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数据表
快恢复二极管
RF071M2S
■应用
一般整顿
尺寸
（单位：毫米）
1.6±0.1
0.1±0.1
　　　 0.05
Land
尺寸图
（单位：毫米）
1.2
0.85
■特点
1 ）小功率模具类型。 （ PMDU ）
2 ）超低VF
3 ）超高开关速度
4）低开关损耗
建筑
硅外延刨床
2.6±0.1
3.5±0.2
PMDU
0.9±0.1
Structure
0.8±0.1
ROHM ： PMDU
JEDEC ： SOD- 123
制造日期
盘带
尺寸
（单位：毫米）
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.05
3.5±0.05
1.75±0.1
0.25±0.05
8.0±0.2
1.81±0.1
4.0±0.1
φ1.0±0.1
3.71±0.1
1.5MAX
“绝对
最大额定值
(Ta=25°C)
参数
符号
V
RM
反向电压（重复）
V
R
反向电压（DC）的
I
F
正向电流（DC ）
平均正向电流整流（ * 1 ）
Io
I
FSM
正向电流浪涌峰值（ 60赫兹
1cyc)
结温
Tj
储存温度
TSTG
（ * 1 ）安装在环氧树脂板。 180 °的半正弦波
范围
200
200
1
0.7
15
150
55
to
150
单位
V
V
A
A
A
°C
°C
ⅵELECTRICAL
characteristics(Ta=25°C)
参数
正向电压
反向电流
反向恢复时间
符号
V
F
I
R
分钟。
-
-
-
典型值。
0.79
0.01
12
马克斯。
0.85
10
25
单位
V
μA
ns
I
F
=0.7A
V
R
=200V
条件
TRR
I
F
=0.5A,I
R
=1A,Irr=0.25*I
R
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1/3
2011.05 - Rev.E
3.05
①
RF071M2S
数据表
1
Ta=150℃
0.1
Ta=125℃
10000
1000
Ta=150℃
Ta=125℃
100
f=1MHz
f=1MHz
反向电流： IR （ NA）
正向电流IF （ A）
Ta=75℃
100
Ta=25℃
10
1
0.1
0.01
Ta=-25℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
200
10
Ta=75℃
0.01
Ta=25℃
Ta=-25℃
0.001
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900
正向电压VF （MV ）
VF- IF特性
1
0
50
100
150
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
0
5
10
15
20
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
25
30
820
100
100
正向电压VF （MV ）
80
70
60
50
40
30
20
10
AVE ： 11.1nA
之间的电容
端子的CT （PF ）
810
反向电流： IR （ NA）
Ta=25℃
IF=0.7A
n=30pcs
90
Ta=25℃
VR=200V
n=30pcs
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
AVE ： 37.0pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
800
790
AVE ： 795.7mV
780
770
VF色散图
0
IR色散图
CT色散图
200
30
1000
反向恢复时间： TRR （ NS ）
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
150
IFSM
1cyc
8.3ms
25
20
15
10
5
0
AVE ： 12.2ns
Ta=25℃
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25*IR
n=10pcs
IFSM
8.3ms的8.3ms的
1cyc
100
100
10
50
AVE ： 63.0A
0
IFSM DISRESION地图
1
TRR色散图
1
10
周期数
IFSM周期特征
安装在环氧板
100
1000
IFSM
t
100
1000
IM=10mA
时间
IF=0.5A
1
Rth的第（j-一）
0.8
DC
D=1/2
0.6
Sin(θ＝180)
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
100
1ms
300us
10
RTH （J -C ）
前进动力
耗散：PF （ W）
10
0.4
1
0.2
0.1
1
1
10
时间： T（毫秒）
IFSM -T特性
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
0
0.5
1
1.5
平均整流
正向电流IO（ A）
IO -PF特性
时间： T（ S）
RTH- T特性
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2011.05 - Rev.E
RF071M2S
数据表
3
3
30
静电
放电测试ESD （ KV ）
平均整流
正向电流IO（ A）
t
T
T
平均整流
正向电流IO（ A）
0A
0V
2
DC
1
D=1/2
Sin(θ＝180)
0
0
25
50
75
Io
Io
VR
D = T / T
VR=100V
Tj=150℃
0A
0
0V
0
2
IO IO
tt
TT
VR
D = T / T
VR=100V
VR=100V
Tj=150℃
Tj=150℃
没有休息，在30kV的
25
20
15
10
5
0
DC
1
D=1/2
Sin(θ＝180)
0
AVE ： 13.6kV
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
降额曲线（ IO- Ta）的
北部沿海地区案例：TC （ ℃ ）
降额曲线（IO -TC）
C=200pF
R=0Ω
C=100pF
R=1.5kΩ
ESD色散图
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2011.05 - Rev.E
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R5F36CAENFB
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RK1-L9V
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