RF04UA2D
ⅵELECTRICAL
特性曲线
数据表
10
10000
Tj=150C
Tj=125C
100
f=1MHz
正向电流：我
F
(A)
1
Tj=125C
100
Tj=75C
之间的电容
端子的CT （PF ）
200
Tj=150C
反向电流：我
R
（ nA的）
1000
10
0.1
Tj=25C
Tj=75C
10
Tj=25C
1
0.01
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
1.1 1.2 1.3
0
0
50
100
150
1
0
5
10
15
20
25
30
正向电压： V
F
(V)
V
F
-I
F
特征
反向电压： V
R
(V)
V
R
-I
R
特征
反向电压： V
R
(V)
V
R
-ct特性
880
1000
30
正向电压： V
F
（毫伏）
反向电流：我
R
（ nA的）
870
100
之间的电容
端子的CT （PF ）
Tj=25C
I
F
=0.2A
n=30pcs
Tj=25C
V
R
=200V
n=30pcs
20
AVE ： 10.9pF
Tj=25C
f=1MHz
V
R
=0V
n=10pcs
860
10
AVE ： 1.3N
850
10
840
1
AVE ：
830
0.1
0
V
F
色散图
I
R
色散图
CT色散图
30
30
1000
RESERVE恢复时间： TRR （ NS ）
峰值浪涌
正向电流：我
FSM
(A)
20
8.3ms
AVE ： 10.2A
20
15
10
5
0
AVE ： 10.2ns
峰值浪涌
正向电流：我
FSM
(A)
IFSM
1cyc
25
Tj=25C
I
F
=0.5A
I
R
=1A
Irr=0.25×I
R
n=10pcs
IFSM
100
8.3ms的8.3ms的
1cyc
10
10
0
1
1
10
100
I
FSM
DISRESION地图
TRR色散图
周期数
I
FSM
-CYCLE特性
1000
30
10000
IFSM
峰值浪涌
正向电流：我
FSM
(A)
t
100
25
20
15
10
5
0
AVE ： 3.9kV
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ° C / W）
静电
放电测试ESD （ KV ）
AVE ： 21.9kV
IM=10mA
1000
I
F
=1A
1ms
时间
Rth的第（j-一）
300s
100
RTH （J -C ）
10
在玻璃环氧基板
1
0.001
10
1
1
10
100
C=200pF
R=0
C=100pF
R=1.5k
0.01
0.1
1
10
100
1000
时间： T（毫秒）
I
FSM
-t特性
ESD色散图
时间： T（ S）
RTH- T特性
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2010.01 - Rev.A的
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R1010A
RF04UA2D
ⅵELECTRICAL
特性曲线
数据表
10
10000
Tj=150C
之间的电容
端子的CT （PF ）
100
f=1MHz
正向电流：我
F
(A)
反向电流：我
R
（ nA的）
Tj=150C
1
Tj=125C
1000
Tj=125C
100
Tj=75C
10
0.1
Tj=25C
Tj=75C
10
Tj=25C
1
0.01
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
0
0
50
100
150
200
反向电压： V
R
(V)
V
R
-I
R
特征
1
0
5
10
15
20
25
30
正向电压： V
F
(V)
V
F
-I
F
特征
反向电压： V
R
(V)
V
R
-ct特性
正向电压： V
F
（毫伏）
870
反向电流：我
R
（ nA的）
Tj=25C
I
F
=0.2A
n=30pcs
100
Tj=25C
V
R
=200V
n=30pcs
电容之间端子：
克拉（ pF）的
880
1000
30
Tj=25°C
f=1MHz
V
R
=0V
n=10pcs
20
AVE ： 10.9pF
860
10
AVE ： 1.3NA
850
10
1
840
AVE ： 851.3mV
0.1
V
F
色散图
I
R
色散图
830
0
CT色散图
30
反向恢复时间： TRR （ NS ）
峰值浪涌
正向电流：我
FSM
(A)
30
25
20
15
10
5
0
I
FSM
DISRESION地图
TRR色散图
AVE ： 10.2ns
Tj=25°C
I
F
=0.5A
I
R
=1A
Irr=0.25×I
R
n=10pcs
1000
峰值浪涌
正向电流：我
FSM
(A)
IFSM
20
8.3ms
AVE ： 10.2A
10
1cyc
IFSM
100
8.3ms的8.3ms的
1cyc
10
0
1
1
10
100
周期数
I
FSM
-CYCLE特性
1000
静电
放电测试ESD （ KV ）
30
AVE ： 21.9kV
25
20
15
10
5
0
1
10
时间： T（毫秒）
I
FSM
-t特性
100
AVE ： 3.9kV
IFSM
10000
峰值浪涌
正向电流：我
FSM
(A)
t
100
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ° C / W）
IM=10mA
1000
I
F
=1A
1ms
时间
Rth的第（j-一）
300s
100
RTH （J -C ）
10
在玻璃环氧基板
1
0.001
10
1
C=200pF
R=0
C=100pF
R=1.5k
0.01
0.1
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10
100
1000
ESD色散图
时间： T（ S）
RTH- T特性
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