三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD15HVF1
制图
9.1±0.7
1.3±0.4
3.6±0.2
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz520MHz ， 15W
描述
RD15HVF1是MOS FET型晶体管专
专为VHF / UHF高功率放大器APPLICA
-tions 。
概要
3.2±0.4
12.3±0.6
4
9±0.4
特点
高功率和高增益：
Pout>15W ， Gp>14dB @ VDD = 12.5V ， F = 175MHz的
Pout>15W ， Gp>7dB @ VDD = 12.5V ， F = 520MHz的
高效率： 60 ％ （典型值） 。在VHF频段
高效率： 55 ％ （典型值） 。在UHF频段
4.8MAX
1.2±0.4
note(3)
7.5MIN
4.5±0.5
12.3MIN
0.8±0.15
1
2 3
3.1±0.6
应用
对高功率放大器在VHF / UHF输出级
带移动无线电设备。
2.5 2.5
5deg
0.62±0.2
9.5MAX
引脚
1 ： GATE
2 ：源
3 ：排水
4 ： FIN （ SOURCE ）
符合RoHS
注意：
（ 1 ）没有指定的Torelance意味着典型值。
尺寸以毫米。
(2)
：浸渍区
RD15HVF1-101是符合RoHS标准的产品。
：地面工作是铜的情况下帧分离暴露。
(3)
符合RoHS标准由后面的字母“G”表示
该地块标记。
该产品包括铅高温融化的焊料。
如何以往，它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead高温融化型焊锡（ ietin无铅焊料合金中含有较多的than85 ％的铅。 ）
RD15HVF1
三菱电机
1/9
2006年1月10日
9.3MIN
三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD15HVF1
单位
V
V
W
W
A
°C
°C
° C / W
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz520MHz ， 15W
绝对最大额定值
(Tc=25
°C
除非另有说明）
符号
V
DSS
V
GSS
PCH
针
ID
总胆固醇
TSTG
RTH J-
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
散热通道
输入功率
漏电流
通道温度
储存温度
热阻
条件
Vgs=0V
Vds=0V
Tc=25
°C
Zg=Zl=50
-
-
-
结到外壳
评级
30
+/-20
48
1.5(Note2)
4
150
-40到+150
2.6
注1 ：以上参数是独立的保证。
注2 ：在使用300MHz的规格为6W
电气特性
(Tc=25
°C
中，除非另有说明）
符号
I
DSS
I
GSS
V
TH
Pout1
ηD1
Pout2
ηD2
参数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
栅极阈值电压
输出功率
漏EF网络效率
输出功率
漏EF网络效率
负载VSWR容差
条件
V
DS
=17V, V
GS
=0V
V
GS
=10V, V
DS
=0V
V
DS
= 12V，我
DS
=1mA
V
DD
= 12.5V ，引脚= 0.6W ，
f=175MHz,Idq=0.5A
V
DD
= 12.5V ，引脚= 3W ，
f=520MHz,Idq=0.5A
V
DD
=15.2V,Po=15W(PinControl)
f=175MHz,Idq=0.5A,Zg=50
负载VSWR = 20 ： 1 （全期）
V
DD
=15.2V,Po=15W(PinControl)
f=520MHz,Idq=0.5A,Zg=50
负载VSWR = 20 ： 1 （全期）
范围
民
典型值最大值。
-
-
100
-
-
1
1.5
2.0
2.5
15
18
-
55
60
-
15
18
-
50
55
-
无破坏
单位
uA
uA
V
W
%
W
%
-
负载VSWR容差
无破坏
-
注：以上参数，收视率，限制和条件可能发生变化。
RD15HVF1
三菱电机
2/9
2006年1月10日
三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD15HVF1
VGS -IDS特征
10
8
6
4
2
0
Ta=+25°C
Vds=10V
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz520MHz ， 15W
典型特征
CHANNNEL损耗 -
环境温度
100
散热通道
P沟（W）的
80
40
20
0
0
40
80
120 160 200
环境温度Ta （ ° C）
IDS （ A）
60
0
2
4
6
VGS （ V）
8
10
VDS- IDS特征
10
Ta=+25°C
VDS VS.西塞特性
80
Vgs=10V
Vgs=9V
Vgs=8V
Vgs=7V
Vgs=6V
Vgs=5V
Ta=+25°C
f=1MHz
8
6
4
2
0
0
2
4
6
VDS （ V）
8
10
60
西塞（PF ）
40
20
0
0
5
10
VDS （ V）
15
20
IDS （ A）
Vgs=4V
Vgs=3V
VDS VS.科斯特性
100
80
COSS （PF ）
60
40
20
0
0
5
10
VDS （ V）
15
20
Ta=+25°C
f=1MHz
VDS VS. CRSS特性
10
8
CRSS （PF ）
6
4
2
0
0
5
10
VDS （ V）
15
20
Ta=+25°C
f=1MHz
RD15HVF1
三菱电机
3/9
2006年1月10日
三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD15HVF1
销宝特点
25
Po
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz520MHz ， 15W
典型特征
销宝特点
50
40
30
Gp
Ta=+25°C
f=175MHz
Vdd=12.5V
Idq=0.5A
100
Po
100
80
ηd
宝（DBM ） ，GP （分贝） ，国际直拨电话（ A）
80
噘嘴（W ） ，国际直拨电话（ A）
60
40
20
Ｉ½½
20
15
10
5
0
0.0
Ta=25°C
f=175MHz
Vdd=12.5V
Idq=0.5A
国际直拨电话
ηd(%)
20
10
0
0
10
20
PIN （ DBM）
30
40
20
0
0
0.5
销（W）的
1.0
1.5
销宝特点
50
40
30
20
Gp
Ta=+25°C
f=520MHz
Vdd=12.5V
Idq=0.5A
销宝特点
100
25
20
ηd
100
80
60
Po
Ta=25°C
f=520MHz
Vdd=12.5V
Idq=0.5A
Po
宝（DBM ） ，GP （分贝） ，国际直拨电话（ A）
80
60
40
20
Ｉ½½
噘嘴（W ） ，国际直拨电话（ A）
ηd(%)
η
½
10
5
0
0
1
2
3
销（W）的
4
40
20
0
10
0
0
10
20
PIN （ DBM）
30
40
国际直拨电话
0
5
6
VDD -宝特征
25
20
15
国际直拨电话
Ta=25°C
f=175MHz
Pin=0.6W
Idq=0.5A
ZG = ZI = 50欧姆
Po
VDD -宝特征
5
4
3
2
1
0
25
20
15
国际直拨电话
Ta=25°C
f=520MHz
Pin=3W
Idq=0.5A
ZG = ZI = 50欧姆
5
4
3
2
1
0
4
6
8
10
Vdd的（V）的
12
14
Po
IDD （ A）
宝（ W）
10
5
0
4
6
8
10
Vdd的（V）的
12
14
宝（ W）
10
5
0
RD15HVF1
三菱电机
4/9
2006年1月10日
IDD （ A）
ηd(%)
15
ηd(%)
η
½
60
三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD15HVF1
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz520MHz ， 15W
典型特征
VGS -IDS特征2
10
8
6
+75°C
Vds=10V
Tc=-25~+75°C
-25°C
+25°C
IDS （ A）
4
2
0
0
2
4
6
VGS （ V）
8
10
测试电路（ F = 175MHz时）
VGG
C1
VDD
9.1kOHM
L3
C3
8.2kOHM
100OHM
C2
L1
175MHz
RD15HVF1
L2
RF-在
56pF
56pF
RF -OUT
82pF
25pF
25pF
25PF 25PF 25PF
22
45
62
73
92
100
7
10pF的25PF 25PF
7
12
40
42
74
95
100
注：板料，聚四氟乙烯基板
微带线的宽度= 4.2毫米/ 50OHM ， ER ： 2.7 ， T = 1.6毫米
外形尺寸：毫米
C1 ： 2200pF 10uF的并行
C2 ： 2200pF * 2并行
C3 ： 2200pF ， 330UF并行
L1 ： 4Turns ， I.D6mm ， D1.6mm P = 1银plateted铜线
L2 ： 5Turns ， I.D6mm ， D1.6mm P = 1银plateted铜线
L3 ： 4Turns ， I.D6mm ， D1.6mm P = 1银plateted铜线
RD15HVF1
三菱电机
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2006年1月10日
三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD15HVF1
制图
9.1+/-0.7
1.3+/-0.4
3.6+/-0.2
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz520MHz ， 15W
描述
RD15HVF1是MOS FET型晶体管专
专为VHF / UHF高功率放大器APPLICA
-tions 。
概要
3.2+/-0.4
12.3MIN
高功率和高增益：
Pout>15W ， Gp>14dB @ VDD = 12.5V ， F = 175MHz的
Pout>15W ， Gp>7dB @ VDD = 12.5V ， F = 520MHz的
高效率： 60 ％ （典型值） 。在VHF频段
高效率： 55 ％ （典型值） 。在UHF频段
4.8MAX
9+/-0.4
特点
12.3+/-0.6
2
1.2+/-0.4
0.8+0.10/-0.15
1 2 3
应用
3.1+/-0.6
5deg
4.5+/-0.5
对高功率放大器在VHF / UHF输出级
带移动无线电设备。
0.5+0.10/-0.15
2.5 2.5
符合RoHS
9.5MAX
注意：
RD15HVF1-101是符合RoHS标准的产品。
没有指定的Torelance意味着典型值。
符合RoHS标准用字母“G”的很多指示后
尺寸以毫米。
标记。
该产品包括铅高温融化的焊料。
如何以往，它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead高温融化型焊锡（ ietin无铅焊料合金中含有较多的than85 ％的铅。 ）
引脚
1 ： GATE
2 ：源
3 ：排水
RD15HVF1
三菱电机
1/9
2008年3月7日
三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD15HVF1
单位
V
V
W
W
A
°C
°C
° C / W
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz520MHz ， 15W
绝对最大额定值
(Tc=25
°C
除非另有说明）
符号
V
DSS
V
GSS
PCH
针
ID
总胆固醇
TSTG
RTH J-
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
散热通道
输入功率
漏电流
通道温度
储存温度
热阻
条件
Vgs=0V
Vds=0V
Tc=25
°C
Zg=Zl=50
-
-
-
结到外壳
评级
30
+/-20
48
1.5(Note2)
4
150
-40到+150
2.6
注1 ：以上参数是独立的保证。
注2 ：在使用300MHz的规格为6W
电气特性
(Tc=25
°C
中，除非另有说明）
符号
I
DSS
I
GSS
V
TH
Pout1
ηD1
Pout2
ηD2
参数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
栅极阈值电压
输出功率
漏EF网络效率
输出功率
漏EF网络效率
负载VSWR容差
条件
V
DS
=17V, V
GS
=0V
V
GS
=10V, V
DS
=0V
V
DS
= 12V，我
DS
=1mA
V
DD
= 12.5V ，引脚= 0.6W ，
f=175MHz,Idq=0.5A
V
DD
= 12.5V ，引脚= 3W ，
f=520MHz,Idq=0.5A
V
DD
=15.2V,Po=15W(PinControl)
f=175MHz,Idq=0.5A,Zg=50
负载VSWR = 20 ： 1 （全期）
V
DD
=15.2V,Po=15W(PinControl)
f=520MHz,Idq=0.5A,Zg=50
负载VSWR = 20 ： 1 （全期）
范围
民
典型值最大值。
-
-
100
-
-
1
1.5
2.0
2.5
15
18
-
55
60
-
15
18
-
50
55
-
无破坏
单位
uA
uA
V
W
%
W
%
-
负载VSWR容差
无破坏
-
注：以上参数，收视率，限制和条件可能发生变化。
RD15HVF1
三菱电机
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2008年3月7日
三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD15HVF1
VGS -IDS特征
10
8
6
4
2
0
Ta=+25°C
Vds=10V
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz520MHz ， 15W
典型特征
CHANNNEL损耗 -
环境温度
100
散热通道
P沟（W）的
80
40
20
0
0
40
80
120 160 200
环境温度Ta （ ° C）
IDS （ A）
60
0
2
4
6
VGS （ V）
8
10
VDS- IDS特征
10
Ta=+25°C
VDS VS.西塞特性
80
Vgs=10V
Vgs=9V
Vgs=8V
Vgs=7V
Vgs=6V
Vgs=5V
Ta=+25°C
f=1MHz
8
6
4
2
0
0
2
4
6
VDS （ V）
8
10
60
西塞（PF ）
40
20
0
0
5
10
VDS （ V）
15
20
IDS （ A）
Vgs=4V
Vgs=3V
VDS VS.科斯特性
100
80
COSS （PF ）
60
40
20
0
0
5
10
VDS （ V）
15
20
Ta=+25°C
f=1MHz
VDS VS. CRSS特性
10
8
CRSS （PF ）
6
4
2
0
0
5
10
VDS （ V）
15
20
Ta=+25°C
f=1MHz
RD15HVF1
三菱电机
3/9
2008年3月7日
三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD15HVF1
销宝特点
25
Po
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz520MHz ， 15W
典型特征
销宝特点
50
40
30
Gp
Ta=+25°C
f=175MHz
Vdd=12.5V
Idq=0.5A
100
Po
100
80
ηd
宝（DBM ） ，GP （分贝） ，国际直拨电话（ A）
80
噘嘴（W ） ，国际直拨电话（ A）
60
40
20
Ｉ½½
20
15
10
5
0
0.0
Ta=25°C
f=175MHz
Vdd=12.5V
Idq=0.5A
国际直拨电话
ηd(%)
20
10
0
0
10
20
PIN （ DBM）
30
40
20
0
0
0.5
销（W）的
1.0
1.5
销宝特点
50
40
30
20
Gp
Ta=+25°C
f=520MHz
Vdd=12.5V
Idq=0.5A
销宝特点
100
25
20
ηd
100
80
60
Po
Ta=25°C
f=520MHz
Vdd=12.5V
Idq=0.5A
Po
宝（DBM ） ，GP （分贝） ，国际直拨电话（ A）
80
60
40
20
Ｉ½½
噘嘴（W ） ，国际直拨电话（ A）
ηd(%)
η
½
10
5
0
0
1
2
3
销（W）的
4
40
20
0
10
0
0
10
20
PIN （ DBM）
30
40
国际直拨电话
0
5
6
VDD -宝特征
25
20
15
国际直拨电话
Ta=25°C
f=175MHz
Pin=0.6W
Idq=0.5A
ZG = ZI = 50欧姆
Po
VDD -宝特征
5
4
3
2
1
0
25
20
15
国际直拨电话
Ta=25°C
f=520MHz
Pin=3W
Idq=0.5A
ZG = ZI = 50欧姆
5
4
3
2
1
0
4
6
8
10
Vdd的（V）的
12
14
Po
IDD （ A）
宝（ W）
10
5
0
4
6
8
10
Vdd的（V）的
12
14
宝（ W）
10
5
0
RD15HVF1
三菱电机
4/9
2008年3月7日
IDD （ A）
ηd(%)
15
ηd(%)
η
½
60
三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD15HVF1
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz520MHz ， 15W
典型特征
VGS -IDS特征2
10
8
6
+75°C
Vds=10V
Tc=-25~+75°C
-25°C
+25°C
IDS （ A）
4
2
0
0
2
4
6
VGS （ V）
8
10
测试电路（ F = 175MHz时）
VGG
C1
VDD
9.1kOHM
L3
C3
8.2kOHM
100OHM
C2
L1
175MHz
RD15HVF1
L2
RF-在
56pF
56pF
RF -OUT
82pF
25pF
25pF
25PF 25PF 25PF
22
45
62
73
92
100
7
10pF的25PF 25PF
7
12
40
42
74
95
100
注：板料，聚四氟乙烯基板
微带线的宽度= 4.2毫米/ 50OHM ， ER ： 2.7 ， T = 1.6毫米
外形尺寸：毫米
C1 ： 2200pF 10uF的并行
C2 ： 2200pF * 2并行
C3 ： 2200pF ， 330UF并行
L1 ： 4Turns ， I.D6mm ， D1.6mm P = 1银plateted铜线
L2 ： 5Turns ， I.D6mm ， D1.6mm P = 1银plateted铜线
L3 ： 4Turns ， I.D6mm ， D1.6mm P = 1银plateted铜线
RD15HVF1
三菱电机
5/9
2008年3月7日
硅射频功率半导体
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD15HVF1
制图
9.1+/-0.7
1.3+/-0.4
3.6+/-0.2
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz520MHz ， 15W
描述
RD15HVF1是MOS FET型晶体管专
专为VHF / UHF高功率放大器APPLICA
-tions 。
概要
3.2+/-0.4
12.3MIN
高功率和高增益：
Pout>15W ， Gp>14dB @ VDD = 12.5V ， F = 175MHz的
Pout>15W ， Gp>7dB @ VDD = 12.5V ， F = 520MHz的
高效率： 60 ％ （典型值） 。在VHF频段
高效率： 55 ％ （典型值） 。在UHF频段
4.8MAX
9+/-0.4
特点
12.3+/-0.6
2
1.2+/-0.4
0.8+0.10/-0.15
1 2 3
应用
3.1+/-0.6
5deg
4.5+/-0.5
对高功率放大器在VHF / UHF输出级
带移动无线电设备。
0.5+0.10/-0.15
2.5 2.5
符合RoHS
9.5MAX
注意：
RD15HVF1-101是符合RoHS标准的产品。
没有指定的Torelance意味着典型值。
符合RoHS标准用字母“G”的很多指示后
尺寸以毫米。
标记。
该产品包括铅高温融化的焊料。
如何以往，它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead高温融化型焊锡（ ietin无铅焊料合金中含有较多的than85 ％的铅。 ）
引脚
1 ： GATE
2 ：源
3 ：排水
RD15HVF1
2010年7月6日
1/10
硅射频功率半导体
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD15HVF1
单位
V
V
W
W
A
°C
°C
° C / W
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz520MHz ， 15W
绝对最大额定值
(Tc=25
°C
除非另有说明）
符号
V
DSS
V
GSS
PCH
针
ID
总胆固醇
TSTG
RTH J-
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
散热通道
输入功率
漏电流
通道温度
储存温度
热阻
条件
Vgs=0V
Vds=0V
Tc=25
°C
Zg=Zl=50
-
-
-
结到外壳
评级
30
+/-20
48
1.5(Note2)
4
150
-40到+150
2.6
注1 ：以上参数是独立的保证。
注2 ：在使用300MHz的规格为6W
电气特性
(Tc=25
°C
中，除非另有说明）
符号
I
DSS
I
GSS
V
TH
Pout1
ηD1
Pout2
ηD2
参数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
栅极阈值电压
输出功率
漏EF网络效率
输出功率
漏EF网络效率
负载VSWR容差
条件
V
DS
=17V, V
GS
=0V
V
GS
=10V, V
DS
=0V
V
DS
= 12V，我
DS
=1mA
V
DD
= 12.5V ，引脚= 0.6W ，
f=175MHz,Idq=0.5A
V
DD
= 12.5V ，引脚= 3W ，
f=520MHz,Idq=0.5A
V
DD
=15.2V,Po=15W(PinControl)
f=175MHz,Idq=0.5A,Zg=50
负载VSWR = 20 ： 1 （全期）
V
DD
=15.2V,Po=15W(PinControl)
f=520MHz,Idq=0.5A,Zg=50
负载VSWR = 20 ： 1 （全期）
范围
民
典型值最大值。
-
-
100
-
-
1
1.5
2.0
2.5
15
18
-
55
60
-
15
18
-
50
55
-
无破坏
单位
uA
uA
V
W
%
W
%
-
负载VSWR容差
无破坏
-
注：以上参数，收视率，限制和条件可能发生变化。
RD15HVF1
2010年7月6日
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硅射频功率半导体
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD15HVF1
VGS -IDS特征
10
8
6
4
2
0
Ta=+25°C
Vds=10V
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz520MHz ， 15W
典型特征
CHANNNEL损耗 -
环境温度
100
散热通道
P沟（W）的
80
40
20
0
0
40
80
120 160 200
环境温度Ta （ ° C）
IDS （ A）
60
0
2
4
6
VGS （ V）
8
10
VDS- IDS特征
10
Ta=+25°C
VDS VS.西塞特性
80
Vgs=10V
Vgs=9V
Vgs=8V
Vgs=7V
Vgs=6V
Vgs=5V
Ta=+25°C
f=1MHz
8
6
4
2
0
0
2
4
6
VDS （ V）
8
10
60
西塞（PF ）
40
20
0
0
5
10
VDS （ V）
15
20
IDS （ A）
Vgs=4V
Vgs=3V
VDS VS.科斯特性
100
80
COSS （PF ）
60
40
20
0
0
5
10
VDS （ V）
15
20
Ta=+25°C
f=1MHz
VDS VS. CRSS特性
10
8
CRSS （PF ）
6
4
2
0
0
5
10
VDS （ V）
15
20
Ta=+25°C
f=1MHz
RD15HVF1
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硅射频功率半导体
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD15HVF1
销宝特点
25
Po
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz520MHz ， 15W
典型特征
销宝特点
50
40
30
Gp
Ta=+25°C
f=175MHz
Vdd=12.5V
Idq=0.5A
100
Po
100
80
ηd
宝（DBM ） ，GP （分贝） ，国际直拨电话（ A）
80
60
40
20
Ｉ½½
20
噘嘴（W ） ，国际直拨电话（ A）
15
10
5
0
0.0
Ta=25°C
f=175MHz
Vdd=12.5V
Idq=0.5A
国际直拨电话
ηd(%)
20
10
0
0
10
20
PIN （ DBM）
30
40
20
0
0
0.5
销（W）的
1.0
1.5
销宝特点
50
40
30
20
Gp
Ta=+25°C
f=520MHz
Vdd=12.5V
Idq=0.5A
销宝特点
100
25
20
ηd
100
80
60
Po
Ta=25°C
f=520MHz
Vdd=12.5V
Idq=0.5A
Po
宝（DBM ） ，GP （分贝） ，国际直拨电话（ A）
80
60
40
20
Ｉ½½
噘嘴（W ） ，国际直拨电话（ A）
ηd(%)
η
½
10
5
0
0
1
2
3
销（W）的
4
40
20
0
10
0
0
10
20
PIN （ DBM）
30
40
国际直拨电话
0
5
6
VDD -宝特征
25
20
15
国际直拨电话
Ta=25°C
f=175MHz
Pin=0.6W
Idq=0.5A
ZG = ZI = 50欧姆
Po
VDD -宝特征
5
4
3
2
1
0
25
20
15
国际直拨电话
Ta=25°C
f=520MHz
Pin=3W
Idq=0.5A
ZG = ZI = 50欧姆
5
4
3
2
1
0
4
6
8
10
Vdd的（V）的
12
14
Po
IDD （ A）
宝（ W）
10
5
0
4
6
8
10
Vdd的（V）的
12
14
宝（ W）
10
5
0
RD15HVF1
4/10
IDD （ A）
ηd(%)
15
ηd(%)
η
½
60
2010年7月6日
硅射频功率半导体
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD15HVF1
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz520MHz ， 15W
典型特征
VGS -IDS特征2
10
8
6
+75°C
Vds=10V
Tc=-25~+75°C
-25°C
+25°C
IDS （ A）
4
2
0
0
2
4
6
VGS （ V）
8
10
测试电路（ F = 175MHz时）
VGG
C1
VDD
9.1kOHM
L3
C3
8.2kOHM
100OHM
C2
L1
175MHz
RD15HVF1
L2
RF-在
56pF
56pF
RF -OUT
82pF
25pF
25pF
25PF 25PF 25PF
22
45
62
73
92
100
7
10pF的25PF 25PF
7
12
40
42
74
95
100
注：板料，聚四氟乙烯基板
微带线的宽度= 4.2毫米/ 50OHM ， ER ： 2.7 ， T = 1.6毫米
外形尺寸：毫米
C1 ： 2200pF 10uF的并行
C2 ： 2200pF * 2并行
C3 ： 2200pF ， 330UF并行
L1 ： 4Turns ， I.D6mm ， D1.6mm P = 1银plateted铜线
L2 ： 5Turns ， I.D6mm ， D1.6mm P = 1银plateted铜线
L3 ： 4Turns ， I.D6mm ， D1.6mm P = 1银plateted铜线
RD15HVF1
2010年7月6日
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