RF1K49157
数据表
1999年8月
网络文件编号
4012.5
6.3A ， 30V ， 0.030欧姆，单N通道
LittleFET 功率MOSFET
此单N沟道功率MOSFET制造
采用先进的MegaFET过程。该方法中，其中
使用特征尺寸接近LSI的集成
电路，给出了硅的最佳利用，从而导致
出色的表现。它被设计为在使用中
应用，如开关稳压器，开关
变流器，电机驱动器，继电器驱动器，低压母线
开关。此设备可以直接从被操作
集成电路。
以前发育类型TA49157 。
特点
6.3A ， 30V
r
DS （ ON）
= 0.030
温度补偿PSPICE模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
数控（1）
漏极（ 8 ）
订购信息
产品型号
RF1K49157
包
MS-012AA
BRAND
RF1K49157
源（2）
漏极（ 7 ）
注：订货时，使用整个零件编号。对于磁带订购
和卷轴的SUF科幻×96添加到零件编号，即RF1K4915796 。
SOURCE （ 3 ）
漏（6）
门（4）
漏极（ 5 ）
包装
JEDEC MS- 012AA
BRANDING DASH
5
1
2
3
4
8-122
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
LittleFET 是Intersil公司的商标。 PSPICE 是是MicroSim公司的商标。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
RF1K49157
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C除非另有规定编
RF1K49157
30
30
±20
6.3
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
2
0.016
-55到150
300
260
单位
V
V
V
A
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续（脉冲宽度= 1秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
脉冲（图5） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值（图6） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗
T
A
= 25
o
C. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44T
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V时， （图12）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA ， （图11）
V
DS
= 30V,
V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V
I
D
= 6.3A
（图9，图10）
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
T
A
= 25
o
C
T
A
= 150
o
C
民
30
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V至20V
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至2V
V
DD
= 24V,
I
D
= 6.3A,
R
L
= 3.81
（图14）
-
-
-
-
-
-
脉冲宽度= 1秒
设备安装在FR -4材料
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
22
43
125
85
-
70
38
2.8
1575
700
200
-
最大
-
3
1
50
±100
0.030
0.060
85
-
-
-
-
265
88
48
3.5
-
-
-
62.5
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻
I
GSS
r
DS （ ON）
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到环境
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(10)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θ
JA
V
DD
= 15V ，我
D
≈
6.3A,
R
L
= 2.38, V
GS
= 10V,
R
GS
= 25
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
（图13）
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
符号
V
SD
t
rr
测试条件
I
SD
= 6.3A
I
SD
= 6.3A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.25
60
单位
V
ns
8-123
RF1K49157
典型性能曲线
50
I
AS
，雪崩电流（ A）
（续）
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
I
D
，漏电流（ A）
50
40
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
V
GS
= 7V
V
GS
= 5V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
T
A
= 25
o
C
10
起始物为
J
= 25
o
C
30
V
GS
= 4V
20
起始物为
J
= 150
o
C
1
0.1
10
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
100
0
0
1
2
3
4
5
注意：
请参阅Intersil的应用笔记AN9321和AN9322 。
V
DS
，漏源极电压（ V）
图6.松开电感式开关能力
图7.饱和特性
50
I
D（上）
， ON-状态下的漏电流（A）
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
40
150
o
C
r
DS （ ON）
，通态电阻（mΩ ）
-55
o
C
25
o
C
V
DD
= 15V
250
I
D
= 15A
200
I
D
= 6.3A
I
D
= 3.5A
I
D
= 1.75A
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
30
150
20
100
10
50
0
0
1.5
3.0
4.5
6.0
V
GS
，门源电压（ V）
7.5
0
2
8
6
4
V
GS
，门源电压（ V）
10
图8.传热特性
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
2.0
归一化导通电阻
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 10V ，我
D
= 6.3A
归一化门
阈值电压
1.5
2.0
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0
-80
-40
0
40
80
120
T
J
，结温（
o
C)
160
0
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
图11.归一化栅极阈值电压Vs
结温
8-125
RF1K49157
典型性能曲线
2.0
归一漏极至源极
击穿电压
I
D
= 250A
2000
C，电容（pF ）
1.5
C
国际空间站
1500
（续）
2500
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
= C
DS
+ C
GD
1.0
1000
C
OSS
500
0.5
C
RSS
0
-80
-40
0
40
80
120
T
J
，结温（
o
C)
160
0
0
5
10
15
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
25
图12.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
30
V
DS
，漏源电压（V ）
图13.电容VS漏源极电压
10.0
V
GS
，栅源电压（V ）
22.5
V
DD
= BV
DSS
15
R
L
= 4.76
I
G（ REF ）
- 0.8毫安
V
GS
= 10V
高原电压，
降序排列：
V
DD
= BV
DSS
V
DD
= 0.75 BV
DSS
V
DD
= 0.50 BV
DSS
V
DD
= 0.25 BV
DSS
7.5
5.0
7.5
2.5
0
0
I G
(
REF
)
-
20
---------------------
I
G
(
法案
)
I G
(
REF
)
T，时间（μs ）
-
80
---------------------
I G
(
法案
)
注：请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260 。
图14.归开关波形恒门极电流
测试电路和波形
V
DS
BV
DSS
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
R
G
-
I
AS
V
DD
t
P
V
DS
V
DD
+
0V
I
AS
0.01
t
AV
图15.松开能源利用检测电路
图16.松开能源波形
8-126
性S E M I C 0 N D ü （C T）
RF1K49157
6.3A ， 30V ，额定雪崩，单N通道
LittleFET 增强型功率MOSFET
描述
该RF1K49157单N沟道功率MOSFET是
采用先进的MegaFET工艺制造。这
过程，其使用特征尺寸接近LSI的
集成电路，给出了硅的最佳利用，
保证了出色的性能。它被设计为
在应用中，如开关稳压器，开关使用
转换器，电机驱动器，继电器驱动器，低压母线
开关。此设备可以直接从被操作
集成电路。
以前发育类型TA49157 。
1997年1月
特点
6.3A ， 30V
r
DS （ ON）
= 0.030
温度补偿
PSPICE模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
订购信息
产品型号
RF1K49157
包
MS-012AA
BRAND
RF1K49157
符号
注：订货时，使用整个零件编号。对于磁带订购
和卷轴的SUF科幻×96添加到零件编号，即RF1K4915796 。
数控（1）
漏极（ 8 ）
源（2）
漏极（ 7 ）
SOURCE （ 3 ）
漏（6）
门（4）
漏极（ 5 ）
包装
JEDEC MS- 012AA
BRANDING DASH
5
1
2
3
4
LittleFET 是哈里斯公司的trademerk
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
4012.4
5-64
RF1K49157
绝对最大额定值
TA = 25
o
C除非另有规定编
RF1K49157
30
30
±20
6.3
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
2
0.016
-55到150
260
单位
V
V
V
A
漏源极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续（脉冲宽度= 1秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗
T
A
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
英镑
, T
J
的信息为10秒焊接温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
W
W/
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
电气连接特定的阳离子
参数
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
= 30V,
V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V
I
D
= 6.3A
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
T
A
= 25
o
C
T
A
= 150
o
C
民
30
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V至20V
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至2V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
V
DD
= 24V,
I
D
= 6.3A,
R
L
= 3.81
-
-
-
-
-
-
脉冲宽度= 1秒
设备安装在FR -4材料
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
22
43
125
85
-
70
38
2.8
1575
700
200
-
最大
-
3
1
50
100
0.030
0.060
85
-
-
-
-
265
88
48
3.5
-
-
-
62.5
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
抗性
I
GSS
r
DS （ ON）
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到环境
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(10)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θ
JA
V
DD
= 15V ，我
D
= 6.3A,
R
L
= 2.38, V
GS
= 10V,
R
GS
= 25
源极到漏极二极管额定值和特异性阳离子
参数
正向电压
反向恢复时间
符号
V
SD
t
rr
测试条件
I
SD
= 6.3A
I
SD
= 6.3A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.25
60
单位
V
ns
5-65
RF1K49157
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
I
D
，漏电流（ A）
0
25
125
50
75
100
o
C)
T
A
，环境温度（
150
0.8
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
25
0.6
0.4
0.2
0.0
50
75
100
125
o
C)
T
A
，环境温度（
150
图1.归功耗与
温度降额曲线
图2.最大连续漏极电流VS
温度
10
I
D
，漏电流（ A）
Z
θJA
归一化
热阻抗
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
1 0.02
0.01
P
DM
100
T
J
=最大额定，T
A
= 25
o
C
10
1
5ms
10ms
100ms
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θ
JA
个R
θ
JA
+ T
A
10
3
0.1
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
0.01
0.1
1s
V
DSS
MAX = 30V
DC
100
单脉冲
0.01
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
图3.归一化最大瞬态热
阻抗
图4.正向偏置安全工作区
300
I
DM
，峰值电流容量（ A）
100
I
AS
，雪崩电流（ A）
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
50
T
A
= 25
o
C
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
10
热阻抗
可能限流
在这个区域
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I
10
起始物为
J
= 25
o
C
起始物为
J
= 150
o
C
1
0.1
=
I
25
10
-4
1
10
-5
150 - T
A
125
10
-3
10
-2
10
-1
T，脉冲宽度（ S）
10
0
10
1
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
100
图5.峰值电流容量
注：请参阅哈里斯应用笔记AN9321和AN9322 。
图6.松开电感式开关能力
5-66
RF1K49157
典型性能曲线
2500
V
DS
，漏源电压（V ）
V
GS
= 0V ，频率（f） = 1MHz的
2000
C，电容（pF ）
C
国际空间站
1500
（续）
30
10.0
V
GS
，栅源电压（V ）
22.5
V
DD
= BV
DSS
15
R
L
= 4.76
I
G（ REF ）
- 0.8毫安
V
GS
= 10V
高原电压，
降序排列：
V
DD
= BV
DSS
V
DD
= 0.75 BV
DSS
V
DD
= 0.50 BV
DSS
V
DD
= 0.25 BV
DSS
7.5
5.0
1000
C
OSS
7.5
2.5
500
C
RSS
0
0
0
5
10
15
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
25
0
I G
(
REF
)
-
20
---------------------
I G
(
AC牛逼
)
I G
(
REF
)
T，时间（μs ）
-
80
---------------------
I G
(
AC牛逼
)
图13.电容VS电压
注：请参阅哈里斯应用笔记AN7254和AN7260 。
图14.归一化开关波形
恒定的栅极电流
测试电路和波形
V
DS
t
P
L
I
AS
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
R
G
-
+
BV
DSS
V
DS
V
DD
V
DD
0V
I
L
0.01
t
AV
图15.松开能源利用检测电路
图16.松开能源波形
V
DD
R
L
V
DS
V
DS
V
GS
t
ON
t
D（上）
t
r
90%
t
关闭
t
D（关闭）
t
f
90%
10%
0V
R
GS
DUT
V
GS
10%
50%
脉冲宽度
90%
50%
10%
图17.电阻开关测试电路
图18.电阻开关波形
5-68
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