REF3212 -EP ， REF3220 -EP ， REF3225 -EP
REF3230 -EP ， REF3233 -EP ， REF3240 -EP
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SBVS078B
–
2006年10月
–
经修订的2011年8月
4 PPM / ° C， 100
μA
SOT23-6封装的串联电压基准
检查样品：
REF3212 -EP ， REF3220 -EP ， REF3225 -EP ， REF3230 -EP ， REF3233 -EP ， REF3240 -EP
1
特点
优秀指定的漂移性能：
–
7ppm的/ ° C（最大值） ，在0 ° C至125°C
–
为20ppm / ° C（最大值）的
–40°C
至125℃
–
为40ppm / ° C（最大值）的
–55°C
至125℃
Microsize套餐： SOT23-6
高输出电流：
±10
mA
高精度： 0.01 ％
低静态电流： 100
μA
低压差： 5毫伏
应用
便携式设备
数据采集系统
医疗设备
测试设备
GND_F
GND_S
启用
1
2
3
REF3212
REF3220
REF3225
REF3230
REF3233
REF3240
6
5
4
OUT_F
OUT_S
IN
支持国防，航天，
和医疗应用
(1)
控制基线
一个封装/测试网站
一个网站制作
提供军用（ -55°C / 125°C ）
温度范围
(1)
延长产品生命周期
扩展产品更改通知
产品可追溯性
额外的温度范围可供选择 - 联系工厂
温度漂移
(0
_
C至+ 125
_
C)
160
+125_C
140
漏失电压（MV ）
120
100
80
60
40
20
0
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7
漂移（ PPM /
_
C)
15
10
5
+25
_
C
40_C
输入输出电压差
与负载电流
人口
0
5
10
15
负载电流（mA ）
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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REF3212 -EP ， REF3220 -EP ， REF3225 -EP
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经修订的2011年8月
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描述
该REF32xx是微小的一个非常低漂移，微功耗，低压差，高精度电压基准系列提供
SOT23-6封装。
小尺寸和低功耗（120
μA
最大）的REF32xx的使其非常适用于便携式和
电池供电的应用。该参考文献是稳定的最容性负载。
该REF32xx可以从供给低至5毫伏以上的输出电压，在无负载的条件下运行。
所有型号都的宽温度范围内
–55°C
至125 ℃。
可用输出电压
产品
REF3212
REF3220
REF3225
REF3230
REF3233
REF3240
电压
1.25 V
2.048 V
2.5 V
3V
3.3 V
4.096 V
表1.包装/订货信息
(1)
产品
REF3212AMDBVREP
REF3220AMDBVREP
REF3225AMDBVREP
REF3230AMDBVREP
REF3233AMDBVREP
REF3240AMDBVREP
(1)
(2)
输出电压
1.25 V
2.048 V
2.5 V
3V
3.3 V
4.096 V
PACKAGE -LEAD
SOT23-6
SOT23-6
SOT23-6
SOT23-6
SOT23-6
SOT23-6
封装标识
(2)
的dBV
的dBV
的dBV
的dBV
的dBV
的dBV
包装标志
R3AM
R3BM
R3CM
R3DM
R3EM
R3FM
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
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REF3212 -EP ， REF3220 -EP ， REF3225 -EP REF3230 -EP ， REF3233 -EP ， REF3240 -EP
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经修订的2011年8月
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
图1.引脚配置
SOT23-6
（ TOP VIEW ）
GND_F
GND_S
启用
1
2
3
6 OUT_F
5 OUT_S
4 IN
R3 2×
A.
在REF32xx销1的位置由定向封装标记所示确定。
引脚说明
针
名字
启用
GND_F
GND_S
IN
OUT_F
OUT_S
号
3
1
2
4
6
5
功能
数字输入
模拟输出
模拟量输入
模拟量输入
模拟输出
模拟量输入
描述
该引脚可启用和禁用设备
该装置的接地连接
地面意义上的负载
正电源电压
参考电压输出
在负载传感连接
绝对最大额定值
(1)
民
输入电压
输出短路
工作温度范围
存储温度范围
结温
人体模型
ESD额定值
带电器件模型
机器型号
(1)
(2)
连续
–55
–65
125
150
(2)
150
4
1
400
°C
°C
°C
kV
V
最大
7.5
单位
V
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定是不是暗示。
在最大推荐工作条件长期高温保存和/或长期使用可能导致减少的
整个设备寿命。见http://www.ti.com/ep_quality关于增强塑料包装的附加信息。
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REF3212 -EP ， REF3220 -EP ， REF3225 -EP REF3230 -EP ， REF3233 -EP ， REF3240 -EP
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REF3230 -EP ， REF3233 -EP ， REF3240 -EP
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–
经修订的2011年8月
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电气特性
黑体字限额适用于列出的温度范围内。
T
A
= 25 ° C，I
负载
= 0毫安，和V
IN
= 5V （除非另有说明）
参数
REF3212 （ 1.25 V ）
V
OUT
噪音
输出电压
初始精度
输出电压噪声
电压噪声
产量
电压
初始
准确性
产量
电压噪声
F = 0.1赫兹到10赫兹
F = 0.1赫兹到10赫兹
F = 10赫兹到10千赫兹
1.2475
–0.2
1.25
0.01
17
24
1.2525
0.2
V
%
μV
PP
μV
RMS
测试条件
民
典型值
最大
单位
REF3220 （ 2.048 V ）
2.044
–0.2
2.048
0.01
27
39
2.495
–0.2
F = 0.1赫兹到10赫兹
F = 10赫兹到10千赫兹
2.994
–0.2
F = 0.1赫兹到10赫兹
F = 10赫兹到10千赫兹
3.293
–0.2
F = 0.1赫兹到10赫兹
F = 10赫兹到10千赫兹
4.088
–0.2
F = 0.1赫兹到10赫兹
F = 10赫兹到10千赫兹
T
A
= 25°C
–55°C ≤
T
A
≤
125°C
0 TP 1000小时
V
OUT
+ 0.05
采购
下沉
第一个周期
另外
周期
25°C
≤
T
A
≤
+125°C
(1)
2.052
0.2
V
%
μV
PP
μV
RMS
V
OUT
噪音
REF3225 （ 2.5 V ）
V
OUT
噪音
输出电压
初始精度
电压噪声F = 10赫兹到10千赫兹
2.5
0.01
33
48
3
0.01
39
57
3.3
0.01
43
63
4.096
0.01
53
78
4
10.5
55
2.505
0.2
V
%
μV
PP
μV
RMS
输出电压噪声
电压噪声
输出电压
初始精度
输出电压噪声
电压噪声
输出电压
初始精度
输出电压噪声
电压噪声
输出电压
初始精度
输出电压噪声
电压噪声
REF3230 （3 V）的
V
OUT
噪音
3.006
0.2
V
%
μV
PP
μV
RMS
3.307
0.2
V
%
μV
PP
μV
RMS
4.104
0.2
V
%
μV
PP
μV
RMS
7
40
65
40
60
REF3233 （ 3.3 V ）
V
OUT
噪音
REF3240 （ 4.096 V ）
V
OUT
噪音
REF3212/REF3220/REF3225/REF3230/REF3233/REF3240
dV
OUT
/交流输出电压的温度漂移
长期稳定性
线路调整
dV
OUT
/
dI
负载
dT
V
IN
–
V
OUT
(1)
(2)
(3)
4
负载
规
(2)
热
迟滞
(3)
输入输出电压差
(1)
PPM /°C的
PPM
PPM / V
μV / MA
≤
V
IN
≤
5.5 V
(1)
–65
–40
–60
15
3
20
100
25
5
0毫安
＆ LT ;
I
负载
＆ LT ;
10毫安，V
IN
= V
OUT
+ 250毫伏
–10
mA
＆ LT ;
I
负载
＆ LT ;
0毫安，V
IN
= V
OUT
+ 100毫伏
(1)
PPM
50
mV
最小电源电压为REF3212是1.8V。
负载调整率是使用武力和线条感;看
负载调整率
部分获取更多信息。
热滞后过程进行更详细的说明
应用信息
部分。
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–
经修订的2011年8月
电气特性（续）
黑体字限额适用于列出的温度范围内。
T
A
= 25 ° C，I
负载
= 0毫安，和V
IN
= 5V （除非另有说明）
参数
I
负载
I
SC
输出电流
短路
当前
采购
下沉
在V 0.1 ％
IN
= 5 V用C
L
= 0
参考在关断模式
参考活跃
I
L
= 0
I
L
= 0， ENABLE
＆ GT ;
1.5 V
–55°C ≤
T
A
≤
125°C
启用
＆ LT ;
0.7 V
–55
–55
–65
200
0
1.5
V
OUT
+
0.05
(1)
100
115
0.1
测试条件
V
IN
= V
OUT
+ 250毫伏
(1)
民
–10
典型值
50
40
60
最大
10
单位
mA
mA
μs
开启建立时间
V
L
V
H
V
IN
I
Q
I
S
开启/关闭
(4)
电源电压
电源电流
过温关断
特定网络版
温度
范围
θ
JA
(4)
操作
存储
热阻， SOT23-6
0.7
V
IN
5.5
120
135
1
125
125
150
V
V
μA
μA
μA
°C
° C / W
如果输入电压的上升时间小于或等于2毫秒时，ENABLE和IN引脚可以连在一起。对于崛起倍
超过2ms的，看
电源电压
部分。
图2.工作寿命减额图
10000.00
1000.00
年预期寿命
引线键合空洞
失效模式
100.00
10.00
电
失效模式
1.00
0.10
80
90
100 110 120 130 140 150 160
Continuuous牛逼
J
(5C)
A.
B.
C.
请查阅技术资料绝对最高和最低推荐的工作条件。
芯片工作寿命设计目标为10年，在105 ° C的结温（不包括包
互联生活） 。
增强塑料制品免责声明适用。
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提交文档反馈
5
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