REF
200
REF200
REF
200
双路电流源/灌电流
特点
q
完整的浮置：
无需电源或接地连接
q
高精度： 100
A
±
0.5%
q
低温度系数：
±
25ppm/
°
C
q
宽电压标准：
2.5V至40V
q
此外，还包括电流镜
应用
q
传感器激励
q
偏置电路
q
抵消电流回路
q
低电压参考
q
电荷泵电路原理
q
混合微电路
描述
该REF200结合了三种电路构建模块
在一个单芯片两100μA电流
源和电流镜。该部分是
介质隔离，彻底使他们
独立的。另外，由于电流源的两
终端装置，它们可以被同等使用以及
电流吸收器。各部分的性能是
单独测量和激光微调来实现
高准确度，低成本。
该部分可以引脚搭接为50μA的电流，
100μA ， 200μA ， 300μA和400μA 。外部电路
可用于获得几乎任何电流。这些和
许多其它电路技术示于
本数据手册的应用部分。
该REF200是塑料8针mini- DIP可用
和SOIC封装。
I
1
高
8
I
2
高
7
基板
6
镜
In
5
100A
100A
1
I
1
低
2
I
2
低
3
镜
常见
4
镜
OUT
国际空港工业园邮寄地址：PO Box 11400 ，图森，亚利桑那州85734 街道地址： 6730 S.图森大道，图森，亚利桑那州85706 电话： （ 520 ） 746-1111 TWX ： 910-952-1111
互联网： http://www.burr-brown.com/图文传真： （ 800 ） 548-6133 （美国/加拿大）电缆： BBRCORP 电传： 066-6491 传真： （ 520 ） 889-1510 立即产品信息： （ 800 ） 548-6132
1988的Burr-Brown公司
PDS-851D
美国印刷1993年10月
SBVS020
特定网络阳离子
电动
在T
A
= + 25 ° C，V
S
= 15V ，除非另有说明。
REF200AP ， AU
参数
电流源
电流精度
目前比赛
温度漂移
输出阻抗
噪音
顺从电压（ 1 ％ ）
电容
电流镜
收益
温度漂移
阻抗（输出）
非线性
输入电压
输出顺从电压
频率响应（ -3dB ）
温度范围
规范
操作
存储
条件
民
典型值
±0.25
±0.25
25
100
500
1
20
看到曲线
10
最大
±1
±1
单位
%
%
PPM /°C的
M
M
NAP -P
PA / ÷赫兹
pF
指明TEMP RANGE
2.5V至40V
3.5V至30V
BW = 0.1Hz至10Hz的
F = 10kHz的
T
民
给T
最大
I = 100μA除非
另有说明
20
200
0.995
2V至40V
I = 0μA到250μA
40
转让
–25
–40
–40
1
25
100
0.05
1.4
看到曲线
5
1.005
PPM /°C的
M
%
V
兆赫
+85
+85
+125
°C
°C
°C
引脚配置
顶视图
DIP / SOIC
绝对最大额定值
施加的电压................................................ ..................... -6V至+ 40V
反向电流................................................ ........................... -350μA
任意两点间的电压部分............................................. ....
±80V
工作温度................................................ ... -40 ° C至+ 85°C
存储温度................................................ ..... -40 ° C至+ 125°C
焊接温度（焊接， 10秒） ........................................... ... + 300℃
（ SOIC 3S ） .............................................. .......... + 260℃
I
1
低
I
2
低
常见的镜像
镜像输出
1
2
3
4
8
7
6
5
I
1
高
I
2
高
基板
输入镜像
封装/订购信息
包
制图
数
(1)
006
182
温度
范围
-25 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
产品
REF200AP
REF200AU
包
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。的Burr-Brown
建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作
和安装程序，会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降
完成设备故障。精密集成电路可能
更容易受到伤害，因为很小的参数
变化可能导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
注： （ 1 ）有关详细的图纸和维表，请参阅数据结束
片，或的Burr-Brown IC数据手册附录C 。 （ 2 ）等级标识“A”
可能不被标记。等级称号的缺席表示A级。
本文提供的信息被认为是可靠的;但是， BURR -BROWN承担不准确或遗漏不承担任何责任。 BURR -BROWN承担
对于使用这些信息，所有此类信息的使用不承担任何责任应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 BURR -BROWN没有授权或保证
任何Burr-Brown产品用于生命支持设备和/或系统。
REF200
2
典型性能曲线
在T
A
= + 25 ° C，V
S
+ = 15V，除非另有说明。
电流源
典型漂移与温度
100.1
100
600
500
电流源
温度漂移分布
501
454
3分布
生产批次 -
1284电流源。
99.8
99.7
99.6
99.5
–50
–25
0
25
50
75
100
125
漂移通过指定
“箱法”
（见正文）
85°C
数量（台）
电流（ μA ）
99.9
400
300
200
117
100
0
0
2
5
5
86
66
30 15
6
0
1
1
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65
温度漂移（ PPM / ° C）
温度（℃）
电流源
输出电流与电压
电流源
输出电流与电压
100.5
100.4
100.3
100.2
101
100.8
100.6
100.4
电流（ μA ）
100.2
100
99.8
99.6
99.4
99.2
99
0
5
10
15
20
电压（V）的
25
30
35
40
电流（ μA ）
100.1
100
99.9
99.8
99.7
99.6
99.5
0
1
2
3
25°C
–55°C
125°C
4
5
电压（V）的
电流源
电流噪声（ 0.1Hz至10Hz的）
1000
900
电流源
反向电流与反向电压
输出电流（ 500Pa时/ DIV ）
800
12k
7V
反向电压
电路模型
5k
反向电流（ μA ）
700
600
500
400
300
200
100
0
安全反向电流
安全反向电压
时间（ 500毫秒/格）
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
反向电压（ V）
3
REF200
应用信息
该REF200的三个电路部分电
从一个孤立的另一种使用介质隔离
制造过程。本发明提供一种基板的连接（引脚
6） ，它是从所有的电路隔离。该引脚应
连接到一个定义的电势，以保证在额定直流
性能。首选连接是最消极
略去系统中的恒电位。在大多数模拟
系统中，这将是-V
S
。为了获得最佳的AC性能，离开
6脚打开，将未使用的部分悬空。
漂移性能被指定的“框方法”，作为
图示中的电流与典型的温度剧情
性能曲线。上部和下部的电流极值
测过温度限定的顶部和底部
框。侧面由指定的温度下测定
范围的装置。本机的漂移的斜率
对角一般为25ppm /°C， -25° C至+ 85°C 。
如果电流源进行反向电压，一
保护二极管可能需要。反向电压电路
该REF200的模型示于反向电流与
反向电压曲线。如果反向电压被限制在少
THAN 6V
or
反向电流被限制到小于350μA ，无
保护电路是必需的。平行二极管（图2a ）
将保护装置通过在限定的反向电压
电流源到大约0.7V 。在某些应用
系统蒸发散，串联二极管可能是优选的（图2b） ，因为
它允许无反向电流。这将，但是，降低
顺从电压范围由一个二极管压降。
应用程序的REF200是无限的。应用Bul-
letin AB- 165显示了更多的REF200电路以及
其他相关的电流源技术。集合
电路被示出为举例说明的一些技术。另请参阅
AB-165A.
8,7
5
4
5k
1k
1k
3
当前
镜
（基板）
8X
当前
来源
（ 1/2）
4k
12k
6
1,2
图1.简化电路图。
注：所有二极管1N4148 = 。
D
1
D
3
100A
双向
电流源
100A
D
1
双向
电流源
100A
D
4
(a)
(b)
D
2
(c)
D
2
(d)
图2.反向电压保护。
5
REF200
QQ：2881677436 复制
