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3伏特英特尔
高级+引导块
快闪记忆体( C3)堆叠芯片级
套餐家庭
数据表
产品特点
闪存加SRAM
- 减少了内存的电路板空间
按要求,简化了PCB设计
复杂性
堆叠式芯片级封装( Stacked-
CSP )技术
- 最小的存储子系统足迹
- 面积: 8 ×10毫米的16Mbit ( 0.13微米)
闪存+ 2兆比特或4Mbit的SRAM
- 面积: 8 ×12毫米, 32兆( 0.13微米)
闪存+的4Mbit或8Mbit的SRAM
- 高度:1.20毫米16兆( 0.13微米)
闪存+ 2兆比特或4Mbit的SRAM和
32兆( 0.13微米)的Flash + 8Mbit的SRAM
- 高度:1.40毫米32兆( 0.13微米)
闪存+的4Mbit的SRAM
- 此系列还包括0.25微米,
0.18微米技术
先进的SRAM技术
- 70 ns访问时间
低功耗工作
- 低电压数据保留模式
英特尔
闪存数据集成( FDI)
软件
- 实时数据存储和代码
在执行相同的存储设备
- 全闪存文件管理器功能
高级+引导块闪存
- 70 ns访问时间为2.7 V
- 即时,个别块锁定
- 128位注册保护
- 12 V产品编程
- 超快速编程和擦除挂起
- 扩展级温度-25 ° C到+85°C
无阻塞架构
- 块大小为代码+数据存储
- 4 - K字参数块(数据)
- 64 KB的主块(代码)
每座100,000次擦写循环
低功耗工作
- 异步读取电流: 9毫安(闪存)
- 待机电流: 7 μA (闪存)
- 自动省电模式
闪存技术
- 0.25微米ETOX VI , 0.18微米ETOX
七和0.13微米ETOX 闪存第八
技术
- 28F160xC3 , 28F320xC3
3伏特英特尔
高级+引导块闪存( C3)堆叠式芯片级封装
(堆叠- CSP )的设备提供低功耗应用的功能丰富的解决方案。在C3
堆叠式CSP存储设备整合在一个封装闪存和静态RAM
低电压能力,实现最小的系统内存解决方案的外形与
高速,低功耗的操作。在C3堆叠CSP存储设备提供保护
注册和灵活的块锁,使下一代安全能力。结合
英特尔
闪存数据合成器(英特尔
外商直接投资)软件, C3堆叠CSP存储设备
提供了一种具有成本效益的,灵活的,码加数据存储解决方案。
注意:
本文件包含有关新产品的生产信息。规格
如有更改,恕不另行通知。验证与您当地的英特尔销售办事处,你有lat-
最后确定的设计之前, EST数据表。
252636-001
2003年2月,
信息在本文档提供有关英特尔产品。没有许可证,明示或隐含地
禁止翻供或其它的任何知识产权权利的授予此文档。除非在
英特尔销售条款与这些产品的条件,英特尔概不承担任何责任,英特尔公司不对
任何明示或暗示的担保,销售和/或使用英特尔产品,包括责任或担保
有关适用于某特定用途,适销性,或不侵犯任何专利,版权或其他
知识产权的担保。英特尔产品并非设计用于医疗,救生或延长生命的应用。
英特尔可能随时更改规格和产品说明,在任何时候,恕不另行通知。
3伏特英特尔高级+引导块闪存堆叠- CSP家庭可能包含勘误表可能导致设计缺陷或错误
该产品与已出版的规格有所差异。最新的勘误表备索。
MPEG是一个国际标准,视频压缩/解压缩由ISO促进。启用的MPEG编解码器或MPEG的实现
平台可能需要从不同的实体,包括英特尔公司的许可证。
请联系您当地的英特尔销售办事处或分销商,以获取最新的规格和订购产品之前。
哪个有顺序编号的文档或其他英特尔文献中提及的文件副本,可致电1-800-得到
548-4725或访问英特尔网站http://www.intel.com 。该产品系列的更多信息可通过访问英特尔获得
Flash网站: http://www.intel.com/design/flash 。
版权所有2003英特尔公司。
*其他名称和品牌可能是其他公司的财产。
2
数据表
目录
目录
1.0
Introduction....................................................................................................................................7
1.1
1.2
1.3
1.4
2.0
2.1
文档约定........................................................................................................7
产品概述.................................................................................................................7
包Ballout....................................................................................................................8
信号定义..................................................................................................................9
总线操作.....................................................................................................................11
2.1.1读......................................................................................................................11
2.1.2输出禁止.......................................................................................................12
2.1.3 Standby..................................................................................................................12
2.1.4闪存Reset............................................................................................................13
2.1.5写......................................................................................................................13
读阵列( FFH ) ................................................................................................................13
阅读标识符( 90H ) ...........................................................................................................13
读状态寄存器( 70H ) ............................................ .................................................. ..14
3.3.1清除状态寄存器( 50H ) ......................................... .......................................... 14
CFI查询( 98H ) ..................................................................................................................15
Word程序( 40H / 10H ) ....................................................................................................15
3.5.1暂停和恢复计划( B0H / D0H ) ..................................... .............. 15
块擦除( 20H) ...............................................................................................................16
3.6.1暂停和恢复擦除( B0H / D0H ) ..................................... .................. 16
块Locking......................................................................................................................18
3.7.1块锁定操作摘要........................................... ............................. 19
3.7.2锁定状态..........................................................................................................19
3.7.3解锁状态......................................................................................................19
3.7.4向下锁定状态...................................................................................................19
3.7.5读取块的锁定状态.......................................... .................................... 20
擦除过程中3.7.6锁定操作暂停.......................................... ................... 20
3.7.7状态寄存器错误检查........................................... .................................. 20
128位保护注册.............................................. .................................................. 0.21
3.8.1读保护注册........................................... ................................. 21
3.8.2编程保护寄存器空间(C0H ) ........................................ .................. 21
3.8.3锁定保护寄存器........................................... .................................. 22
上电/下Characteristics.........................................................................................23
附加的闪光灯功能...................................................................................................23
4.2.1改进的12伏产品编程.......................................... ................. 23
4.2.2 F- VPP < VPPLK了完整的保护....................................... ....................... 23
绝对最大额定值............................................... ................................................. 24
工作条件..........................................................................................................25
电容........................................................................................................................25
操作原理
...............................................................................................................11
3.0
闪存模式Operation............................................................................................13
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
4.0
电源和复位注意事项
..............................................................................................23
4.1
4.2
5.0
电气规格
.............................................................................................................24
5.1
5.2
5.3
数据表
3
目录
5.4
5.5
5.6
5.7
5.8
5.9
5.10
5.11
6.0
7.0
DC Characteristics.............................................................................................................. 26
闪光交流特性。 .................................................. ................................................. 29
闪存AC特征 - 写操作............................................ .......................... 31
闪存擦除和编程时序( 1 ) .......................................... ....................................... 31
闪存复位操作...................................................................................................... 34
SRAM交流特性读取操作............................................ ........................ 35
SRAM交流特性 - 写操作............................................ ........................ 37
SRAM数据保持特性,扩展温度....................................... 39
迁移指南信息
...................................................................................................... 40
系统设计Considerations..................................................................................................
41
7.1
Background......................................................................................................................... 41
7.1.1闪存+ SRAM足迹..........................................整合............................ 41
7.1.2高级+引导块闪存特性......................................... .......... 41
闪光控制注意事项............................................... .............................................. 41
7.2.1 F- RP #连接到系统复位....................................... ................................ 42
7.2.2 F- VCC , F- VPP和F - RP #转换.................................. .................................. 42
降噪................................................................................................................. 43
同时操作..................................................................................................... 44
闪存在7.4.1 SRAM操作“忙” ........................................ ........................... 45
7.4.2同步总线操作............................................ ................................... 45
印刷电路板的注意事项.............................................. .................................................. 45
系统设计说明摘要.............................................. ........................................... 45
7.2
7.3
7.4
7.5
7.6
附录A编程/擦除流程图
............................................................................................. 46
附录B CFI查询结构
........................................................................................................ 52
附录C字宽存储器映射图
............................................................................... 59
附录D设备ID表
................................................................................................................ 62
附录E保护寄存器寻址............................................. ........................................
63
附录F机械和运输媒体详细........................................... .............................
64
附录G其他信息
.................................................................................................... 68
附录H订购Information.......................................................................................................
69
4
数据表
目录
修订历史
日期
调整
02/11/03
VERSION
-001
描述
最初的版本,堆叠芯片级封装
数据表
5
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