<硅射频功率半导体>
RD35HUF2
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz时， 530MHz ， 35W
概要
制图
a'
0.10
24.60
18.00
描述
RD35HUF2是MOS FET型晶体管专
设计用于VHF / UHF RF功率放大器的应用程序。
1
A-A '部分
12.95
12.69
6.38
2
3
4
5.56
RD35HUF2
批号-G
○
特点
1.供应与磁带和卷轴。 500单位每卷。
2.用人模具套餐
3.高功率和高效率
噘嘴= 43Wtyp ，排水艾菲= 60 ％ （典型值）
@ VDS = 12.5V IDQ = 0.5A引脚= 3.0W F = 530MHz
噘嘴= 45Wtyp ，排水艾菲= 72 ％ （典型值）
@ VDS = 12.5V IDQ = 1.0A引脚= 3.0W F = 175MHz的
4.集成栅极保护二极管
3.10
5
3.15
6
a
7
3.63
0.22
8
0.34
0.10
3.65
2.40
4
引脚1 SOURCE （ COMMON ）
2.打开
3.排水
4.源（ COMMON ）
5. SOURCE （ COMMON ）
6.打开
7.门
8. SOURCE （ COMMON ）
3
RD35HUF2
2
1
13.40
○
批号-G
应用
对高功率放大器在VHF / UHF输出级
带移动无线电设备。
8
7
6
5
单位：mm
符合RoHS
RD35HUF2是符合RoHS标准的产品。符合RoHS指令的指示后，由该地块标记字母“ G” 。
该产品包括铅高温融化的焊料。
但是，它也适用于符合路线的下面的例外情况。
1.铅在高熔点类焊锡。 （即锡铅焊料含有85％以上的铅合金）。
出版日期： 2011年5月
1
5.87
3.
70
<硅射频功率半导体>
RD35HUF2
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz时， 530MHz ， 35W
绝对最大额定值
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
VDSS
VGSS
PCH
针
ID
总胆固醇
TSTG
RTH J-
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
散热通道
输入功率
漏电流
通道温度
储存温度
热阻
条件
Vgs=0V
Vds=0V
Tc=25°C
Zg=Zl=50Ω
-
-
-
结到外壳
评级
40
-5/+10
166
6
10
175
-40到+175
0.9
单位
V
V
W
W
A
°C
°C
° C / W
注：以上参数是独立的保证。
电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
I
DSS
*
I
GSS
*
V
TH
*
Pout1
D1
Pout2
D2
参数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
栅极阈值电压
输出功率
漏EF网络效率
输出功率
漏EF网络效率
条件
V
DS
=37V, V
GS
=0V
V
GS
=10V, V
DS
=0V
V
DS
= 12V，我
DS
=1mA
f=530MHz*,V
DS
=12.5V,
PIN = 3.0W ， IDQ = 500毫安
f=175MHz**,V
DS
=12.5V,
PIN = 3.0W ， IDQ = 500毫安
范围
最小典型最大。
-
-
150
-
-
2.5
1.6
2.0
2.4
-
43
-
-
60
-
-
45
-
-
72
-
-
-
单位
μA
μA
V
W
%
W
%
VSWR
VSWRT负载VSWR容差
所有相，V
DS
= 16.3V后增加
噘嘴调整为40W （ ZG / ZL = 50Ω ）
by
20:1
销（下F =为135MHz ** ，V
DS
=12.5V
和IDQ = 500mA）请
注：以上参数，收视率，限制和条件可能发生变化。
*在三菱UHF评估板
**在三菱VHF评估板
出版日期： 2011年5月
2
<硅射频功率半导体>
RD35HUF2
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz时， 530MHz ， 35W
典型特征
（这些仅仅是典型的曲线和设备不一定保证在这些曲线）。
V
DS
-I
DS
特征
5.0V
15
4.5V
Ta=+25
℃
I
DS
(A)
½½（
S)
V
GS
-I
DS
特征
10
9
8
7
Ta=+25
℃
V
DS
=10V
10
I
DS
(A)
4.0V
6
5
4
3
2
gm
5
3.5V
I
DS
0
0
2
4
6
8
V
DS
(V)
10
12
3.0V
V
GS
=2.7V
14
1
0
0
0.5
1
1.5
2
V
GS
(V)
2.5
3
3.5
4
V
DS
VS.西塞特性
300
250
200
西塞（PF ）
V
DS
VS.科斯特性
300
Ta=+25
℃
f=1MHz
Ta=+25℃
f=1MHz
250
200
COSS （PF ）
150
100
50
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
(V)
30
35
40
150
100
50
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
(V)
30
35
40
V
DS
VS. CRSS特性
30
25
20
CRSS （PF ）
Ta=+25
℃
f=1MHz
15
10
5
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
(V)
30
35
40
出版日期： 2011年5月
3
<硅射频功率半导体>
RD35HUF2
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz时， 530MHz ， 35W
VHF波段典型特征
（这些仅仅是典型的曲线和设备不一定保证在这些曲线）。
频率特性
@ F = 135 175MHz的
Ta=+25deg.C
VDS = 12.5V ， IDQ = 0.5A ，引脚= 3W
80
ηD
16
14
Gp
70
的Pout （W），汲极艾菲（％）
50
40
30
噘
10
8
国际直拨电话
6
20
4
130 135 140 145 150 155 160 165 170 175 180
F（兆赫）
出版日期： 2011年5月
4
GP （分贝） ，国际直拨电话（ A）
60
12
<硅射频功率半导体>
RD35HUF2
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz时， 530MHz ， 35W
VHF波段典型特征
（这些仅仅是典型的曲线和设备不一定保证在这些曲线）。
输出功率与输入功率
TA = + 25deg.C ， VDS = 12.5V ， IDQ = 0.5A
输入回波损耗与输出功率
TA = + 25deg.C ， VDS = 12.5V ， IDQ = 0.5A
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
引脚，输入功率（ W）
5
6
155MHz
135MHz
IRL ，输入回波损耗（分贝）
0
175MHz
噘嘴，输出功率（ W）
-5
-10
-15
-20
-25
-30
0
135MHz
155MHz
175MHz
10
20
30
40
50
噘嘴，输出功率（ W）
60
增益与输出功率
TA = + 25deg.C ， VDS = 12.5V ， IDQ = 0.5A
漏极效率与输出功率
TA = + 25deg.C ， VDS = 12.5V ， IDQ = 0.5A
21
20
GP ，功率增益（分贝）
80
155MHz
135MHz
175MHz
η ，漏极效率（ ％ ）
70
60
50
175MHz
155MHz
19
18
17
16
15
14
13
12
11
0
10
135MHz
40
30
20
10
0
20
30
40
50
噘嘴，输出功率（ W）
60
0
10
20
30
40
50
噘嘴，输出功率（ W）
60
出版日期： 2011年5月
5
QQ：2881677436 复制
