性S E M I C 0 N D ü （C T）
RFG45N06 ， RFP45N06 ，
RF1S45N06 ， RF1S45N06SM
45A ， 60V ，额定雪崩N沟道
增强型功率MOSFET
套餐
JEDEC风格-247
来源
漏
门
漏
（底部
侧的金属）
1995年12月
特点
45A ， 60V
r
DS （ ON）
= 0.028
温度补偿
PSPICE模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
+175
o
C的工作温度
描述
该RFG45N06 ， RFP45N06 ， RF1S45N06 ， RF1S45N06SM
N沟道功率MOSFET所使用的制
MegaFET过程。该方法中，其中使用特征尺寸
接近LSI集成电路给出最佳
利用硅，保证了出色的性能。
它们被设计用于的应用，如开关
荷兰国际集团稳压器，开关转换器，电机驱动器，继电器
驱动器和发射极开关，用于双极型晶体管。这些
晶体管可以直接从集成电路来操作。
包装可用性
产品型号
RFG45N06
RFP45N06
RF1S45N06
RF1S45N06SM
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏
（法兰）
包
TO-247
TO-220AB
TO-262AA
TO-263AB
BRAND
RFG45N06
RFP45N06
F1S45N06
F1S45N06
漏
（法兰）
JEDEC TO- 262AA
来源
漏
门
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF网络连接X， 9A ，
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，即
RF1S45N06SM9A.
以前发育类型TA49028 。
JEDEC TO- 263AB
M
A
符号
G
D
A
A
漏
（法兰）
门
来源
S
绝对最大额定值
T
C
= +25
o
C
RFG45N06 ， RFP45N06
RF1S45N06 ， RF1S45N06SM
60
60
±20
45
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
125
131
0.877
-55到+175
单位
V
V
V
A
漏源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏栅极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
RMS连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
最大雪崩电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
AM
功耗
T
C
= +25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
T
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
英镑
, T
J
A
W
W/
o
C
o
C
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。
版权
哈里斯公司1995年
网络文件编号
3574.2
3-33
特定网络阳离子RFG45N06 ， RFP45N06 ， RF1S45N06 ， RF1S45N06SM
电气连接特定的阳离子
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
T
C
= +25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
= 60V,
V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V
I
D
= 45A ，V
GS
= 10V
V
DD
= 30V ，我
D
= 45A
R
L
= 0.667, V
GS
= +10V
R
GS
= 3.6
T
C
= +25
o
C
T
C
= +150
o
C
民
60
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0到20V
V
GS
= 0至10V
V
GS
= 0 2V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
V
DD
= 48V,
I
D
= 45A,
R
L
= 1.07
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
12
74
37
16
-
125
67
3.7
2050
600
200
-
-
最大
-
4
1
50
100
0.028
120
-
-
-
-
80
150
80
4.5
-
-
-
1.14
80
o
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
C / W
栅极 - 源极漏电流
抗性
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
G(10)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
o
C / W
源极 - 漏极二极管特定网络阳离子
参数
正向电压
反向恢复时间
符号
V
SD
t
RR
测试条件
I
SD
= 45A
I
SD
= 45A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
125
单位
V
ns
3-34
RFG45N06 ， RFP45N06 ， RF1S45N06 ， RF1S45N06SM
典型性能曲线
400
T
C
= +25
o
C
10
I
D
，漏电流（ A）
100
100s
1ms
10
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
1
1
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
100
10ms
100ms
DC
Z
θ
JC
归一化
热响应
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θ
JC
+ T
C
10
-2
10
-1
10
0
10
1
P
DM
V
DSS
MAX = 60V
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-5
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图1，并且采取措施经营面积曲线
图2.归一化最大瞬态热
阻抗
50
I
DM
，峰值电流容量（ A）
10
3
T
C
= +25
o
C
当温度高于25
o
C
减额峰值电流
能力的方法如下：
V
GS
= 20V
I = I
175
–
T
C
-
25
-----------------------
150
I
D
，漏电流（ A）
40
30
20
V
GS
= 10V
10
2
跨
可能限流
在这个区域
40
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
T，脉冲宽度（毫秒）
10
3
10
4
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图3.最大连续漏极电流VS
温度
图4.峰值电流容量
I
D（上）
，ON状态下的漏电流（A）
125
V
GS
= 10V
I
D
，漏电流（ A）
100
脉冲宽度= 250μs的，T
C
= +25
o
C
V
GS
= 8V
V
GS
= 7V
125
脉冲测试
脉冲宽度= 250μs的
占空比= 0.5 ％ MAX
-55
o
C
V
DD
= 15V
+25
o
C
100
+175
o
C
75
75
50
V
GS
= 6V
V
GS
= 5V
V
GS
= 4.5V
50
25
25
0
0.0
1.5
3.0
4.5
6.0
V
DS ，
漏极至源极电压（ V）
7.5
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图5.典型的饱和特性
图6.典型的传输特性
3-35
RFG45N06 ， RFP45N06 ， RF1S45N06 ， RF1S45N06SM
典型性能曲线
r
DS （ ON）
，归一化的导通电阻
（续）
2.5
脉冲宽度= 250μs的，V
GS
= 10V ，我
D
= 45A
V
GS （ TH）
归一化门
阈值电压
2.0
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
2.0
1.5
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0.0
-80
-40
0
40
80
120
o
160
200
0.0
-80
-40
0
40
80
120
o
160
200
T
J,
结温（ C）
T
J,
结温（ C）
图7.归
DS （ ON）
VS结
温度
I
D
= 250A
图8.归栅极阈值电压Vs
温度
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
BV
DSS ，
归一化漏 - 源
2.0
击穿电压
1.5
1.0
0.5
0.0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J,
结温（
o
C)
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图9.归一漏源击穿
电压与温度
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
图10.归功耗与
温度降额曲线
60
V
DS ，
漏源极电压（ V）
V
DD
= BV
DSS
45
V
DD
= BV
DSS
7.5
10
V
GS ，
栅源电压（ V）
4000
C，电容（pF ）
3000
C
国际空间站
2000
C
OSS
1000
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
30
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
5.0
15
2.5
R
L
= 1.33
I
G（ REF ）
= 1.5毫安
V
GS
= 10V
0
20
0
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
T，时间（μs ）
80
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
图11.典型电容VS电压
图12.归一化开关波形
恒定的栅极电流。 REFER TO
应用笔记AN7254和AN7260
3-36
RFG45N06 ， RFP45N06 ， RF1S45N06 ， RF1S45N06SM
典型性能曲线
300
I
如，
雪崩电流（ A）
（续）
100
起始物为
J
= +25
o
C
10
起始物为
J
= +150
o
C
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
)
1
0.01
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
) + 1]
0.1
1
10
t
AV，
一次雪崩（毫秒）
图13.非钳位感应开关
测试电路和波形
BV
DSS
t
P
I
AS
V
DS
V
DD
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
R
G
V
DS
L
+
-
V
DD
DUT
0V
t
AV
t
P
I
L
0.01
图14.松开能源波形
图15.松开能源利用检测电路
t
ON
t
D（上）
t
R
V
DS
90%
t
关闭
t
D（关闭）
t
F
90%
V
DD
R
L
V
DS
V
GS
10%
10%
0V
90%
R
GS
DUT
V
GS
10%
50%
脉冲宽度
50%
图16.电阻开关波形
图17.电阻开关测试电路
3-37
QQ：2881677436 复制
