三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD12MVP1
(a)
0.2+/-0.05
0.65+/-0.2
(c)
(b)
(b)
7.0+/-0.2
8.0+/-0.2
6.2+/-0.2
5.6+/-0.2
(d)
4.2+/-0.2
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz的， 10W
描述
RD12MVP1是MOS FET型晶体管
专为VHF射频功率设计
放大器的应用。
外形绘图
特点
高功率增益
Pout>10W ， Gp>13dB @ VDD = 7.2V ， F = 175MHz的
高效率： 55 ％以上。 （ 175MHz时）
无栅极保护二极管
索引标记
[门]
(3.6)
(4.5)
0.95+/-0.2
2.6+/-0.2
顶视图
细节A
SIDE VIEW
1.8+/-0.1
底部视图
号航站楼
（一）排水[输出]
（二）来源[ GND ]
（三）门[输入]
（四）信息来源
对高功率放大器的输出级
VHF频段无线移动台。
SIDE VIEW
僵持= MAX 0.05
应用
0.7+/-0.1
单位：mm
细节A
注意事项：
1. （ ）典型值
符合RoHS
RD12MVP1是符合RoHS标准的产品。
符合RoHS指令的指示后，由该地块标记字母“ G” 。该产品包括铅高
高熔点焊料。但是，它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead高温融化型焊料（即锡铅合金年长含有较多than85 ％的铅。 ）
绝对最大额定值
(Tc=25
°C
中，除非另有说明）
符号
V
DSS
V
GSS
ID
针
PCH
Tj
TSTG
Rthj -C
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
输入功率
散热通道
结温
储存温度
热阻
条件
V
GS
=0V
V
DS
=0V
Zg=Zl=50
Tc=25
°C
评级
60
-5至+20
4.0
1.0
125
+150
-40到+125
1.5
单位
V
V
A
W
W
°C
°C
° C / W
结到外壳
注：以上参数是独立的保证。
电气特性
符号
I
DSS
I
GSS
V
TH
噘
ηD
参数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
栅极阈值电压
输出功率
漏EF网络效率
(Tc=25
°C
中，除非另有说明）
条件
V
DS
=17V, V
GS
=0V
V
GS
=10V, V
DS
=0V
V
DS
= 12V，我
DS
=1mA
f=175MHz,V
DD
=7.2V
Pin=0.5W,Idq=1.0A
V
DD
= 9.5V ， PO = 10W （引脚控制）
f=175MHz,Idq=1.0A,Zg=50
负载VSWR = 20 ： 1 （全期）
范围
分钟。典型值。马克斯。
-
-
10
-
-
1.0
1.8
-
4.4
10
12
-
55
57
-
无破坏
单位
uA
uA
V
W
%
-
VSWRT负载VSWR容差
注：以上参数，收视率，限制和条件可能发生变化。
RD12MVP1
三菱电机
1/7
2006年6月1日
三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD12MVP1
VGS -IDS特征
7
6
5
Ta=+25°C
Vds=10V
IDS
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz的， 10W
典型特征
60
CHANNEL耗散P沟道（W
50
40
30
20
10
0
0
40
80
120
160
环境温度Ta （度：C ）。
200
在PCB与特马尔表
和散热器
（尺寸： 41 X 55毫米，T = 7.2毫米）
漏损耗 -
环境温度
* PCB ：玻璃环氧树脂（尺寸： 46.4 X 40.0毫米，T = 0.8mm）的
热板： GELTEC COOH -4000 （ T = 0.5mm）的
IDS （ A）
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
VGS （ V）
5
6
7
VDS- IDS特征
9
8
7
6
IDS （ A）
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
VDS （ V）
6
7
8
9
Vgs=4.5V
Vgs=5.5V
Vgs=6.5V
Ta=+25°C
Vgs=7.5V
VDS VS.西塞特性
160
140
120
西塞（PF ）
100
80
60
40
20
0
0
5
10
VDS （ V）
15
20
Ta=+25°C
f=1MHz
VDS VS.科斯特性
160
140
120
COSS （PF ）
CRSS （PF ）
100
80
60
40
20
0
0
5
10
VDS （ V）
15
20
Ta=+25°C
f=1MHz
VDS VS. CRSS特性
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
VDS （ V）
15
20
Ta=+25°C
f=1MHz
RD12MVP1
三菱电机
2/7
2006年6月1日
三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD12MVP1
销宝特性@ F = 175MHz的
90
Po
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz的， 10W
典型特征
销宝特性@ F = 175MHz的
14
40
宝（DBM ） ，GP （分贝） ，国际直拨电话（ A）
Ta=+25°C
f=175MHz
Vdd=7.2V
Idq=1.0A
Po
80
12
噘嘴（W ） ，国际直拨电话（ A）
10
8
6
4
2
80
70
ηd(%)
ηd
Ta=25°C
f=175MHz
Vdd=7.2V
Idq=1.0A
国际直拨电话
30
η
½
Gp
60
ηd(%)
60
50
40
30
20
1.5
20
40
10
Ｉ½½
20
0
0
5
10
15
20
PIN （ DBM）
25
30
0
0
0.0
0.5
销（W）的
1.0
VDD -宝特性@ F = 175MHz的
30
Ta=25°C
f=175MHz
Pin=0.6W
Idq=1.0A
ZG = ZI = 50欧姆
Po
6
25
20
5
国际直拨电话
宝（ W）
15
10
3
2
5
4
6
8
Vdd的（V）的
10
12
1
RD12MVP1
IDD （ A）
4
三菱电机
3/7
2006年6月1日
三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD12MVP1
VDD
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz的， 10W
测试电路（ F = 175MHz时）
VGG
C1
W 19毫米
19毫米W
RD12MVP1
175MHz
L2
4.7K欧姆
9.5mm
L1
100pF
C2
22uF,50V
RF-在
330pF
47pF
17mm
3.5mm
47pF
14mm
RF -OUT
330pF
3mm
9.5mm
3mm
24pF
9mm
54pF
注：板材质=玻纤环氧基板
微带线的宽度= 1.3毫米/ 50OHM ， ER = 4.8 ， T = 0.8毫米
W：线宽= 1.0毫米
L1 ： 10.8nH ， 4Turns ， D： 0.43毫米， 1.66毫米（外径）
L2 ： 43.7nH ， 6Turns ， D： 0.43毫米， 2.46毫米（外径）
C1，C2 ： 2200pF
RD12MVP1
三菱电机
4/7
2006年6月1日
三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD12MVP1
S22
（ ANG）
-16.8
-20.5
-25.7
-27.3
-31.1
-30.0
-34.0
-30.9
-31.7
-24.1
-20.9
-13.8
-1.5
16.0
35.4
43.3
53.6
58.5
63.6
68.8
73.9
72.4
74.8
79.1
77.0
77.2
79.2
78.9
79.9
78.9
80.1
79.0
79.6
79.3
78.3
80.7
78.8
（ MAG ）
0.743
0.766
0.783
0.799
0.825
0.845
0.864
0.871
0.879
0.888
0.901
0.915
0.918
0.917
0.922
0.928
0.935
0.943
0.941
0.941
0.945
0.949
0.950
0.952
0.954
0.951
0.955
0.957
0.958
0.961
0.954
0.960
0.958
0.962
0.964
0.964
0.962
（ ANG）
-162.7
-164.0
-165.6
-166.4
-167.2
-167.7
-168.6
-169.6
-170.4
-171.3
-172.1
-172.9
-173.6
-174.4
-174.8
-175.5
-176.3
-176.8
-177.1
-177.8
-178.3
-178.9
-179.5
-179.8
179.8
179.4
178.9
178.6
178.1
177.7
177.5
177.3
176.8
176.4
176.0
176.0
175.8
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz的， 10W
RD12MVP1 S参数数据（ @ VDD = 7.2V ，ID = 500mA）请
频率。
[兆赫]
100
125
150
175
200
225
250
275
300
325
350
375
400
425
450
475
500
525
550
575
600
625
650
675
700
725
750
775
800
825
850
875
900
925
950
975
1000
S11
（ MAG ）
0.782
0.801
0.817
0.833
0.847
0.860
0.872
0.882
0.894
0.901
0.910
0.917
0.918
0.923
0.930
0.933
0.938
0.939
0.942
0.943
0.946
0.950
0.950
0.953
0.952
0.954
0.955
0.954
0.955
0.958
0.958
0.956
0.958
0.956
0.958
0.957
0.959
（ ANG）
-165.5
-166.9
-168.0
-168.8
-169.7
-170.6
-171.6
-172.4
-173.0
-173.5
-174.2
-175.2
-176.1
-176.7
-177.2
-177.7
-178.1
-178.8
-179.3
179.7
179.5
179.1
178.8
178.3
177.9
177.5
176.9
176.4
176.3
175.9
175.6
175.1
174.5
174.3
174.0
173.8
173.6
（ MAG ）
6.105
4.716
3.724
3.023
2.519
2.137
1.828
1.569
1.361
1.193
1.062
0.947
0.844
0.756
0.683
0.623
0.568
0.520
0.477
0.439
0.407
0.378
0.350
0.327
0.306
0.286
0.268
0.252
0.238
0.225
0.213
0.203
0.192
0.182
0.175
0.166
0.158
S21
（ ANG）
69.0
62.4
56.4
51.6
47.5
43.5
39.6
36.0
33.4
31.0
28.5
25.9
23.5
21.5
20.4
18.7
17.2
15.7
14.3
13.3
12.2
11.3
10.4
9.8
8.9
8.3
7.7
7.2
7.0
6.4
5.9
5.5
5.3
5.3
5.3
5.2
5.7
（ MAG ）
0.024
0.022
0.021
0.019
0.016
0.015
0.013
0.012
0.010
0.008
0.007
0.006
0.005
0.004
0.005
0.005
0.006
0.007
0.008
0.009
0.011
0.011
0.012
0.013
0.014
0.015
0.016
0.018
0.018
0.020
0.021
0.022
0.023
0.024
0.025
0.026
0.026
S12
RD12MVP1
三菱电机
5/7
2006年6月1日
硅射频功率半导体
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD12MVP1
(a)
0.2+/-0.05
0.65+/-0.2
(c)
(b)
7.0+/-0.2
(b)
8.0+/-0.2
6.2+/-0.2
(d)
5.6+/-0.2
4.2+/-0.2
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz的， 10W
描述
RD12MVP1是MOS FET型晶体管
专为VHF射频功率设计
放大器的应用。
外形绘图
特点
高功率增益
Pout>10W ， Gp>13dB @ VDD = 7.2V ， F = 175MHz的
高效率： 55 ％以上。 （ 175MHz时）
无栅极保护二极管
索引标记
[门]
(3.6)
(4.5)
0.95+/-0.2
2.6+/-0.2
顶视图
细节A
SIDE VIEW
1.8+/-0.1
底部视图
号航站楼
（一）排水[输出]
（二）来源[ GND ]
（三）门[输入]
（四）信息来源
对高功率放大器的输出级
VHF频段无线移动台。
SIDE VIEW
僵持= MAX 0.05
应用
0.7+/-0.1
单位：mm
细节A
注意事项：
1. （ ）典型值
符合RoHS
RD12MVP1是符合RoHS标准的产品。
符合RoHS指令的指示后，由该地块标记字母“ G” 。该产品包括铅高
高熔点焊料。但是，它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead高温融化型焊料（即锡铅合金年长含有较多than85 ％的铅。 ）
绝对最大额定值
(Tc=25
°C
中，除非另有说明）
符号
V
DSS
V
GSS
ID
针
PCH
Tj
TSTG
Rthj -C
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
输入功率
散热通道
结温
储存温度
热阻
条件
V
GS
=0V
V
DS
=0V
Zg=Zl=50
Tc=25
°C
评级
50
-5至+20
4.0
1.0
125
+150
-40到+125
1.5
单位
V
V
A
W
W
°C
°C
° C / W
结到外壳
注：以上参数是独立的保证。
电气特性
(Tc=25
°C
中，除非另有说明）
符号
I
DSS
I
GSS
V
TH
噘
ηD
参数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
栅极阈值电压
输出功率
漏EF网络效率
条件
V
DS
=17V, V
GS
=0V
V
GS
=10V, V
DS
=0V
V
DS
= 12V，我
DS
=1mA
f=175MHz,V
DD
=7.2V
Pin=0.5W,Idq=1.0A
V
DD
= 9.5V ， PO = 10W （引脚控制）
f=175MHz,Idq=1.0A,Zg=50
负载VSWR = 20 ： 1 （全期）
范围
分钟。典型值。马克斯。
-
-
10
-
-
1.0
1.8
-
4.4
10
12
-
55
57
-
无破坏
单位
uA
uA
V
W
%
-
VSWRT负载VSWR容差
注：以上参数，收视率，限制和条件可能发生变化。
RD12MVP1
2010年8月17日
1/8
硅射频功率半导体
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD12MVP1
VGS -IDS特征
Ta=+25°C
Vds=10V
IDS
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz的， 10W
典型特征
60
通道耗散P沟（W）的
,,,
50
40
30
20
10
0
0
40
80
120
160
环境温度Ta （度：C ）。
200
自由的空气
在PCB与特马尔表
和散热器
（尺寸： 41 X 55毫米，T = 7.2毫米）
频道耗散主场迎战
环境温度
* PCB ：玻璃环氧树脂（尺寸： 46.4 X 40.0毫米，T = 0.8mm）的
热板： GELTEC COOH -4000 （ T = 0.5mm）的
7
6
5
IDS （ A）
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
VGS （ V）
5
6
7
VDS- IDS特征
9
Ta=+25°C
VDS VS.西塞特性
160
Vgs=7.5V
Ta=+25°C
f=1MHz
8
7
6
IDS （ A）
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
VDS （ V）
6
7
8
9
140
120
Vgs=6.5V
西塞（PF ）
100
80
60
40
20
0
0
5
10
VDS （ V）
15
20
Vgs=5.5V
Vgs=4.5V
VDS VS.科斯特性
160
140
120
COSS （PF ）
CRSS （PF ）
100
80
60
40
20
0
0
5
10
VDS （ V）
15
20
Ta=+25°C
f=1MHz
VDS VS. CRSS特性
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
VDS （ V）
15
20
Ta=+25°C
f=1MHz
RD12MVP1
2010年8月17日
2/8
硅射频功率半导体
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD12MVP1
销宝特性@ F = 175MHz的
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz的， 10W
典型特征
销宝特性@ F = 175MHz的
14
40
宝（DBM ） ，GP （分贝） ，国际直拨电话（ A）
Ta=+25°C
f=175MHz
Vdd=7.2V
Idq=1.0A
Po
90
Po
80
12
噘嘴（W ） ，国际直拨电话（ A）
10
8
6
4
2
80
70
ηd(%)
ηd
Ta=25°C
f=175MHz
Vdd=7.2V
Idq=1.0A
国际直拨电话
30
η
½
Gp
60
ηd(%)
60
50
40
30
20
1.5
20
40
10
Ｉ½½
20
0
0
5
10
15
20
PIN （ DBM）
25
30
0
0
0.0
0.5
销（W）的
1.0
VDD -宝特性@ F = 175MHz的
30
Ta=25°C
f=175MHz
Pin=0.6W
Idq=1.0A
ZG = ZI = 50欧姆
Po
6
25
20
5
国际直拨电话
宝（ W）
15
10
3
2
5
4
6
8
Vdd的（V）的
10
12
1
RD12MVP1
IDD （ A）
4
2010年8月17日
3/8
硅射频功率半导体
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD12MVP1
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz的， 10W
测试电路（ F = 175MHz时）
VGG
VDD
C1
W 19毫米
19毫米W
RD12MVP1
175MHz
L2
4.7K欧姆
9.5mm
L1
100pF
C2
22uF,50V
RF-在
330pF
47pF
17mm
3.5mm
47pF
14mm
RF -OUT
330pF
3mm
9.5mm
3mm
24pF
9mm
54pF
注：板材质=玻纤环氧基板
微带线的宽度= 1.3毫米/ 50OHM ， ER = 4.8 ， T = 0.8毫米
W：线宽= 1.0毫米
L1 ： 10.8nH ， 4Turns ， D： 0.43毫米， 1.66毫米（外径）
L2 ： 43.7nH ， 6Turns ， D： 0.43毫米， 2.46毫米（外径）
C1，C2 ： 2200pF
RD12MVP1
2010年8月17日
4/8
硅射频功率半导体
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD12MVP1
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz的， 10W
RD12MVP1 S参数数据（ @ VDD = 7.2V ，ID = 500mA）请
频率。
[兆赫]
100
125
150
175
200
225
250
275
300
325
350
375
400
425
450
475
500
525
550
575
600
625
650
675
700
725
750
775
800
825
850
875
900
925
950
975
1000
S11
（ MAG ）
0.782
0.801
0.817
0.833
0.847
0.860
0.872
0.882
0.894
0.901
0.910
0.917
0.918
0.923
0.930
0.933
0.938
0.939
0.942
0.943
0.946
0.950
0.950
0.953
0.952
0.954
0.955
0.954
0.955
0.958
0.958
0.956
0.958
0.956
0.958
0.957
0.959
（ ANG）
-165.5
-166.9
-168.0
-168.8
-169.7
-170.6
-171.6
-172.4
-173.0
-173.5
-174.2
-175.2
-176.1
-176.7
-177.2
-177.7
-178.1
-178.8
-179.3
179.7
179.5
179.1
178.8
178.3
177.9
177.5
176.9
176.4
176.3
175.9
175.6
175.1
174.5
174.3
174.0
173.8
173.6
（ MAG ）
6.105
4.716
3.724
3.023
2.519
2.137
1.828
1.569
1.361
1.193
1.062
0.947
0.844
0.756
0.683
0.623
0.568
0.520
0.477
0.439
0.407
0.378
0.350
0.327
0.306
0.286
0.268
0.252
0.238
0.225
0.213
0.203
0.192
0.182
0.175
0.166
0.158
S21
（ ANG）
69.0
62.4
56.4
51.6
47.5
43.5
39.6
36.0
33.4
31.0
28.5
25.9
23.5
21.5
20.4
18.7
17.2
15.7
14.3
13.3
12.2
11.3
10.4
9.8
8.9
8.3
7.7
7.2
7.0
6.4
5.9
5.5
5.3
5.3
5.3
5.2
5.7
（ MAG ）
0.024
0.022
0.021
0.019
0.016
0.015
0.013
0.012
0.010
0.008
0.007
0.006
0.005
0.004
0.005
0.005
0.006
0.007
0.008
0.009
0.011
0.011
0.012
0.013
0.014
0.015
0.016
0.018
0.018
0.020
0.021
0.022
0.023
0.024
0.025
0.026
0.026
S12
（ ANG）
-16.8
-20.5
-25.7
-27.3
-31.1
-30.0
-34.0
-30.9
-31.7
-24.1
-20.9
-13.8
-1.5
16.0
35.4
43.3
53.6
58.5
63.6
68.8
73.9
72.4
74.8
79.1
77.0
77.2
79.2
78.9
79.9
78.9
80.1
79.0
79.6
79.3
78.3
80.7
78.8
（ MAG ）
0.743
0.766
0.783
0.799
0.825
0.845
0.864
0.871
0.879
0.888
0.901
0.915
0.918
0.917
0.922
0.928
0.935
0.943
0.941
0.941
0.945
0.949
0.950
0.952
0.954
0.951
0.955
0.957
0.958
0.961
0.954
0.960
0.958
0.962
0.964
0.964
0.962
S22
（ ANG）
-162.7
-164.0
-165.6
-166.4
-167.2
-167.7
-168.6
-169.6
-170.4
-171.3
-172.1
-172.9
-173.6
-174.4
-174.8
-175.5
-176.3
-176.8
-177.1
-177.8
-178.3
-178.9
-179.5
-179.8
179.8
179.4
178.9
178.6
178.1
177.7
177.5
177.3
176.8
176.4
176.0
176.0
175.8
RD12MVP1
2010年8月17日
5/8
<硅射频功率MOS FET （分立）
＆ GT ;
RD12MVP1
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz的， 10W
描述
RD12MVP1是MOS FET型晶体管
专为VHF射频功率设计
放大器的应用。
外形绘图
0.2+/-0.05
8.0+/-0.2
(a)
(b)
0.65+/-0.2
(b)
7.0+/-0.2
6.2+/-0.2
5.6+/-0.2
(d)
特点
高功率增益
Pout>10W ， Gp>13dB @ VDD = 7.2V ， F = 175MHz的
高效率： 55 ％以上。 （ 175MHz时）
无栅极保护二极管
索引标记
[门]
4.2+/-0.2
(3.6)
(4.5)
0.95+/-0.2
2.6+/-0.2
(c)
顶视图
细节A
SIDE VIEW
1.8+/-0.1
底部视图
号航站楼
（一）排水[输出]
（二）来源[ GND ]
（三）门[输入]
（四）信息来源
0.7+/-0.1
应用
对高功率放大器的输出级
VHF频段无线移动台。
SIDE VIEW
僵持= MAX 0.05
单位：mm
细节A
注意事项：
1. （ ）典型值
符合RoHS
RD12MVP1是符合RoHS标准的产品。符合RoHS指令的指示后，由该地块标记字母“ G” 。
该产品包括铅高温融化的焊料。
但是，它也适用于符合路线的下面的例外情况。
1.Lead高温融化型焊料（即锡铅合金年长含有较多than85 ％的铅。 ）
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
ID
针
PCH
Tj
TSTG
Rthj -C
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
输入功率
散热通道
结温
储存温度
热阻
（ TC = 25℃ ，除非另有说明）
条件
V
GS
=0V
V
DS
=0V
评级
50
-5至+20
4.0
Zg=Zl=50
Tc=25
°C
1.0
125
+150
-40到+125
结到外壳
1.5
单位
V
V
A
W
W
°C
°C
° C / W
注：以上参数是独立的保证。
出版日期： Oct.2011
1
<硅射频功率MOS FET （分立）
＆ GT ;
RD12MVP1
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz的， 10W
电气特性
符号
I
DSS
I
GSS
V
TH
噘
D
参数
(Tc=25
°C
中，除非另有说明）
条件
范围
分钟。
-
-
1.8
10
55
典型值。
-
-
-
12
57
马克斯。
10
1.0
4.4
-
-
uA
uA
V
W
%
单位
零栅压漏电流V
DS
=17V, V
GS
=0V
门源漏电流
栅极阈值电压
输出功率
漏EF网络效率
V
GS
=10V, V
DS
=0V
V
DS
= 12V，我
DS
=1mA
f=175MHz,V
DD
=7.2V
Pin=0.5W,Idq=1.0A
V
DD
= 9.5V ， PO = 10W （引脚控制）
VSWRT负载VSWR容差
f=175MHz,Idq=1.0A,Zg=50
负载VSWR = 20 ： 1 （全期）
无破坏
-
注：以上参数，收视率，限制和条件可能发生变化。
出版日期： Oct.2011
2
<硅射频功率MOS FET （分立）
＆ GT ;
RD12MVP1
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz的， 10W
典型特征
60
通道耗散P沟（W）的
,,,
频道耗散主场迎战
环境温度
* PCB ：玻璃环氧树脂（尺寸： 46.4 X 40.0毫米，T = 0.8mm）的
热板： GELTEC COOH -4000 （ T = 0.5mm）的
VGS -IDS特征
7
6
5
IDS （ A）
Ta=+25°C
Vds=10V
IDS
50
40
30
20
10
0
0
4
3
2
在PCB与特马尔表
和散热器
（尺寸： 41 X 55毫米，T = 7.2毫米）
自由的空气
1
0
40
80
120
160
环境温度Ta （度：C ）。
200
0
1
2
3
4
VGS （ V）
5
6
7
VDS- IDS特征
9
Ta=+25°C
VDS VS.西塞特性
160
Vgs=7.5V
Ta=+25°C
f=1MHz
8
7
6
IDS （ A）
140
120
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
VDS （ V）
6
7
8
9
Vgs=6.5V
西塞（PF ）
100
80
60
40
20
0
0
5
10
VDS （ V）
15
20
Vgs=5.5V
Vgs=4.5V
VDS VS.科斯特性
160
140
120
COSS （PF ）
CRSS （PF ）
Ta=+25°C
f=1MHz
VDS VS. CRSS特性
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
Ta=+25°C
f=1MHz
100
80
60
40
20
0
0
5
10
VDS （ V）
15
20
0
5
10
VDS （ V）
15
20
出版日期： Oct.2011
3
<硅射频功率MOS FET （分立）
＆ GT ;
RD12MVP1
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz的， 10W
典型特征
销宝特性@ F = 175MHz的
14
40
宝（DBM ） ，GP （分贝） ，国际直拨电话（ A）
Ta=+25°C
f=175MHz
Vdd=7.2V
Idq=1.0A
Po
销宝特性@ F = 175MHz的
90
Po
80
12
噘嘴（W ） ，国际直拨电话（ A）
80
70
ηd(%)
ηd
Ta=25°C
f=175MHz
Vdd=7.2V
Idq=1.0A
国际直拨电话
30
η
½
Gp
60
ηd(%)
10
8
6
4
2
60
50
40
30
20
1.5
20
40
10
Ｉ½½
20
0
0
5
10
15
20
PIN （ DBM）
25
30
0
0
0.0
0.5
销（W）的
1.0
VDD -宝特性@ F = 175MHz的
30
Ta=25°C
f=175MHz
Pin=0.6W
Idq=1.0A
ZG = ZI = 50欧姆
Po
6
25
20
5
国际直拨电话
宝（ W）
15
10
3
2
5
4
6
8
Vdd的（V）的
10
12
1
出版日期： Oct.2011
4
IDD （ A）
4
<硅射频功率MOS FET （分立）
＆ GT ;
RD12MVP1
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz的， 10W
测试电路（ F = 175MHz时）
VGG
C1
C2
W
VDD
19mm
W
19mm
22μF,50V
47pF
RF-在
330pF
100pF
4.7kOHM
L1
3mm
12mm
RD12MVP1
175MHz
9.5mm
L2
3mm
47pF
14mm
9mm
RF -OUT
330pF
17mm
3.5mm
24pF
68pF
注：西非开发银行的材料玻璃环氧基板
微带线的宽度= 1.3毫米/ 50欧姆，呃： 4.8 ， T = 0.8毫米
W：线宽= 1.0毫米
L：漆包线
L1： 4Turns D： 0.43毫米， φ1.66mm （外径）
L2 ： 6Turns ， D： 0.43毫米， φ2.46mm （外径）
C1，C2 ： 2200 ＆ frac12 ; F
出版日期： Oct.2011
5
QQ：2881677436 复制
