RFP42N03L ， RF1S42N03LSM
数据表
1999年7月
网络文件编号
4302.2
42A ， 30V ， 0.025欧姆，逻辑电平，
N沟道功率MOSFET
这些是N沟道功率MOSFET，采用制造
在MegaFET过程。这个过程中，它使用特征
尺寸接近LSI电路，给出了最优
利用硅，保证了出色的性能。
它们被设计用于的应用，如
开关稳压器，开关转换器，电机驱动器和
继电器驱动器。这些晶体管可以直接从被操作
集成电路。
以前发育类型TA49030 。
特点
42A ， 30V
r
DS （ ON）
= 0.025
温度补偿PSPICE
模型
可以直接从CMOS ， NMOS和TTL驱动
电路
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
175
o
C的工作温度
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
RFP42N03L
RF1S42N03LSM
包
TO-220AB
TO-263AB
BRAND
FP42N03L
F42N03L
符号
D
注：订货时，使用整个零件编号。后缀， 9A ，加入
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，例如， RF1S42N03LSM9A 。
G
S
包装
JEDEC TO- 220AB
JEDEC TO- 263AB
来源
漏
门
漏极（法兰）
门
来源
漏
（法兰）
6-267
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
于PSpice的是MicroSim公司的注册商标。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
RFP42N03L ， RF1S42N03LSM
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFP42N03L ， RF1S42N03LSM
30
30
±10
42
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
90
0.606
-55至175
300
260
单位
V
V
V
A
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 24V ，我
D
≈
42A,
R
L
= 0.571
I
G（ REF ）
- 0.6毫安
（图15 ，20，21 ）
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 150
o
C
V
GS
=
±10V
I
D
= 42A ，V
GS
= 5V （图11）
V
DD
= 15V ，我
D
≈
42A ，R
L
= 0.357,
V
GS
= 5V ，R
GS
= 5
（图10 ，18， 19）的
民
30
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
15
160
20
20
-
50
30
1.5
1650
575
200
-
-
最大
-
2
1
25
±100
0.025
260
-
-
-
-
60
60
36
1.8
-
-
-
1.65
80
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
门源阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
（图14）
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
二极管的反向恢复时间
注意事项：
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ） 。
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 42A
I
SD
= 42A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
125
单位
V
ns
6-268
RFP42N03L ， RF1S42N03LSM
典型性能曲线
200
I
AS
，雪崩电流（ A）
100
I
D
，漏电流（ A）
起始物为
J
= 25
o
C
75
V
GS
= 4.5V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
T
C
= 25
o
C
V
GS
= 4V
V
GS
= 3.5V
25
V
GS
= 3V
0
0
1
2
3
4
V
DS
，漏源极电压（ V）
5
除非另有规定编
（续）
100
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
10
起始物为
J
= 150
o
C
50
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
-V
DD
) +1]
1
0.001
0.01
1
0.1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
100
注：请参阅Intersil的应用笔记AN9321和AN9322 。
图6.松开电感式开关
图7.饱和特性
I
DS （ ON）
，漏源电流（A）
100
V
DD
= 15V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
75
25
o
C
50
-55
o
C
175
o
C
r
DS （ ON）
，漏极到源极
100
ON电阻（mΩ ）
75
I
D
= 15A
I
D
= 30A
50
I
D
= 42A
25
25
I
D
= 2A
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
V
GS
，门源电压（ V）
5.0
0
0
1.5
3.0
4.5
6.0
7.5
V
GS
，门源电压（ V）
0
图8.传热特性
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
350
300
V
DD
= 15V ，我
D
= 42A ，R
L
= 0.357
t
r
归一漏极至源极
抗性
2.0
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 5V ，我
D
= 42A
1.5
切换时间（纳秒）
250
200
150
t
f
100
t
D（关闭）
50
t
D（上）
0
0
10
20
30
40
R
GS
，门源电阻（ Ω ）
50
1.0
0.5
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
图10.开关时间与栅极电阻
图11.归一漏极至源极ON
电阻与结温
6-270
RFP42N03L ， RF1S42N03LSM
典型性能曲线
2.0
归一漏极至源极
击穿电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
除非另有规定编
（续）
2.0
I
D
= 250A
1.5
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
T
J
，结温（
o
C)
图12.归一化栅极阈值电压Vs
结温
2500
V
GS
= 0V ， F =为0.1MHz
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
图13.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
V
DD
= BV
DSS
24
V
DD
= BV
DSS
4
V
GS
，门源电压（ V）
5
2000
C，电容（pF ）
C
国际空间站
1500
18
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
R
L
= 0.714
I
G（ REF ）
- 0.6毫安
V
GS
= 5V
I G
(
REF
)
G
(
REF
)
-
80
---------------------
I G
(
法案
)
I
3
1000
C
OSS
500
C
RSS
12
2
6
1
0
0
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源极电压（ V）
-
20
---------------------
I G
(
法案
)
T，时间（μs ）
注：请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260 。
图14.电容VS漏源极电压
图15.归一化开关波形
恒定的栅极电流
测试电路和波形
V
DS
BV
DSS
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
R
G
-
I
AS
V
DD
t
P
V
DS
V
DD
+
0V
I
AS
0.01
0
t
AV
图16.松开能源利用检测电路
图17.松开能源波形
6-271
QQ：2881677436 复制
