半导体
RFP45N03L,
RF1S45N03L ， RF1S45N03LSM
45A ， 30V ， 0.022欧姆，
逻辑电平，N沟道功率MOSFET
描述
这些是N沟道功率MOSFET，采用制造
在MegaFET过程。这个过程中，它使用特征
尺寸接近LSI电路，给出了最佳的工具程序
矩阵特殊积硅，保证了出色的性能。他们
被设计用于在诸如开关稳压
ulators ，开关转换器，电机驱动器和继电器驱动器。
这些晶体管可以直接从集成操作
电路。
以前发育类型TA49030 。
1998年9月
特点
45A ， 30V
r
DS （ ON）
= 0.022
温度补偿
PSPICE模型
可以直接从CMOS ， NMOS和TTL驱动
电路
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
175
o
C的工作温度
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
[ /标题
(RFP45
N03L,
RF1S45
N03L,
RF1S45
N03LS
M)
/主题
(45A,
30V,
0.022
欧姆，
符号
D
订购信息
产品型号
RFP45N03L
RF1S45N03L
RF1S45N03LSM
包
TO-220AB
TO-262AA
TO-263AB
BRAND
FP45N03L
F45N03L
F45N03L
S
G
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A ，以
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，例如， RF1S45N03LSM9A 。
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏极（法兰）
漏
（法兰）
JEDEC TO- 262AA
来源
漏
门
JEDEC TO- 263AB
漏
（法兰）
门
来源
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。
版权
1998年哈里斯公司
网络文件编号
4005.2
7-1
RFP45N03L ， RF1S45N03L ， RF1S45N03LSM
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFP45N03L ， RF1S45N03L ，
RF1S45N03LSM
30
30
±10
45
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
90
0.606
-55至175
300
260
单位
V
V
V
A
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压
GS
= 20kΩ时（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .E
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
D
减免上述25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息的案件从10秒0.063in （ 1.6毫米） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 150
o
C
V
GS
=
±10V
I
D
= 45A ，V
GS
= 5V （图11中
V
DD
= 15V ，我
D
= 45A ，R
L
= 0.33,
V
GS
= 5V ，R
GS
= 5
（图15 ， 18 ， 19 ）
民
30
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 24V ，我
D
= 45A,
R
L
= 0.533
I
G（ REF ）
- 0.6毫安
（图20,21 ）
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
15
160
20
20
-
50
30
1.5
1650
575
200
-
-
最大
-
2
25
250
±100
0.022
260
-
-
-
-
60
60
36
1.8
-
-
-
1.65
80
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
门至门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
（图14）
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
二极管的反向恢复时间
注意事项：
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ） 。
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 45A
I
SD
= 45A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
125
单位
V
ns
7-2
RFP45N03L ， RF1S45N03L ， RF1S45N03LSM
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（
o
C)
150
175
I
D
，漏电流（ A）
除非另有规定编
50
40
30
20
10
0
25
50
125
T
C
，外壳温度（
o
C)
75
100
150
175
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
2
1
热阻抗
Z
θ
JC
归一化
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θ
JC
个R
θ
JC
+ T
C
10
0
10
1
P
DM
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图3.归一化最大瞬态热阻抗
500
I
DM
，峰值电流容量（ A）
T
C
= 25
o
C，T
J
=最大额定
500
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
100
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I
I
D
，漏电流（ A）
100
100s
=
I
25
175 - T
C
150
1ms
10
10ms
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
100ms
DC
跨
可能限流
在这个区域
T
C
= 25
o
C
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
T，脉冲宽度（ S）
10
0
10
1
50
图4.正向偏置安全工作区
图5.峰值电流容量
7-3
RFP45N03L ， RF1S45N03L ， RF1S45N03LSM
典型性能曲线
200
I
AS
，雪崩电流（ A）
100
I
D
，漏电流（ A）
起始物为
J
= 25
o
C
75
V
GS
= 4.5V
除非另有规定编
（续）
100
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
10
起始物为
J
= 150
o
C
50
V
GS
= 4V
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
-V
DD
) +1]
1
0.001
0.01
0.1
1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
10
100
25
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 3V
0
脉冲宽度= 250μs的，T
C
= 25
o
C
0
4
1
2
3
V
DS
，漏源极电压（ V）
5
注：请参阅哈里斯应用笔记AN9321和AN9322 。
图6.松开电感式开关
图7.饱和特性
I
DS （ ON）
，漏源电流（A）
100
V
DD
= 15V
175
o
C
r
DS （ ON）
，通态电阻（mΩ ）
-55
o
C
100
75
25
o
C
50
75
I
D
= 15A
50
I
D
= 30A
I
D
= 45A
I
D
= 2A
25
25
脉冲测试
脉冲宽度= 250μs的
占空比= 0.5 ％ MAX
0
0
1.5
3.0
4.5
6.0
V
GS
，门源电压（ V）
7.5
脉冲宽度= 250μs的
0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
GS
，门源电压（ V）
图8.传热特性
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
350
V
DD
= 15V ，我
D
= 45A ，R
L
= 0.333
300
t
r
切换时间（纳秒）
250
200
150
t
f
100
t
D（关闭）
50
t
D（上）
0
0
30
20
40
10
R
GS
，门源电阻（ Ω ）
50
归一化导通电阻
2.0
脉冲宽度= 250μs的，V
GS
= 5V ，我
D
= 45A
1.5
1.0
0.5
0
-80
-40
0
40
80
120
T
J
，结温（
o
C)
160
200
图10.开关时间与栅极电阻
图11.归一漏极至源极ON
电阻与结温
7-4
RFP45N03L ， RF1S45N03L ， RF1S45N03LSM
典型性能曲线
2.0
归一漏极至源极
击穿电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
1.5
除非另有规定编
（续）
2.0
I
D
= 250A
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
200
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
图12.归一化栅极阈值电压Vs
结温
图13.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
V
DS
，漏源极电压（ V）
2000
C，电容（pF ）
C
国际空间站
1500
V
GS
= 0V ， F =为0.1MHz
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
V
DD
= BV
DSS
24
V
DD
= BV
DSS
4
18
0.75 BV
DSS
12
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
R
L
= 0.67
I
G（ REF ）
- 0.6毫安
V
GS
= 5V
I G
(
REF
)
I G
(
REF
)
3
1000
C
OSS
500
C
RSS
2
6
1
0
0
0
0
5
10
15
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
25
-
20
---------------------
I G
(
AC牛逼
)
T，时间（μs ）
-
80
---------------------
I
G
(
AC牛逼
)
注：请参阅哈里斯应用笔记AN7254和AN7260 。
图14.电容VS漏源极电压
图15.归一化开关波形
恒定的栅极电流
7-5
V
GS
，门源电压（ V）
2500
30
5
QQ：2881677436 复制
