RFG60P03 ， RFP60P03 ， RF1S60P03SM
数据表
1999年7月
网络文件编号
3951.3
60A ， 30V ， 0.027欧姆， P沟道功率
MOSFET的
这些P沟道功率MOSFET采用制造
在MegaFET过程。这个过程中，它使用特征
尺寸接近LSI的集成电路提供
硅的最佳利用，造成优秀
性能。它们被设计为在应用程序中使用
如开关稳压器，开关转换器，电机
驱动器和继电器驱动器。这些晶体管可以被操作
直接从集成电路。
以前发育类型TA49045 。
特点
60A ， 30V
r
DS （ ON）
= 0.027
温度补偿PSPICE
模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
175
o
C的工作温度
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
RFG60P03
RFP60P03
RF1S60P03SM
包
TO-247
TO-220AB
TO-263AB
BRAND
RFG60P03
RFP60P03
F1S60P03
符号
D
G
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A至
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，即RF1S60P03SM9A 。
S
包装
JEDEC风格-247
来源
漏
门
漏
（底部
侧的金属）
JEDEC TO- 220AB
漏
（法兰）
来源
漏
门
JEDEC TO- 263AB
漏
（法兰）
门
来源
4-140
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
于PSpice的是MicroSim公司的注册商标。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
RFG60P03 ， RFP60P03 ， RF1S60P03SM
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
单位
V
V
V
A
RFG60P03 ， RFP60P03 ， RFS60P03SM
-30
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DSS
漏极至栅极电压（R
gs
= 20k)
（注
1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
DGR
-30
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
GS
连续漏电流（图2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
单脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
最大功率耗散（图1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
±20
60
是指峰值电流曲线
图6
176
1.17
-55至175
300
260
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(-10)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
（图3）
TO- 220AB ， TO- 263AB
TO-247
V
GS
= 0 -20V
V
GS
= 0至-10V
V
GS
= 0到-2V
V
DD
= -24V ，我
D
≈
60A,
R
L
= 0.4
I
G（ REF ）
= -3mA
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V （图11）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA （图10）
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, T
C
= 150
o
C
V
GS
=
±20V
I
D
= 60A ，V
GS
= 10V
V
DD
= 15V ，我
D
≈
60A ，R
L
= 0.25,
V
GS
= -10V ，R
G
= 2.5,
（图13）
民
-30
-2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
20
75
35
40
-
190
100
7.5
3000
1500
525
-
-
-
最大
-
-4
-1
-50
±100
0.027
140
-
-
-
-
115
230
120
9
-
-
-
0.85
62
30
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
（图12）
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压（注2 ）
二极管的反向恢复时间
注意：
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ）
符号
V
SD
t
rr
测试条件
I
SD
= -60A
I
SD
= -60A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
民
-
-
典型值
-
-
最大
-1.75
200
单位
V
ns
4-141
RFG60P03 ， RFP60P03 ， RF1S60P03SM
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
I
D
，漏电流（ A）
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
除非另有规定编
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
1
Z
θ
JC ，
归
热阻抗
0.5
P
DM
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
注意事项：
t
1
t
2
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θ
JC
个R
θ
JC
+ T
C
10
-3
10
-2
10
-1
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
0
10
1
0.01
10
-5
10
-4
图3.归一化最大瞬态热阻抗
-500
100s
I
D
，漏电流（ A）
-100
1ms
I
DM
峰值电流（ A）
-10
3
T
C
= 25
o
C
当温度高于25
o
C
减额峰值电流
能力的方法如下：
175
–
T C
I = I 25
-----------------------
-
150
V
GS
= -20V
10ms
-10
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
T
C
= 25
o
C
T
J
=最大额定
-1
-1
100ms
DC
V
GS
= -10V
-10
2
跨
可能限流
在这个区域
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
T，脉冲宽度（毫秒）
10
0
10
1
-10
V
DS
，漏源极电压（ V）
-60
-50
图4.正向偏置安全工作区
图5.峰值电流容量
4-142
RFG60P03 ， RFP60P03 ， RF1S60P03SM
典型性能曲线
-200
I
AS
，雪崩电流（ A）
起始物为
J
= 25
o
C
I
D
，漏电流（ A）
-100
-90
除非另有规定编
（续）
-120
V
GS
= -20V
V
GS
= -10V
V
GS
= -8V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
T
C
= 25
o
C
V
GS
= -7V
-30
V
GS
= -4.5V
0
0.1
1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
10
0
-1.5
-3.0
-4.5
-6.0
-7.5
V
DS
，漏源极电压（ V）
V
GS
= -6V
V
GS
= -5V
起始物为
J
= 150
o
C
-60
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3RATED BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
) + 1]
-10
0.01
注：请参阅Intersil的应用笔记AN9321和AN9322 。
图6.松开电感式开关
图7.饱和特性
I
DS （ ON）
，漏源电流（A）
-120
25
o
C
归一漏极至源极
抗性
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= -15V
-55
o
C
2
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 1.5V ，我
D
= 60A
-90
175
o
C
-60
1.5
1
-30
0.5
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
V
GS
，门源电压（ V）
T
J
，结温（
o
C)
图8.传热特性
图9.归一漏极至源极ON
电阻与结温
2
归一漏极至源极
击穿电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
2
I
D
= 250A
1.5
1.5
1
1
0.5
0.5
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
T
J
，结温（
o
C)
图10.归一化栅极阈值电压Vs
结温
图11.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
4-143
RFG60P03 ， RFP60P03 ， RF1S60P03SM
典型性能曲线
5000
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GS
除非另有规定编
（续）
-30
V
DS
，漏源极电压（ V）
V
DD
= BV
DSS
-22.5
R
L
= 0.5
I
G（ REF ）
= -3mA
V
GS
= -10V
0.75 BV
DSS
0.75 BV
0.50 BV
DSS
-7.5
0.25 BV
DSS
V
DD
= BV
DSS
-7.5
-10
V
GS
，门源电压（ V）
4000
C，电容（pF ）
C
国际空间站
3000
C
OSS
2000
-15
-5.0
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
-2.5
1000
C
RSS
0
0
-5
-10
-15
-20
-25
V
DS
，漏源极电压（ V）
0
20
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
T，时间（μs ）
80
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
0
注：请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260 。
图12.电容VS漏源极电压
图13.归一化开关波形
恒定的栅极电流
测试电路和波形
V
DS
t
AV
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
R
G
0
-
+
V
DD
V
DD
0V
V
GS
DUT
t
P
I
AS
0.01
I
AS
t
P
BV
DSS
V
DS
图14.松开能源利用检测电路
图15.松开能源波形
t
ON
t
D（上）
V
DS
R
L
V
GS
0
t
r
10%
t
关闭
t
D（关闭）
t
f
10%
-
V
DD
V
GS
R
GS
+
V
DS
V
GS
0
90%
90%
DUT
10%
50%
脉冲宽度
90%
50%
图16.开关时间测试电路
图17.电阻开关波形
4-144
性S E M I C 0 N D ü （C T）
RFG60P03 ， RFP60P03 ，
RF1S60P03 ， RF1S60P03SM
60A ， 30V ，额定雪崩， P沟道
增强型功率MOSFET
套餐
JEDEC风格-247
来源
漏
门
1995年12月
特点
60A ， 30V
r
DS （ ON）
= 0.027
温度补偿
PSPICE模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
+175
o
C的工作温度
漏
（底部
侧的金属）
描述
该
RFG60P03,
RFP60P03,
RF1S60P03
和
RF1S60P03SM P沟道功率MOSFET的制造
捕获的原始图像采用MegaFET过程。这个过程中，它使用
特征尺寸接近LSI集成电路
给出了硅的最佳利用，造成优秀
性能。它们被设计为在应用程序中使用
如开关稳压器，开关转换器，电机
驱动器和继电器驱动器。这些晶体管可以被操作
直接从集成电路。
包装可用性
产品型号
RFG60P03
RFP60P03
RF1S60P03
RF1S60P03SM
包
TO-247
TO-220AB
TO-262AA
TO-263AB
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏
（法兰）
BRAND
RFG60P03
RFP60P03
F1S60P03
F1S60P03
漏
（法兰）
A
JEDEC TO- 262AA
来源
漏
门
注：订货时请使用整个零件编号。
以前发育类型TA49045 。
符号
D
JEDEC TO- 263AB
M
A
A
G
门
来源
S
漏
（法兰）
绝对最大额定值
T
C
= +25
o
C
RFG60P03 ， RFP60P03 ，
RF1S60P03 ， RFS60P03SM
-30
-30
±20
60
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
176
1.17
-55到+175
单位
V
V
V
A
漏源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏栅极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
RMS连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
单脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .E
AS
功耗
T
C
= +25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
T
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
J
, T
英镑
W
W/
o
C
o
C
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。
版权
哈里斯公司1995年
网络文件编号
3951.1
4-51
特定网络阳离子RFG60P03 ， RFP60P03 ， RF1S60P03 ， RF1S60P03SM
电气连接特定的阳离子
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
T
C
= +25
o
C，除非另有规定ED 。
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
= -30V,
V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V
I
D
= 60A ，V
GS
= -10V
V
DD
= -15V ，我
D
= 60A
R
L
= 0.25, V
GS
= -10V
R
GS
= 2.5
T
C
= +25
o
C
T
C
= +150
o
C
民
-30
-2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0 -20V
V
GS
= 0至-10V
V
GS
= 0到-2V
V
DS
= -25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
V
DD
= -24V,
I
D
= 60A,
R
L
= 0.4
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
20
75
35
40
-
190
100
7.5
3000
1500
525
-
-
最大
-
-4
-1
-50
100
0.027
140
-
-
-
-
115
230
120
9
-
-
-
0.85
80
o
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
C / W
栅极 - 源极漏电流
抗性
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
G(-10)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
o
C / W
源极 - 漏极二极管额定值和特异性阳离子
参数
正向电压
反向恢复时间
符号
V
SD
t
RR
测试条件
I
SD
= -60A
I
SD
= -60A ，二
SD
/ DT = -100A / μs的
民
-
-
典型值
-
-
最大
-1.75
200
单位
V
ns
4-52
RFG60P03 ， RFP60P03 ， RF1S60P03 ， RF1S60P03SM
典型性能曲线
T
C
= +25
o
C
10
-500
I
D
，漏电流（ A）
-100
1ms
热响应
100s
Z
θ
JC ，
归
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
10ms
-10
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
-1
-1
100ms
DC
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θ
JC
+ T
C
10
-2
10
-1
10
0
10
1
V
DSS
MAX = -30V
-60
0.01
10
-5
单脉冲
10
-4
10
-3
-10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图1.安全工作区曲线
图2.归一化最大瞬态热
阻抗
-70
I
DM
，峰值电流容量（ A）
-10
3
-60
I
D
，漏电流（ A）
-50
-40
-30
-20
-10
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
T
C
= +25
o
C
当温度高于25
o
C
减额峰值电流
能力的方法如下：
V
GS
= -20V
I = I
175
–
T
C
-
25
-----------------------
150
V
GS
= -10V
-10
2
跨
可能限流
在这个区域
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
T，脉冲宽度（毫秒）
10
0
10
1
-50
图3.最大连续漏极电流VS
温度
图4.峰值电流容量
I
D（上）
，ON状态下的漏电流（A）
脉冲宽度= 250μs的，T
C
= +25
o
C
-120
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= -20V
V
GS
= -10V
V
GS
= -8V
V
DD
= -15V
-120
脉冲测试
脉冲宽度= 250μs的
占空比= 0.5 ％ MAX
-55
o
C
+25
o
C
-90
-90
+175
o
C
-60
-60
V
GS
= -7V
-30
V
GS
= -4.5V
0
0.0
-1.5
-3.0
-4.5
V
GS
= -6V
V
GS
= -5V
-6.0
-7.5
-30
0
0.0
-2.0
-4.0
-6.0
-8.0
-10.0
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图5.典型的饱和特性
图6.典型的传输特性
4-53
RFG60P03 ， RFP60P03 ， RF1S60P03 ， RF1S60P03SM
典型性能曲线
（续）
脉冲宽度= 250μs的，V
GS
= -10V ，我
D
= -60A
r
DS （ ON）
，归一化的导通电阻
2.0
V
GS （ TH）
归一化门
阈值电压
2.0
V
GS
= V
DS
, I
D
= - 250A
1.5
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0.0
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
200
0.0
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
200
图7.归
DS （ ON）
VS结
温度
I
D
= -250A
图8.归栅极阈值电压Vs
温度
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
25
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（
o
C)
150
175
BV
DSS
归一化漏 - 源
击穿电压
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-80
-40
0
40
80
120
(
o
C)
160
200
T
J
，结温
图9.归一漏源击穿
电压与温度
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DS
，漏源电压（V ）
5000
图10.归开关波形
-30.0
V
DD
= BV
DSS
-22.5
R
L
= 0.5
I
G（ REF ）
= -3mA
V
GS
= -10V
0.75 BV
DSS
0.75 BV
0.50 BV
DSS
-7.5
0.25 BV
DSS
V
DD
= BV
DSS
-10.0
V
GS
，栅源电压（V ）
C，电容（pF ）
4000
C
国际空间站
3000
C
OSS
2000
C
RSS
-7.5
-15.0
-5.0
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
-2.5
1000
0
0
-5
-10
-15
-20
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-25
0.0
20
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
T，时间（μs ）
80
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
0.0
图11.典型电容VS电压
图12.归一化开关波形
恒定的栅极电流。 REFER TO
应用笔记AN7254和AN7260
4-54
RFG60P03 ， RFP60P03 ， RF1S60P03 ， RF1S60P03SM
典型性能曲线
-200
I
AS
，雪崩电流（ A）
起始物为
J
= +25
o
C
-100
（续）
起始物为
J
= +150
o
C
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3RATED BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
) + 1]
-10
0.01
0.1
1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
10
图13.非钳位感应开关
测试电路和波形
V
DS
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
0V
t
P
V
GS
I
AS
R
G
DUT
t
P
BV
DSS
V
DS
V
DD
-
V
DD
+
I
L
0.01
t
AV
图14.松开能源利用检测电路
图15.松开能源波形
t
ON
V
DD
t
D（上）
t
R
R
L
V
DS
90%
DUT
V
GS
10%
V
GS
R
GS
50%
脉冲宽度
V
DS
10%
t
关闭
t
D（关闭）
t
F
10%
0V
90%
50%
90%
图16.电阻开关测试电路
图17.电阻开关波形
4-55
QQ：2880707522 复制
