RF1K49156
数据表
2002年1月
6.3A ， 30V ， 0.030欧姆，逻辑电平，单
N沟道LittleFET 功率MOSFET
此单N沟道功率MOSFET制造
采用先进的MegaFET过程。该方法中，其中
使用特征尺寸接近LSI的集成
电路，给出了硅的最佳利用，从而导致
出色的表现。它被设计为在使用中
应用，如开关稳压器，开关
转换器，电机驱动器，继电器驱动器，低压母线
开关。该产品实现了全额定导通在
在3V栅极偏置 - 5V的范围内，从而促进真正的开关
直接从逻辑电平（5V）集成电路的功率控制。
以前发育类型TA49156 。
特点
6.3A ， 30V
r
DS （ ON）
= 0.030
温度补偿PSPICE
模型
导通电阻VS栅极驱动电压曲线
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
BRAND
RF1K49156
源（2）
漏极（ 7 ）
数控（1）
漏极（ 8 ）
订购信息
产品型号
RF1K49156
包
MS-012AA
注：订货时，使用整个零件编号。对于磁带订购
和卷轴的SUF科幻×96添加到零件编号，即RF1K4915696 。
SOURCE （ 3 ）
漏（6）
门（4）
漏极（ 5 ）
包装
JEDEC MS- 012AA
BRANDING DASH
5
1
2
3
4
2002仙童半导体公司
RF1K49156版本B
RF1K49156
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C除非另有规定编
RF1K49156
30
30
±
10
6.3
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
2
0.016
-55到150
300
260
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20k
，注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续（脉冲宽度= 1秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
脉冲（图5） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值（图6） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗
T
A
= 25
o
C. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
单位
V
V
V
A
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250
A，V
GS
= 0V时， （图13）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
A， （图12）
V
DS
= 30V,
V
GS
= 0V
V
GS
=
±
10V
I
D
= 6.3A ，V
GS
= 5V ， （图9，图11）
V
DD
= 15V ，我
D
≈
6.3A,
R
L
= 2.38
, V
GS
= 5V,
R
GS
= 25
（图10 ）
T
A
= 25
o
C
T
A
= 150
o
C
民
30
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 24V,
I
D
= 6.3A,
R
L
= 3.81
（图15）
-
-
-
-
-
-
脉冲宽度= 1秒
设备安装在FR -4材料
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
35
100
150
95
-
52
29
1.8
2030
625
105
-
最大
-
2
1
50
±
100
0.030
165
-
-
-
-
300
65
37
2.3
-
-
-
62.5
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到环境
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θ
JA
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的（图14）
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
符号
V
SD
t
rr
测试条件
I
SD
= 6.3A
I
SD
= 6.3A ，二
SD
/ DT = 100A /
s
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.05
58
单位
V
ns
2002仙童半导体公司
RF1K49156版本B
RF1K49156
典型性能曲线
50
I
AS
，雪崩电流（ A）
（续）
50
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
起始物为
J
= 25
o
C
10
起始物为
J
= 150
o
C
I
D
，漏电流（ A）
40
V
GS
= 4V
30
V
GS
= 3V
20
V
GS
= 2.5V
10
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
T
A
= 25
o
C
0
1
2
3
4
V
DS
，漏源极电压（ V）
5
1
0.1
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
100
0
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN9321和AN9322 。
图6.松开电感式开关能力
图7.饱和特性
50
I
D（上）
， ON-状态下的漏电流（A）
-55
o
C
40
150
o
C
r
DS （ ON）
，通态电阻（mΩ ）
25
o
C
V
DD
= 15V
250
I
D
= 15A
200
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
30
150
I
D
= 6.3A
I
D
= 3.5A
I
D
= 1.75A
20
100
10
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
0
0
1.5
3.0
4.5
6.0
V
GS
，门源电压（ V）
7.5
50
0
2.0
2.5
3.5
4.0
4.5
3.0
V
GS
，门源电压（ V）
5.0
图8.传热特性
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
300
V
DD
= 15V ，我
D
= 6.3A ，R
L
= 2.38
250
切换时间（纳秒）
200
150
t
D（关闭）
归一化导通电阻
2.0
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 5V ，我
D
= 6.3A
1.5
t
f
1.0
t
r
100
t
D（上）
50
0
0
10
20
30
40
RGS ，门源电阻（ Ω ）
50
0.5
0
-80
-40
0
40
80
120
T
J
，结温（
o
C)
160
图10.开关时间与门源
阻力
图11.归一漏极至源极ON
电阻与结温
2002仙童半导体公司
RF1K49156版本B
RF1K49156
典型性能曲线
2.0
归一漏极至源极
击穿电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
1.5
（续）
2.0
I
D
= 250A
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0
-80
-40
0
40
80
120
160
0
-80
-40
T
J
，结温（
o
C)
0
40
80
120
o
C)
T
J
，结温（
160
图12.归一化栅极阈值电压Vs
结温
2500
图13.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
30
V
DS
，漏源电压（V ）
5.00
V
GS
，栅源电压（V ）
C
国际空间站
2000
C，电容（pF ）
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
= C
DS
+ C
GD
V
DD
= BV
DSS
22.5
V
DD
= BV
DSS
3.75
1500
C
OSS
1000
15
R
L
= 4.76
I
G（ REF ）
= 0.65毫安
V
GS
= 5V
高原电压，
降序排列：
V
DD
= BV
DSS
V
DD
= 0.75 BV
DSS
V
DD
= 0.50 BV
DSS
V
DD
= 0.25 BV
DSS
I
G
(
REF
)
-
20
------------------------
I G
(
法案
)
T，时间（μs ）
I
G
(
REF
)
-
80
------------------------
I G
(
法案
)
2.50
7.5
1.25
500
C
RSS
0
0
5
10
15
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
25
0
0
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7254和AN7260 。
图14.电容VS漏源极电压
图15.归一化开关波形
恒定的栅极电流
测试电路和波形
V
DS
BV
DSS
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
R
G
-
I
AS
V
DD
t
P
V
DS
V
DD
+
0V
I
AS
0.01
0
t
AV
图16.松开能源利用检测电路
图17.松开能源波形
2002仙童半导体公司
RF1K49156版本B
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