方共同1.8nH ） 。在较低频率下，电感值应
较大（较长的微带线）和V
CC
应与被旁路
更大的旁路电容。此电感形成一个匹配网络
与两个放大器级之间的内部串联电容器，设定
婷的最大增益放大器的频率。另外一个1μF
与100pF的旁路电容器并联的旁路电容也
推荐的，但该组件的放置是不一样重要。在
大多数应用中，销5 ，图6和7可以共享一个1μF旁路
电容。
同14脚。
同14脚。
相同引脚2 。
相同引脚2 。
相同引脚2 。
同14脚。
接口示意图
2
功率放大器
5
VCC1
6
7
VCC2
前置放大器
PWR
8
9
10
11
12
13
RF OUT
RF OUT
GND
GND
GND
RF OUT
转B1 010720
2-3
RF2103P
针
14
功能
RF OUT
描述
放大器的RF输出。这是最后的一个无与伦比的集电极输出
放大器晶体管。它在内部连接到销8 ，图9，图13和14 ，以
提供低串联电感和灵活性的输出匹配。偏置
还必须设置在末级功率放大输出晶体管
通过2的四个引脚。通常情况下，销8和9分别连接到
一，提供直流偏置，也是网络创建第二har-
首一陷阱。对于915MHz的运行，这个谐波陷阱网络仅仅是
从两个引脚一个为2pF电容到地。该电容器系列
共鸣，在两次操作频内部连接线
昆西，有效地短路的二次谐波。短路这
谐波可以增加放大器的最大输出功率和
效率，以及降低的二次谐波输出的电平。
典型地，销13和14的外部连接非常接近
包和用作RF输出与预匹配网络
货物内的最佳负载阻抗，以PA的最大功率和
效率，以及提供DC阻断在输出上。分流保护
化二极管包括剪辑峰值电压偏移上述近似
三方共同15V以防止最坏的情况下电压击穿。
接口示意图
2
功率放大器
应用原理
6.8 nH的
在RF
12 nH的
22
1
前置放大器
2
3
V
B
V
CC
对于较低频率的
操作：切痕迹
在船上插
电感L4
1
F
100
pF
100 pF的
4
5
6
7
100 pF的
0.01" X 0.2"
（印刷电路板材料： FR-4，
厚度： 0.031" ）
BIAS
电路
11
10
9
L2
8
C2
330 pF的
V
CC
FPA
14
C1
13
12
对于较低频率的
操作：切痕迹
在船上插
电感L3
L1
RF OUT
频率（ MHz）的L 1 （ nH的）
275
480
915
20
12
6.8
L2 （ NH）
15
6.8
3.3
L3 （ NH）
10
4.7
L4 （ NH）
20
18
C 1 （ pF）的
20
12
4
C 2 （ pF）的
10
6.8
2
2-4
转B1 010720
QQ：2880707522 复制
