RF1S530SM
数据表
2001年2月
网络文件编号
1575.8
14A ， 100V ， 0.160 Ohm的N通道功率
MOSFET的
[ /标题
(RF1S
530SM
)
/子
拍摄对象
(14A,
100V,
0.160
欧姆，
N-
信
NEL
动力
MOSFET导
场效应管）
/ Autho
r ()
/密钥 -
WORDS
(14A,
100V,
0.160
欧姆，
N-
信
NEL
动力
MOSFET导
场效应管，
之间
SIL
Corpo-
比，
TO -
263AB
)
/ Cre-
员（ ）
这些都是N沟道增强型硅栅
电源连接的场效晶体管。他们是高级电源
的MOSFET设计，测试并保证能经受
能在雪崩击穿特定模式网络版水平
的操作。所有这些功率MOSFET设计用于
应用，如开关稳压器，开关
变流器，电机驱动器，继电器驱动器，驱动器和高
功率双极开关需要高速的晶体管和
低栅极驱动电源。这些类型可以直接操作
从集成电路。
以前发育类型TA17411 。
特点
14A ， 100V
r
DS （ ON）
= 0.160
单脉冲能量额定雪崩
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
RF1S530SM
包
TO-263AB
BRAND
RF1S530
符号
D
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，也就是说，
RF1S530SM9A.
G
S
包装
JEDEC TO- 263AB
门
来源
漏
（法兰）
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RF1S530SM
100
100
14
10
56
±
20
79
0.53
69
-55至175
300
260
单位
V
V
A
A
A
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
o
C
漏极至源极击穿电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20k
)
（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
T
C
= 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
D
耗散降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
单脉冲雪崩能量额定值（注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .E
AS
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J,
T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
2001仙童半导体公司
RF1S530SM版本A
RF1S530SM
电气连接特定的阳离子
参数
漏源击穿电压
门至门限电压
零栅极电压漏极电流
通态漏电流（注2 ）
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
正向跨导（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（门源+栅漏）
门源费
栅漏“米勒”充电
输入电容
输出电容
反向传输电容
内部排水电感
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
D（上）
I
GSS
r
DS （ ON）
政府飞行服务队
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
L
D
测量从
联系方式拧紧Tab键切换到
的模具中心
测量从排水
铅的6mm （ 0.25英寸） ，从
包装以模具中心
内部源极电感
L
S
从源测量
铅的6mm （ 0.25英寸） ，从
头源极连接
PAD
修改MOSFET
符号显示的
内部设备
电感
D
L
D
测试条件
I
D
= 250
A，V
GS
= 0V （图10）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
A
V
DS
= 95V, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V ，T
J
= 150
o
C
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON） MAX
, V
GS
= 10V
V
GS
=
±
20V
I
D
= 8.3A ，V
GS
= 10V （图8,9 ）
V
DS
≥
50V ，我
D
= 8.3A （图12）
V
DD
= 50V ，我
D
≈
14A ，R
G
≈
12
, R
L
= 3.4
MOSFET开关时间基本上是
独立工作温度
民
100
2
-
-
14
-
-
5.1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
0.14
7.6
12
35
25
25
18
4
7
600
250
50
3.5
最大
-
4.0
25
250
-
±
500
0.16
-
15
65
70
59
30
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
A
A
A
nA
S
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
nH
V
GS
= 10V ，我
D
= 14A ，V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
I
G（ REF ）
= 1.5毫安（图14）
栅极电荷基本上是独立的
工作温度
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V中，f = 1MHz的（图11）
-
4.5
-
nH
-
G
L
S
S
7.5
-
nH
热阻结到外壳
热阻结到
环境
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
自由空气操作
RF1S540SM安装在FR- 4板，带
最小安装垫
测试条件
修改MOSFET符号
显示积分
反向P- N结
二极管
G
D
-
-
-
-
-
-
1.9
62.5
62
o
C / W
o
C / W
o
C / W
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
连续源极到漏极电流
脉冲源极到漏极电流（注2 ）
符号
I
SD
I
SDM
民
-
-
典型值
-
-
最大
14
56
单位
A
A
S
源极到漏极二极管电压（注2 ）
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
V
SD
t
rr
Q
RR
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 14A ，V
GS
= 0V （图13）
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 14A ，二
SD
/ DT = 100A /
s
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 14A ，二
SD
/ DT = 100A /
s
-
5.5
0.17
-
120
0.6
2.5
250
1.3
V
ns
C
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
S，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ） 。
4. V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25
o
C，L = 530
H，R
G
= 25Ω ，峰值I
AS
= 14A （图15 ，16） 。
2001仙童半导体公司
RF1S530SM版本A
QQ：2880707522 复制
