【RDN080N25晶体管开关（ 250V ， 8A ）RDN080N25特点1）低导通电阻。2 ）低】,IC型号RDN080N25,RDN080N25 PDF资料,RDN080N25经销商,ic,电子元器件-51电子网

RDN080N25

晶体管

开关（ 250V ， 8A ）

RDN080N25

特点

1）低导通电阻。

2 ）低输入电容。

从静电损坏3 ）方位的阻力。

外形尺寸

（单位：毫米）

TO-220FN

10.0

+0.3

0.1

3.2±0.2

4.5

+0.3

0.1

2.8

0.1

+0.2

15.0

+0.4

0.2

12.0±0.2

应用

开关

5.0±0.2 8.0±0.2

1.2

1.3

14.0±0.5

0.8

结构

硅N沟道

MOS FET

（ 1 ）门

（ 2 ）排水

（ 3 ）资料来源

2.54±0.5

2.54±0.5 0.75

0.05

+0.1

2.6±0.5

(1) (2) (3)

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

反向漏

当前

连续

脉冲

连续

脉冲

符号

DSS

GSS

DRP

英镑

范围

250

±30

136

150

+150

单位

°C

等效电路

漏

门

雪崩电流

雪崩能量

总功率耗散（T

=25°C)

通道温度

储存温度

-GATE

保护

二极管

来源

≤

为10μs ，占空比

≤

L 4.5mH ，V

=50V,

=25,

1PULSE ，总胆固醇= 25°C

保护二极管被包含在栅极和间

源端，以防止静电的二极管

电时，该产品在使用中。使用保护

当固定电压超过电路。

1/3

RDN080N25

晶体管

电气特性

(Ta=25°C)

参数

栅源漏

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

反向恢复时间

反向恢复电荷

总栅极电荷

符号

GSS

（ BR ） DSS

DSS

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

分钟。

250

2.0

1.9

典型值。

0.38

3.1

543

193

151

0.63

马克斯。

±10

4.0

0.5

单位

条件

=±30V,

=0V

=250A,

=0V

=250V,

=0V

=10V,

=1mA

=4A,

=10V

=10V,

=4.0A

=10V

=0V

f=1MHz

=4.0A,

100V

=10V

=25

=10

=8A,

=0V

的di / dt = 100A /

=125V,

=10V,

=8A

电气特性曲线

100

=25°C

单脉冲

Ta=25°C

18脉冲

10V

100

=10V

脉冲

漏电流：我

(A)

漏电流：我

(A)

操作在此

面积有限

10由罗斯（上）

TIO

漏电流：我

(A)

=4V

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

25°C

0.1

100

1000

10 12 14 16 18 20

0.01

漏源电压： V

(V)

漏源电压： V

(V)

栅源电压： V

(V)

图1最高可安全

工作区

图2典型的输出特性

图3典型的转移

特征

栅极阈值电压：

GS （ TH）

(V)

静态漏源

通态电阻：

DS （ ON）

()

6.4

5.6

4.8

3.2

2.4

1.6

0.8

50 25

静态漏源

通态电阻：

DS （ ON）

()

=10V

=1mA

=10V

脉冲

Ta=25°C

脉冲

1.5

25°C

Ta=25°C

Ta=75°C

Ta=125°C

0.5

=8A

100 125 150

0.1

0.01

0.1

100

通道温度：T已

(°C)

漏电流：我

(A)

栅源电压： V

(V)

图4栅极阈值电压

与通道温度

图5静态漏源

导通状态电阻

与漏电流

图6静态漏源

通态电阻VS.

栅源电压

2/3

RDN080N25

晶体管

静态漏源

通态电阻：

DS （ ON）

()

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

50 25

=8A

正向传递

导纳： Yfs （ S）

0.5

25°C

Ta=25°C

Ta=75°C

Ta=125°C

反向漏电流：我

(A)

=10V

脉冲

=10V

脉冲

100

=0V

脉冲

25°C

Ta=25°C

Ta=75°C

Ta=125°C

0.2

0.1

100 125 150

0.05

0.05 0.1 0.2

0.5

0.01

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5

通道温度：T已

(°C)

漏电流：我

(A)

源极 - 漏极电压： V

(V)

图7静态漏源

通态电阻VS.

通道温度

图8正向转移导纳

与漏电流

图9反向漏电流随

源 - 漏电压

10000

225

200

175

150

125

100

=50V

=125V

=200V

1000

ISS （PF ）

100

OSS （PF ）

12.5

反向恢复时间：吨

（纳秒）

漏源电压：我

(V)

栅源电压： V

(V)

电容：C （PF ）

f=1MHz

=0V

Ta=25°C

脉冲

250

Ta=25°C

=8.0A

脉冲

1000

Ta=25°C

的di / dt = 100A /

=0V

脉冲

100

ISS （PF ）

=50V

=125V

=200V

0.01

0.1

100

0.1

100

漏源电压： V

(V)

总栅极电荷：Q

（ NC ）

反向漏电流：我

(A)

图10典型的电容与

漏源电压

图11动态输入特性

图12反向恢复时间

与反向漏电流

1000

归一化瞬时

保暖性： R（T ）

切换时间：

T（ NS ）

Ta=25°C

=100V

=10V

=10

脉冲

D=1

0.5

0.2

0.1

100

D（关闭）

0.1

0.05

0.02

Tc=25°C

TH（ CH-C ）

（ T） = R（T ） ·

=θ

TH（ CH-C ）

=3.57°C

/ W

D = PW

0.01

单脉冲

D（上）

0.1

100

10m

100m

漏电流：我

(A)

脉冲宽度： PW （ S）

图13开关特性的影响

图14归一化瞬时

热敏电阻与

脉冲宽度

3/3

附录

笔记

本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输

指无ROHM CO 。， LTD事先许可。

本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为

本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请

该规范将单独提供。

此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子

在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境

并决定在集合中的电路常数。

任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述

仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM

股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权

第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任

凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接

在使用这样的装置的。

一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或

以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业

利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利

罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。

本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。

本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。

本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用

（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气

电器及电子玩具）。

如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平

可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，

交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等

安全设备），请务必提前与我们的销售代表咨询。

关于出口管制令日本

产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）

订单在日本。

在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）

对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。

Appendix1-Rev1.0