RE46C162/163
CMOS离子式烟雾探测器专用集成电路与互连，
定时器模式和报警记忆
特点
引脚可选喇叭模式
报警记忆
灵敏度控制定时器：
- 对于RE46C162 8分钟定时器
- 对于RE46C163 1分钟定时器
>1500V ESD保护（ HBM ）上的所有引脚
保护输出的离子检测器输入
± 0.75 pA的检测输入电流
内部电池反接保护
低静态电流消耗（ <6.5 μA ）
I / O过滤器和充电转储
内部低电池电量检测
电电池低电量测试
连接多达66探测器
符合RoHS标准的无铅封装
描述
该RE46C162 / 163器件是低功耗CMOS
电离式，感烟探测器芯片。与极少的外部
元件，这些电路将提供所有必需的
功能离子式烟雾探测器。
一个内部振荡器的功率选通到烟
检测电路10.5毫秒每1.67秒到
保持待机电流降至最低。复选的低
电池状态每40秒进行时
在待机状态。颞角模式支持
NFPA 72紧急疏散信号。
互连引脚允许多个检测器是
连接，所以当一个单位的报警，所有设备都能发出声音。
电荷转储功能会很快排出间
退出本地报警时连接线。对在互连
NECT输入也是数字滤波。
一个内部定时器允许一个单一的按钮，即按即测试
将用于降低的灵敏度的模式。
报警记忆功能允许用户确定
如果单位已经预先输入一个本地报警
条件。
利用
低功耗
CMOS
技术，
该
RE46C162 / 163器件设计用于烟用
符合美国保险商实验室检测器
规格UL217和UL268 。
封装类型
RE46C162/163
PDIP
T开始
IO
音
TSTROBE
LED
V
DD
RBIAS
饲料
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
GUARD2
检测
GUARD1
VSEN
OSCAP
HS
HB
V
SS
2010 Microchip的技术公司
DS22245A第1页
RE46C162/163
典型应用
RE46C162典型应用 - 颞角模式
测试和HUSH
R6
68K
R5
100K
其他
R7
单位
100
DLED
R8
1.5K
1
T开始
2
IO
3
音
R2
390
4
TSTROBE
5
LED
9V
电池
+
-
1 F
C2
R1
GUARD2
16
检测
15
GUARD1
14
VSEN
13
OSCAP
12
HS
11
HB
10
V
SS
R9
6
V
DD
7
RBIAS
8
饲料
8.2M
C3
.1 F
9
R3
1.5M
R4
220K
C1
.001 F
注1 ：
选择R5和R6为正确的电平，以测试离子室中。引脚1 （ TSTART ）必须与电压等级
大于VIH电平来启动定时器。引脚1有一个内部180K名义下拉其中必须
可以考虑。
选择R9在定时器模式，以降低敏感度。
R3，R4和C 1为典型值，可以调整，以最大限度地提高声压。
C2位置应尽可能靠近器件的电源引脚。
路线引脚8 PC板走线距离7脚，以避免耦合。
R8应至少为1.5K 。
2:
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5:
6:
2010 Microchip的技术公司
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RE46C162/163
RE46C162典型应用 - 2/3占空比连续音喇叭模式
测试和HUSH
R6
68K
R5
100K
其他
R7
单位
100
DLED
1
T开始
2
IO
3
音
R2
390
4
TSTROBE
5
LED
9V
电池
+
-
1 F
C2
R1
8.2M
6
V
DD
7
RBIAS
8
饲料
GUARD2
16
检测
15
GUARD1
14
VSEN
13
OSCAP
12
HS
11
HB
10
V
SS
R9
C3
.1 F
9
R3
1.5M
R4
220K
C1
.001 F
注1 ：
选择R5和R6为正确的电平，以测试离子室中。引脚1的电压电平（ TSTART ）必须
比VIH电平来启动定时器更大。销1具有一个内部180K标称上拉下来，必须要
考虑。
选择R9在定时器模式，以降低敏感度。
R3，R4和C 1为典型值，可以调整，以最大限度地提高声压。
C2位置应尽可能靠近器件的电源引脚。
路线引脚8 PC板走线距离7脚，以避免耦合。
2:
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5:
DS22245A第4页
2010 Microchip的技术公司
RE46C162/163
1.0
电动
特征
注意：
条件超过上述最大额定在“上市
英格斯“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
值仅为设备的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作列表，是不是暗示。曝光
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
绝对最大额定值？
V
DD
....................................................................................15V
输入电压范围除了饲料， I / O ........... V
IN
= - 3V至V
DD
+.3V
FEED输入电压范围.................... V
infd
= -10至+ 22V
I / O输入电压范围................................ V
IO1
= -.3至15V
反向电池时间...............................................牛逼
RB
= 5S
输入电流除饲料...................................我
IN
= 10毫安
工作温度...............................牛逼
A
= -10 + 60°C
存储温度............................牛逼
英镑
= -55至+ 125°C
最高结温.........................牛逼
J
= +150°C
DC电气特性
直流电气特性：
除非另有说明，所有参数均适用在T
A
= + 25 ° C，V
DD
= 9V,
OSCAP = 0.1 μF ， RBIAS = 8.2 M ，V
SS
= 0V
参数
电源电压
电源电流
符号
V
DD
I
DD1
I
DD2
输入电压高
V
IH1
V
IH2
V
IH3
输入电压低
V
IL1
V
IL2
V
IL3
输入漏电流低
IL
DET1
IL
DET2
IL
FD
IL
音
输入漏高
IH
DET1
IH
DET2
IH
FD
I
IOL2
IH
音
输出关闭泄漏高
输入下拉电流
I
IOHZ
I
PD1
TEST
针
6
6
6
3,8
2
1
3,8
2
1
15
15
8
3
15
15
8
2
3
4,5
1
民
6
—
—
6.2
3
4.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20
典型值
—
5
—
4.5
—
—
4.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
50
最大
12
6.5
9
—
—
—
2.7
1
2.5
-0.75
-1.50
-50
-100
0.75
1.50
50
150
100
1
80
单位
V
A
A
V
V
V
V
V
V
pA
pA
A
nA
pA
pA
A
A
nA
A
A
V
DD
= 9V ，侦测= V
SS
,
0-40 ％ RH
V
DD
= 9V ，侦测= V
SS
, 85%
RH
注1
FEED = -10V
TONE = V
SS
V
DD
= 9V ，侦测= V
DD
,
0-40 ％ RH
V
DD
= 9V ，侦测= V
DD
,
85 ％RH下
注1
FEED = 22V
无报警，V
IO
= 15V
TONE = V
DD
输出OFF
TSTART = 9V
I
OH
= -16毫安，V
DD
= 7.2V
注2
没有本地报警， I / O为输入
操作
RBIAS = 8.2 MW ， OSCAP = 0.1 μF
RBIAS = 8.2 MW ， OSCAP = 0.1 μF ;
V
DD
= 12V
注2
没有本地报警， I / O为输入
条件
输出高电压
V
OH1
10,11
6.3
—
—
V
注1 ：
样品测试而已。
2:
不是100 ％生产测试。
3:
在室温温度后卫的生产测试带状限制。
2010 Microchip的技术公司
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