REF1112
SBOS283C - 2003年9月 - 修订2008年3月
为10ppm / ° C， 1μA ， 1.25V
并联型电压基准
特点
q
微型封装： SOT23-3
q
宽电流范围： 1μA ，以5毫安
q
高初始精度： 0.2 ％
q
优秀指明漂移
性能：
从0 ° C至+ 70°C为30ppm / ° C（最大值）
为50ppm / ° C（最大值）温度范围为-40 ° C至+ 85°C
应用
q
电池供电仪表
q
便携式设备
q
医疗设备
q
电流源
q
校准器
q
微功耗电流和电压
参考
V
S
描述
的REF1112是一个二端并联基准设计用于
功耗和空间敏感的应用。该REF1112
设有为1mA的工作电流在一个SOT23-3包
并且是一种改进，为设计低功耗的解决方案
目前采用大封装电压基准，如
作为REF1004和LT1004 。被指定的REF1112
从-40 ° C到+ 85℃工作温度范围-40 ℃，延伸到
+125°C.
该REF1112补充其他部件1μA
德州仪器包括OPA349与TLV240x
低功耗运算放大器，以及TLV349x
微功耗电压比较器。
R
BIAS
=
I
REF
+ I
负载
R
BIAS
I
负载
V
OUT
I
REF
R
负载
V
S
V
D
I
负载
+ I
REF
V
O
1
3 NC
GND 2
SOT23
NC表示引脚应悬空。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权所有 2003-2008 ，德州仪器
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绝对最大额定值
(1)
反向击穿电流............................................... ............. 10毫安
正向电流................................................ ................................ 10毫安
工作温度................................................ .. -55 ° C至+ 125°C
存储温度................................................ ...... ?? 65 ° C至+ 150°C
结温................................................ .................... + 150°C
（ 1 ）工作条件超过这些额定值可能会造成永久性的损害。接触
绝对最大条件下工作会降低设备
可靠性。这些压力额定值只，设备的功能操作
在超出规定的这些或任何其他条件不暗示。
静电
放电敏感度
静电放电可能会损坏不等
性能下降，完成设备故障。得克萨斯州
仪器建议所有集成电路处理
并使用适当的ESD保护的方法存储。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降
完成设备故障。精密集成电路可以是
更容易受到伤害，因为很小的参数
变化可能导致不符合公布的试样设备
fications 。
封装/订购信息
(1)
包
代号
DBZ
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至+ 125°C
包
记号
R11A
订购
数
REF1112AIDBZT
REF1112AIDBZR
运输
媒体， QUANTITY
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 3000
产品
REF1112
PACKAGE -LEAD
SOT23-3
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
注： （ 1 ）对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者参阅TI的网站
www.ti.com 。
电气特性
粗体
限额适用于特定的温度范围内，
T
A
= –40
°
C至+ 125
°
C.
在T
A
= + 25 ° C，I
REF
= 1.2μA和C
负载
= 10nF的，除非另有说明。
REF1112 - 1.25V
参数
反向击穿电压
条件
I
REF
= 1.2A
1.2475
–0.2
温度COEF网络cient
1.2A
≤
I
REF
≤
5mA,
0 ° C至+ 70°C
1.5A
≤
I
REF
≤
5mA,
-40 ° C至+ 85°C
1.5A
≤
I
REF
≤
5mA,
-40 ° C至+ 125°C
最小工作电流
反向击穿电压
更改与当前
反向动态阻抗
低频噪声
(1)
0.1Hz
≤
I
REF
≤
10Hz
热
迟滞
(2)
+25°C
±
0.1°C
温度特性
指定范围
工作范围
存储范围
热阻
SOT23-3封装表面贴装
–40
–40
–40
1.2A
≤
I
REF
≤
5mA
1.2A
≤
I
REF
≤
5mA
0.037
25
100
0.125
V
PP
PPM
10
15
15
1
30
30
50
1.2
100
PPM /°C的
PPM /°C的
PPM /°C的
A
PPM / MA
1.25
1.2525
+0.2
V
%
民
典型值
最大
单位
长期稳定性
60
+125
+125
+150
135
PPM / KHR
°C
°C
°C
° C / W
θ
JA
（1）峰 - 峰噪声测定用在为0.1Hz一个2极的高通滤波器和一个四极，低通切比雪夫在10Hz的滤波器。
（2 ）热滞后的定义为操作该设备在+ 25 ℃时，通过在指定的温度范围内循环的装置后在输出电压的变化，
并返回到+ 25 ℃。
2
REF1112
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SBOS283C
应用信息
的REF1112是一个二端的带隙基准二极管
专为高精度出色的温度
特性在低的工作电流。精密薄膜
电阻导致0.2 ％的初始电压准确度和50PPM /
°
C
最大温度漂移。该REF1112是从指定的
–40
°
C至+ 85
°
C，从操作-40
°
C至+ 125
°
的范围，其中
在SOT23-3封装。
为REF1112典型连接如图1所示。
最小为1μA的偏置电流是必需的，以保持稳定的
输出电压，并且可以与一个电阻CON-提供
，连接到该电源电压。我
BIAS
取决于该值
选择的R
BIAS
和V
S
和将随的总和
最小工作电流和负载电流。要main-
覃稳定运行， R的值
BIAS
必须是低
够保持最小工作电流的
最小和最大负载和电源电压电平。
0.1F
V
S
10k
I
SET
V
REF
R
SET
I
SET
=
R
SET
图2 REF1112提供了稳定的电流源。
3V
V
S
795k
3V
250k
TLV2401
V
OUT
= 1V
R
BIAS
1F
I
BIAS
= I
REF
+ I
负载
V
REF
I
负载
0.1F
V
REF
REF1112
1M
0.1F
I
REF
I
BIAS
=
V
S
V
REF
R
BIAS
图1.典型的连接。
图3.微功耗3μA 1V的电压基准。
一个0.1μF的电容负载，建议保持stabil-
不同的负载条件下性。最小0.01μF负载
电容器所需的稳定运行。启动时间为
该REF1112将受到影响，这取决于的值
负载电容和偏置电流被使用。一个1μF
电源旁路电容以迷你
迈兹供电电路中的噪声。
该REF1112并联型电压基准提供了一个通用的
功能，低功耗和空间保守的应用程序。
该REF1112可以与另外的二极管被构造
并且，以提供温度补偿的NPN晶体管
电流参考值，如图2 REF112可
缩放提供极低的功耗基准电压。
图3示出用作1V出来， 3μA电压的REF1112
参考，并在图4中为上1μA 2.5V参考电压。
0.1F
0.1F
3V
R
SET
V
OUT
= 2.5V
R
负载
在1μA图4 2.5V参考。
REF1112
SBOS283C
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