RFP45N06LE ， RF1S45N06LESM
数据表
1999年10月
网络文件编号
4076.2
45A ， 60V ， 0.028欧姆，逻辑电平
N沟道功率MOSFET
这些是N沟道增强型功率MOSFET
采用最新的制造工序制造
技术。该方法中，其中使用特征尺寸
接近LSI电路，给出了最佳利用
硅，保证了出色的性能。他们是
在应用中，如开关，设计用于
稳压器，开关转换器，电机驱动器和继电器
驱动程序。这些晶体管可以直接从被操作
集成电路。
以前发育类型TA49177 。
特点
45A ， 60V
r
DS （ ON）
= 0.028
温度补偿PSPICE
模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
175
o
C的工作温度
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
RFP45N06LE
RF1S45N06LESM
包
TO-220AB
TO-263AB
BRAND
FP45N06L
F45N06LE
符号
D
G
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A至
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴即RF1S45N06LESM9A 。
S
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏极（法兰）
门
来源
漏
（法兰）
JEDEC TO- 263AB
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
于PSpice的是MicroSim公司的注册商标。
1-888- INTERSIL或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999 。
RFP45N06LE ， RF1S45N06LESM
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFP45N06LE ， RF1S45N06LESM
60
60
±10
45
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
142
0.95
-55至175
300
260
单位
V
V
V
A
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
的TO-220和TO- 263
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 48V,
I
D
= 45A,
R
L
= 1.07
（图20,21 ）
测试条件
I
D
= 250
A，V
GS
= 0V （图13）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
A（图12）
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V ，T
C
= 150
o
C
V
GS
=
±10V
I
D
= 45A ，V
GS
= 5V （图11）
V
DD
= 30V ，我
D
= 45A ，R
L
= 0.67,
V
GS
= 5V ，R
GS
= 2.5
（图10 ，18， 19）的
民
60
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
20
150
55
90
-
107
58
2.4
2150
640
240
-
-
最大
-
3
1
250
10
0.028
215
-
-
-
-
185
135
75
3.0
-
-
-
1.05
80
单位
V
V
A
A
A
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
（图14）
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
二极管的反向恢复时间
注意事项：
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
为80μs ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ） 。
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 45A
I
SD
= 45A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
155
单位
V
ns
2
RFP45N06LE ， RF1S45N06LESM
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
除非另有规定编
50
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I
D
，漏电流（ A）
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（
o
C)
150
175
0
25
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（
o
C)
150
175
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
2
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
单脉冲
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θ
JC
个R
θ
JC
+ T
C
10
-3
10
-2
10
-1
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
0
10
1
Z
θ
JC
归一化
热阻抗
0.01
10
-5
10
-4
图3.归一化最大瞬态热阻抗
500
I
DM
，峰值电流容量（ A）
T
C
= 25
o
C
T
J
=最大额定
500
V
GS
= 10V
T
C
= 25
o
C
I
D
，漏电流（ A）
100
100s
V
GS
= 5V
100
1ms
10
10ms
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
1
1
10
100
V
DS
，漏源极电压（ V）
200
热阻抗
可能限流
在这个区域
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I
=
I
25
10
10
-5
175 - T
C
150
10
0
10
1
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
T，脉冲宽度（ S）
图4.正向偏置安全工作区
图5.峰值电流容量
3
RFP45N06LE ， RF1S45N06LESM
典型性能曲线
200
I
AS
，雪崩电流（ A）
100
I
D
，漏电流（ A）
80
除非另有规定编
（续）
100
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
V
GS
= 4V
起始物为
J
= 25
o
C
10
起始物为
J
= 150
o
C
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
0.1
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
100
60
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
T
C
= 25
o
C
V
GS
= 3.5V
40
V
GS
= 3V
20
V
GS
= 2.5V
0
1
0.01
0
1.5
3.0
4.5
V
DS
，漏源极电压（ V）
6.0
注：请参阅Intersil的应用笔记AN9321和AN9322 。
图6.松开电感式开关
图7.饱和特性
I
DS （ ON）
，漏源电流（A）
100
V
DD
= 15V
80
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
-55
o
C
25
o
C
r
DS （ ON）
，漏极到源极
80
I
D
= 45A
ON电阻（mΩ ）
60
I
D
= 11.25A
40
I
D
= 22.5A
20
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
0
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
I
D
= 90A
175
o
C
60
40
20
0
0
1.5
3.0
4.5
V
GS
，门源电压（ V）
6.0
V
GS
，门源电压（ V）
图8.传热特性
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
600
V
DD
= 30V ，我
D
= 45A ，R
L
= 0.67
500
切换时间（纳秒）
t
D（关闭）
400
t
f
300
200
100
0
0
10
20
30
40
50
R
GS
，门源电阻（ Ω ）
t
D（上）
归一化导通电阻
t
r
2.5
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 5V ，我
D
= 45A
2.0
1.5
1.0
0.5
-80
-40
0
40
80
120
T
J
，结温（
o
C)
160
200
图10.开关时间与栅极电阻
图11.归一漏极至源极ON
电阻与结温
4
RFP45N06LE ， RF1S45N06LESM
典型性能曲线
1.2
除非另有规定编
（续）
1.2
I
D
= 250A
归一漏极至源极
击穿电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
1.0
1.1
0.8
1.0
0.6
0.9
0.4
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
200
0.8
-80
-40
0
40
80
120
160
o
C)
T
J
，结温（
200
图12.归一化栅极阈值电压Vs
结温
3000
2500
C，电容（pF ）
C
国际空间站
2000
1500
1000
C
OSS
500
0
C
RSS
0
5
10
15
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
25
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
图13.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
60
V
DS
，漏源极电压（ V）
V
DD
= BV
DSS
45
R
L
= 1.3
I
G（ REF ）
= 1.3毫安
V
GS
= 5V
30
高原电压，
降序排列：
V
DD
= BV
DSS
V
DD
= 0.75 BV
DSS
V
DD
= 0.50 BV
DSS
V
DD
= 0.25 BV
DSS
2.50
V
DD
= BV
DSS
3.75
5.00
V
GS
，门源电压（ V）
15
1.25
0
-
20
---------------------
I
G
(
法案
)
I G
(
REF
)
T，时间（μs ）
-
80
---------------------
I G
(
法案
)
I G
(
REF
)
0
注：请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260 。
图14.电容VS漏源极电压
图15.归一化开关波形
恒定的栅极电流
测试电路和波形
V
DS
BV
DSS
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
R
G
-
I
AS
V
DD
t
P
V
DS
V
DD
+
0V
I
AS
0.01
0
t
AV
图16.松开能源利用检测电路
图17.松开能源波形
5
QQ：2881677436 复制
