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RE46C190
CMOS低电压光电感烟探测器ASIC
与互连和定时器模式
特点
两节AA电池供电
内部上电复位
低静态电流消耗
可在16L SOIC
本地报警记忆
连接多达40探测器
9分钟计时器的感光度控制
时间或连续模式的号角
内部低电池和试验室
所有的内部振荡器
内置红外发射二极管( IRED )驱动程序
可调IRED驱动电流
可调节灵敏度嘘
2 %低电量设置点
描述
该RE46C190是一款低功耗,低电压CMOS
光电式烟雾探测器IC 。以最小的
外部元件,该电路将提供一切
为光电式烟雾所需的功能
探测器。
该设计采用了增益可选的照片
放大器,用于同一个红外发射器/探测器对的使用。
一个内部振荡器的功率选通到烟
检测电路,每10秒,以保持
待机时的最小电流。如果烟雾检测到时,
检测速率增加,以验证一个报警条件。
高增益模式可用于按键室
测试。
一检查电池电量不足的状态下进行的每
86秒,以及腔室的完整性一次测试
43秒时,在待机的时候。颞角巳
燕鸥支持NFPA 72紧急疏散显
宇空。
互连引脚允许多个检测器是
相连,因此,当一个单元的报警,各单位将
声。
内部9分钟定时器可用于减少
感光度模式。
采用低功耗CMOS技术, RE46C190
被设计用于在烟雾探测器,符合
保险商实验室规范UL217和
UL268.
引脚配置
RE46C190
SOIC
V
SS
IRED
V
DD
TEST
TEST2
IRP
IRN
RLED
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
LX
V
BST
HS
HB
IO
IRCAP
饲料
GLED
2010 Microchip的技术公司
DS22271A第1页
RE46C190
典型框图
TEST2 ( 5 )
试验(4)
精确
参考
V
DD
(3)
R3
R4
+
-
IRP ( 6 )
IRN (7)
PHOTO
积分
+
-
LOW BATTERY
比较
LX ( 16 )
升压控制
当前
SENSE
提高比较器
SMOKE
比较
控制
逻辑与
定时
水平
喇叭驱动器
+
-
IRCAP (11)
可编程
范围
正常
迟滞
修剪
振子
POR和
BIAS
HB (13)
HS ( 14 )
FEED ( 10 )
程序设计
控制
互联
IO (12)
GLED ( 9 )
+
-
V
BST
(15)
RLED ( 8 )
IRED (2)
V
SS
(1)
可编程
红外发光二极管电流
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2010 Microchip的技术公司
RE46C190
典型的电池应用
V
DD
R1
电池
3V
100
C1
10 F
C2
1 F
推到测试/
L1
10 H
RE46C190
D1
1
V
SS
V
BST
LX
16
V
BST
15
HS
14
HB
13
IO
12
IRCAP
11
饲料
10
GLED
9
C6
33 F
R5
330
其他单位
C5
R4
1.5M 1 nF的
R3
200K
C4
4.7 F
V
BST
R7
100
R6
330
D4
D5
绿色
TP1
C3
100 F
2 IRED
3
V
DD
TP2
SMOKE
房间
D2
D3
4
TEST
5
TEST2
6
IRP
7
IRN
8
RLED
注1 :
C2位置应尽可能靠近器件的电源引脚, C1应尽可能靠近
尽可能到V
SS
.
2:
R 3 ,R 4和C 5是典型值,并且可以被调节以最大化的声压。
3:
高升压型DC - DC转换器(额定V
BST
= 9.6V ),可以得出大于1A的电流脉冲,
因此,是对串联电阻非常敏感。这种阻力的关键组成部分是
电感的直流电阻,电池的内阻,并从连接的电阻
电感器的电池,从电感LX引脚,并从V
SS
引脚连接到电池。为了
在正常满负荷在V功能
DD
= 2V ,电感器和互连电阻的总应
不超过0.3
.
电池内部的电阻应不小于0.5更
和低ESR电容
10 μF以上应并联连接的电池,以平均电流消耗过
升压转换器的周期。
4:
肖特基二极管D1必须至少1.5A的最大额定峰值电流。为获得最佳结果它应该
具有小于0.5V的正向电压规格为1A和低反向漏。
5:
电感器L1必须至少1.5A的最大额定峰值电流。
2010 Microchip的技术公司
DS22271A第3页
RE46C190
注意事项:
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2010 Microchip的技术公司
RE46C190
1.0
电动
特征
注意:
上面讲的那些最大的“上市
“,可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值,器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作列表,是不是暗示。曝光
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
绝对最大额定值?
电源电压..................................... V
DD
=5.5V; V
BST
=13V
输入电压范围除饲料,测试..... V
IN
= -.3V到V
DD
+.3V
FEED输入电压范围..................... V
infd
= -10至+ 22V
测试输入电压范围......... V
INTEST
= - 3V至V
BST
+.3V
输入电流除饲料...................................我
IN
= 10毫安
连续工作电流( HS , HB ,V
BST
)...... I
O
= 40毫安
连续工作电流( IRED ) ...............我
OIR
= 300毫安
工作温度...............................牛逼
A
= -10 + 60°C
存储温度............................牛逼
英镑
= -55至+ 125°C
ESD人体模型.................................. V
HBM
= 750V
ESD机型号............................................. V
MM
= 75V
DC电气特性
直流电气特性:
除非另有说明,所有参数均适用在T
A
= -10至+ 60℃ ,V
DD
= 3V,
V
BST
= 4.2V,典型的应用程序(除非另有说明) (注
1 ,注2 ,注3 )
参数
电源电压
电源电流
符号
V
DD
I
DD1
TEST
3
3
2
典型值
1
最大
5.0
2
单位
V
A
条件
操作
待机状态下,输入低,
无负荷,升压关闭,无
烟检查
待机状态下,输入低,
无负荷,升压关闭,无
烟检查
中烟检查
IRCAP充电烟
检查, GLED操作
I
OUT
= 40毫安
没有本地报警,
RLED操作,
I
OUT
= 40 mA时, IO作为
输入
IRP = V
DD
或V
SS
IRN = V
DD
或V
SS
FEED = 22V ; V
BST
= 9V
FEED = -10V ;
V
BST
= 10.7V
FEED ,V
BST
= 9V
没有本地报警,
IO作为输入
待机升压
当前
IRCAP供应
当前
升压
I
BST1
15
100
nA
I
IRCAP
V
BST1
11
15
3.0
500
3.6
4.2
A
V
V
BST2
15
8.5
9.6
10.7
V
输入漏
I
INOP
I
IHF
I
ILF
6
7
10
10
10
12
-200
-200
-50
20
-15
200
200
50
2.7
800
pA
pA
A
A
V
mV
输入电压低
V
IL1
V
IL2
注1 :
2:
3:
4:
只要有一个特定的V
BST
值,则在V所列的试验条件下
BST
与外部强制
电感器断开,并且在DC-DC转换器不运行。
典型值仅供设计信息。
限制在规定的温度范围内都没有生产测试和基于特性
数据。除非另有说明,生产测试是在室温下用guardbanded限制。
未经生产测试。
2010 Microchip的技术公司
DS22271A第5页
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    RE46C190S16F
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    -
    -
    -
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电话:18922805453
联系人:连
地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
RE46C190S16F
Microchip(微芯)
23+
700000
SOIC-16_150mil
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
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电话:0755-29275935
联系人:李小姐
地址:广东省深圳市华强北赛格科技园6C18
RE46C190S16F
MICROCHIP
新年份
35600
SOIC-16
只做原装正品
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电话:0755-23995152
联系人:林
地址:广东省深圳市福田区华强北国利大厦25层2533室
RE46C190S16F
Microchip
23+
12000
原厂封装
原装现货可含税
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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Microchip Technology
24+
10000
16-SOIC
原厂一级代理,原装现货
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联系人:陈泽强
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MICROCHIP/微芯
2443+
23000
一级代理专营,原装现货,价格优势
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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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MICROCIHIP
24+
27200
SOP
全新原装现货,原厂代理。
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