RD151TS3312ARP ， RD151TS3322ARP
扩频时钟的EMI解决方案
REJ03D0793-0100
Rev.1.00
2006年5月11日
描述
RD151TS3312ARP和RD151TS3322ARP是一个高性能的扩频时钟产生器。它适合于
电力系统的EMI解决方案。
特点
支持10MHz到20MHz的操作。多速率（ XIN ： SSCOUT ） = 1 ： 1
输入频率10兆赫至20兆赫
扩频调制; RD151TS3312ARP ：
±1.5%, ±0.5%
（中央扩频调制）
RD151TS3322ARP ： -3.0 ％ ， -1.0 ％ （向下扩频调制）
关键的特定连接的阳离子
电源电压： V
DD
= 3.3 V ±0.3 V
循环周期抖动=
±100
ps的典型。
时钟输出占空比= 50±5％
输出压摆率= 0.7 V / ns的典型值。
订购信息
部件名称
套餐类型
SOP- 8引脚
（ JEDEC ）
封装代码
（以前的代码）
PRSP0008DD-C
(FP-8DCV)
RP
包
缩写
大坪缩写
（数量）
H（ 2500个/卷）
RD151TS3312ARPH0
RD151TS3322ARPH0
框图
VDD
GND
NC
XIN
1/M
R = 1 MΩ
XOUT
OSC
合成
1/N
SSC调制器
SSCOUT
SEL
R = 350 kΩ的
SSN
模式控制
R = 350 kΩ的
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RD151TS3312ARP ， RD151TS3322ARP
管脚配置
XIN
1
8
VDD
XOUT
2
7
SEL
NC
3
6
SSCOUT
SSN
4
5
GND
（ TOP VIEW ）
引脚说明
引脚名称
GND
VDD
NC
SSCOUT
XIN
XOUT
SEL
SSN
号
5
8
3
6
1
2
7
4
TYPE
地
动力
NC
产量
输入
产量
输入
输入
描述
GND引脚
电源引脚。
不要连接任何VDD或GND 。
扩频调制的时钟输出。
振荡器输入。
振荡器输出。
SSC ％模式选择引脚。 LVCMOS电平输入。
下拉内部电阻（ 350千欧） 。
SSC ON / OFF选择引脚。 LVCMOS电平输入。
下拉内部电阻（ 350千欧） 。
SSC功能表
机顶盒
0
0
1
1
注意：
SEL
0
1
0
1
RD151TS3312ARP （中央价差）
±1.5%*
1
±0.5%
关闭
RD151TS3322ARP （向下蔓延）
–3.0%*
1
–1.0%
关闭
1.
±1.5%(TS3312ARP)
/ -3.0 ％ （ TS3322ARP ） SSC被选择为默认的内部下拉电阻。
时钟频率表
产品
RD151TS3312ARP
RD151TS3322ARP
XIN （兆赫）
10至20
10至20
SSCOUT （兆赫）
10至20
10至20
乘率（ XIN ： SSCOUT ）
1:1
1:1
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RD151TS3312ARP ， RD151TS3322ARP
绝对最大额定值
项
电源电压
输入电压
输出电压
*1
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
最大功率耗散
储存温度
符号
V
DD
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
T
英镑
评级
-0.5到4.6
-0.5到4.6
-0.5到V
DD
+0.5
–50
–50
±50
0.7
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
W
°C
条件
V
I
＆ LT ; 0
V
O
＆ LT ; 0
V
O
= 0至V
DD
TA = 55 ° C（在静止空气中）
注：超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。
1.输入和输出负电压额定值可能会超过如果输入和输出钳位电流额定值
被观察到。
推荐工作条件
项
电源电压
直流输入信号电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输入时钟的占空比
工作温度
符号
V
DD
V
IH
V
IL
T
a
民
3.0
–0.3
0.7×V
DD
–0.3
45
–20
典型值
3.3
—
—
—
50
—
最大
3.6
V
DD
+0.3
V
DD
+0.3
0.3×V
DD
55
85
单位
V
V
V
V
%
°C
条件
DC电气特性
TA = -2085 ° C，V
DD
= 3.0 3.6 V
项
输入电流
符号
I
I
民
—
—
输入电容
C
I
—
典型值
—
—
3
最大
±20
±100
—
pF
单位
A
测试条件
V
I
= 0 V或3.6 V ，V
DD
= 3.6 V,
XIN引脚
V
I
= 0 V或3.6 V ，V
DD
= 3.6 V,
SEL ， SSN销
SEL ， SSN销
直流电气特性/ SSC时钟输出
TA = -2085 ° C，V
DD
= 3.0 3.6 V
项
输出电压
输出电流
输出阻抗
符号
V
OH
V
OL
I
OH
I
OL
民
V
DD
–0.2
—
—
—
—
典型值
—
—
–13
13
40
最大
—
200
—
—
—
单位
V
mV
mA
测试条件
I
OH
= -1毫安
I
OL
= 1毫安
V
OH
= 1.5 V, V
DD
= 3.3 V
V
OL
= 1.5 V, V
DD
= 3.3 V
注：参数是目标设计的。不是100 ％生产测试。
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RD151TS3312ARP ， RD151TS3322ARP
AC电气特性/ SSC时钟输出
TA = 25C ，V
DD
= 3.3 V ，C
L
= 15 pF的
项
工作电流
循环周期抖动*
1
符号
I
DD
t
CCS
民
—
—
典型值
12
|100|
最大
17
—
单位
mA
ps
测试条件
V
DD
= 3.3 V ，C
L
= 15 pF的，
XIN = 20 MHz的
SEL = 0 ，C
L
= 0 pF的
SSC =
±1.5%
(TS3312ARP)
SSC = -3.0 ％ （ TS3322ARP ）
V
DD
= 3.3 V,
0.2
×
V
DD
0.8
×
V
DD
笔记
图1
压摆率
t
SL
—
0.7
4.0
V / ns的
时钟占空比
45
50
55
%
*2
稳定时间
—
—
2
ms
注：参数为目标设计的。不是100 ％生产测试。
1.循环周期抖动包括扩频调制。
2.稳定时间后，得到其输入信号的相位锁定所需要的集成电路的时间
电。
SSCOUT
t周期
t周期N + 1
t
CCS
= （ t周期N）
–
（ t周期N + 1 ）
图1周期到周期抖动
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RD151TS3312ARP ， RD151TS3322ARP
应用信息
1.推荐的电路配置
在一个系统中的应用的最佳性能的电源电路，应参考图2 。
VDD去耦重要的是既减少抖动和EMI辐射。
该C1去耦电容应尽可能靠近VDD引脚放置，否则增加的痕迹
电感会否定它的去耦能力。
XIN
（晶体或参考输入）
XOUT
（水晶或不连接）
NC
1
8
C1
C2
VDD
2
7
SEL
R1
GND GND
3
6
SSCOUT
SSN
4
5
GND
注意事项：
C1 =高频电源去耦电容。
(0.1
F
推荐）
C2 =低频电源去耦电容。
(22
F
推荐）
R1 =匹配值的线路阻抗。
图2推荐的电路配置
Rev.1.00 2006年5月11日第5页8
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