数据表
齐纳二极管
RD2.0F到RD82F
齐纳二极管
1 W DO- 41玻璃密封包装
描述
NEC型RD ** F系列是DHD （双散热片二极管）
建筑平面型齐纳二极管具有可允许的
1瓦的功耗。
包装尺寸
（单位：毫米）
φ
0.8
特点
DHD （双散热片二极管）建设
平面工艺
V
Z
：应用E24标准
DO- 41玻璃密封包装
φ
3.0 MAX 。
电路的，
定电压，定电流，
波形限幅器，电涌吸收器等。
最大额定值（T
A
= 25°C)
°
功耗（ P）
正向电流（I
F
)
结温（T
j
)
存储温度（T
英镑
)
反向峰值功率（P
RSM
)
1 W（参见图1）的
200毫安
175°C
65
到+ 175℃
参照图9
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一号文件D13936EJ3V0DS00 （第3版）
（上一页第SC- 1007A ）
发布日期2000年6月 CP （ K）
日本印刷
25分钟。
应用
5最大。
阴极
迹象
25分钟。
1982
RD2.0F到RD82F
典型特征（T
A
= 25°C)
°
图。 1个P -T
A
等级
1.2
1.0
耗散功率P（ W）
0.8
0.6
0.4
0.2
= 20 mm
10 mm
5 mm
图。 2我
Z
-V
Z
特征
T
A
= 25°C
齐纳电压V
Z
(V)
典型值。
15
10
5
RD15F
RD12F
RD10F
RD8.2F
RD7.5F
RD6.8F
RD6.2F
RD5.1F
RD4.7F
RD3.9F
RD3.3F
RD2.7F
RD2.0F
I
F
（MA ）
600
400
200
0 0.5 1.0
V
Z
(V)
40
80
120
160
200
240
0
20
40 60
80 100 120 140 160 180 200
环境温度T
A
(°C)
图。 3我
Z
-V
Z
特征
T
A
= 25°C
典型值。
齐纳电压V
Z
(V)
40 35 30 25
20 15
1000
800
600
400
200
0 0.5 1.0
V
F
(V)
齐纳电流I
Z
（MA ）
图。 4我
Z
-V
Z
特征
T
A
= 25°C
齐纳电压V
Z
(V)
典型值。
100 90 80 70 60 50 40
I
F
（MA ）
I
F
（MA ）
600
400
200
0 0.5
2
V
F
(V)
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
RD39F
RD36F
20
RD33F
RD30F
40
RD27F
RD24F
RD22F
60
RD20F
RD18F
RD15F P
马克斯。
80
RD82F
RD75F
RD68F
RD62F
RD56F
RD51F
RD47F
RD43F
P
马克斯。
图。五
γ
Z
-V
Z
特征
V
Z
温度系数法
γ
Z
(%/°C)
V
Z
温度系数法
γ
Z
(%/°C)
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0
4
8 12 16 20 24 28 32 36 40 44
齐纳电压V
Z
(V)
%/°C
毫伏/°C的
40
32
24
16
8
0
8
16
24
32
40
V
Z
温度系数法
γ
Z
（毫伏/ ° C）
图。 6
γ
Z
-V
Z
特征
V
Z
温度系数法
γ
Z
（毫伏/ ° C）
0.1
%/°C
齐纳电流I
Z
（MA ）
齐纳电流I
Z
（MA ）
120
100
80
60
40
0.09
0.08
毫伏/°C的
0.07
0.06
40
50
60
70
80
90
齐纳电压V
Z
(V)
4
数据表D13936EJ3V0DS00
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