硅射频功率半导体
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD04HMS2
6.0+/-0.15
0.2+/-0.05
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz的， 950MHz的， 4W
描述
RD04HMS2是MOS FET型晶体管专
专为VHF / UHF / 890-950MHz射频功率
放大器的应用。
外形绘图
1
4.9+/-0.15
1.0+/-0.05
特点
1.高功率增益和高效率
噘嘴= 5.0Wtyp 。 ，GP = 14dBtyp 。
排水艾菲= 53 ％ （典型值） 。
@ VDS = 12.5V ，引脚= 0.2W ， F = 950MHz的
2.集成栅极保护二极管
2
3
(0.25)
(0.25)
索引标记
（门）
0.2+/-0.05
对于高功率放大器在VHF输出级/
UHF / 890-950MHz频段移动无线套。
0.9+/-0.1
应用
号航站楼
1.Drain （输出）
2.Source （GND）的
3.Gate （输入）
记
（ ） ：中心值
单位：mm
符合RoHS
RD04HMS2是符合RoHS标准的产品。符合RoHS指令的指示后，由该地块标记字母“ G” 。
该产品包括铅高温融化的焊料。
但是，它也适用于符合路线的下面的例外情况。
1.铅在高熔点类焊锡（含以上than85 ％的铅即锡铅合金焊料。 ）
绝对最大额定值（ TC = 25℃
除非另有说明）
符号
VDSS
VGSS
PCH
针
ID
总胆固醇
TSTG
RTH J-
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
散热通道
输入功率
漏电流
结温
储存温度
热阻
条件
Vgs=0V
Vds=0V
Tc=25°C
Zg=Zl=50
-
-
-
结到外壳
评级
40
-5/+10
50
0.7
3
150
-40到+125
2.5
单位
V
V
W
W
A
°C
°C
° C / W
注：以上参数是独立的保证。
电气特性（ TC = 25℃ ，
除非另有说明）
符号
I
DSS
I
GSS
V
TH
Pout1
D1
Pout2
D2
参数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
栅极阈值电压
输出功率
漏EF网络效率
输出功率
漏EF网络效率
条件
V
DS
=37V, V
GS
=0V
V
GS
=10V, V
DS
=0V
V
DS
= 12V，我
DS
=1mA
f=950MHz*,V
DS
=12.5V,
PIN = 0.2W ， IDQ = 0.1A
f=175MHz**,V
DS
=12.5V,
PIN = 0.2W ， IDQ = 0.1A
V
DS
= 15.2V ， PO = 4W （引脚：控制）
F =为135MHz ， IDQ = 0.1A ， ZG = 50
ZL =所有阶段
范围
最小典型最大。
-
-
5
-
-
2.5
1.6
-
2.6
-
5.0
-
-
58
-
-
5.5
-
-
73
-
20:1
-
-
单位
μA
μA
V
W
%
W
%
VSWR
VSWRT负载VSWR容差
注：以上参数，收视率，限制和条件可能发生变化。
*在三菱890-950MHz评估板**在三菱VHF评估板
RD04HMS2
2011年2月7日
1/20
(0.22)
3.5+/-0.05
2.0+/-0.05
(0.22)
4.6+/-0.05
3.3+/-0.05
0.8+/-0.05
硅射频功率半导体
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD04HMS2
VGS -IDS特征
3.5
3.0
Ta=+25℃
VDS=10V
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz的， 950MHz的， 4W
典型特征
（这些仅仅是典型的曲线和设备不一定保证在这些曲线）。
VDS- IDS特征
3.5
Ta=+25
℃
3.0
Vgs=4.5V
2.5
IDS （ A）
Vgs=5.0V
2.5
IDS （ A）
2.0
1.5
1.0
Vgs=4.0V
Vgs=3.5V
Vgs=3.0V
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.5
0.0
0
2
4
6
8
VDS （ V）
10
12
14
0
1
2
VGS （ V）
3
4
5
VDS VS.西塞特性
50
40
30
20
10
0
0
5
10
VDS （ V）
15
20
Ta=+25℃
f=1MHz
COSS （PF ）
50
40
30
20
10
0
0
VDS VS.科斯特性
Ta=+25℃
f=1MHz
西塞（PF ）
5
10
VDS （ V）
15
20
VDS VS. CRSS特性
5
4
CRSS （PF ）
Ta=+25℃
f=1MHz
3
2
1
0
0
5
10
VDS （ V）
15
20
RD04HMS2
2011年2月7日
2/20
硅射频功率半导体
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD04HMS2
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz的， 950MHz的， 4W
VHF波段典型特征
（这些仅仅是典型的曲线和设备不一定保证在这些曲线）。
频率特性@ F = 135 175MHz的
TA = + 25deg.C ， VDS = 12.5V ， IDQ = 0.1A ，引脚= 0.2W
18
16
14
噘嘴（W ） ，GP （分贝） ，国际直拨电话（ A）
ηD
Gp
90
80
70
60
50
40
噘
12
10
8
6
4
2
0
130
140
150
160
170
F（兆赫）
国际直拨电话
30
20
10
0
180
RD04HMS2
排水艾菲（ ％ ）
2011年2月7日
3/20
硅射频功率半导体
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD04HMS2
销宝特性@ F =为135MHz
9
8
7
ηD
Ta=+25deg.C,Vds=12.5V,Idq=0.1A
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz的， 950MHz的， 4W
VHF波段典型特征
（这些仅仅是典型的曲线和设备不一定保证在这些曲线）。
销宝特性@ F =为135MHz
45
40
POUT （DBM ） ，GP （分贝） ，国际直拨电话（ A）
Ta=+25deg.C,Vds=12.5V,Idq=0.1A
90
80
70
排水艾菲（ ％ ）
噘嘴（W ） ，国际直拨电话（ A）
90
80
70
60
GP （分贝） ，沥干艾菲（ ％ ）
噘
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
PIN （ DBM）
20
25
60
50
6
5
4
3
2
1
0
0
0.05
0.1
0.15
销（W）的
0.2
0.25
0.3
国际直拨电话
Gp
噘
Gp
50
40
30
20
10
0
40
30
ηD
国际直拨电话
20
10
0
销宝特性@ F = 155MHz的
45
40
POUT （DBM ） ，GP （分贝） ，国际直拨电话（ A）
Ta=+25deg.C,Vds=12.5V,Idq=0.1A
销宝特性@ F = 155MHz的
9
8
7
噘嘴（W ） ，国际直拨电话（ A）
Ta=+25deg.C,Vds=12.5V,Idq=0.1A
90
80
70
排水艾菲（ ％ ）
90
80
70
60
GP （分贝） ，沥干艾菲（ ％ ）
噘
ηD
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
PIN （ DBM）
20
25
60
50
6
5
4
3
2
1
0
0
0.05
0.1
0.15
0.2
销（W）的
0.25
0.3
国际直拨电话
Gp
噘
50
40
30
20
10
0
Gp
40
30
ηD
国际直拨电话
20
10
0
销宝特性@ F = 175MHz的
Ta=+25deg.C,Vds=12.5V,Idq=0.1A
销宝特性@ F = 175MHz的
9
8
7
噘嘴（W ） ，国际直拨电话（ A）
Ta=+25deg.C,Vds=12.5V,Idq=0.1A
45
40
POUT （DBM ） ，GP （分贝） ，国际直拨电话（ A）
90
噘
80
70
排水艾菲（ ％ ）
90
80
70
60
GP （分贝） ，沥干艾菲（ ％ ）
ηD
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
PIN （ DBM）
20
25
ηD
国际直拨电话
Gp
60
50
40
30
20
10
0
6
5
4
3
2
1
0
0
0.05
0.1
0.15 0.2
销（W）的
0.25
0.3
国际直拨电话
Gp
噘
50
40
30
20
10
0
RD04HMS2
2011年2月7日
4/20
硅射频功率半导体
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD04HMS2
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz的， 950MHz的， 4W
VHF波段典型特征
（这些仅仅是典型的曲线和设备不一定保证在这些曲线）。
TA = 25deg.C ， IDQ = 0.1A ，引脚= 0.2W
7
6
5
的Pout （W）的
4
3
135MHz
155MHz
2
1
175MHz
0
4
5
6
7
8
9
VDS （ V）
10
11
12
13
TA = 25deg.C ， IDQ = 0.1A ，引脚= 0.2W
90
155MHz
175MHz
85
80
排水艾菲（ ％ ）
75
135MHz
70
65
60
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
VDS （ V）
RD04HMS2
2011年2月7日
5/20
<硅射频功率MOS FET （分立）
＆ GT ;
RD04HMS2
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz的， 950MHz的， 4W
描述
RD04HMS2是MOS FET型晶体管专外形图
专为VHF / UHF / 890-950MHz射频功率
6.0+/-0.15
放大器的应用。
4.9+/-0.15
0.2+/-0.05
1
1.0+/-0.05
特点
1.高功率增益和高效率
噘嘴= 5.0Wtyp 。 ，GP = 14dBtyp 。
排水艾菲= 53 ％ （典型值） 。
@ VDS = 12.5V ，引脚= 0.2W ， F = 950MHz的
2.集成栅极保护二极管
2
3
(0.25)
(0.25)
索引标记
（门）
应用
对于高功率放大器在VHF输出级/
UHF / 890-950MHz频段移动无线套。
0.2+/-0.05
0.9+/-0.1
号航站楼
1.Drain （输出）
2.Source （GND）的
3.Gate （输入）
记
（ ） ：中心值
单位：mm
符合RoHS
RD04HMS2是符合RoHS标准的产品。符合RoHS指令的指示后，由该地块标记字母“ G” 。
该产品包括铅高温融化的焊料。
但是，它也适用于符合路线的下面的例外情况。
1.铅在高熔点类焊锡（含以上than85 ％的铅即锡铅合金焊料。 ）
绝对最大额定值（ TC = 25℃
除非另有说明）
符号
VDSS
VGSS
PCH
针
ID
总胆固醇
TSTG
RTH J-
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
散热通道
输入功率
漏电流
结温
储存温度
热阻
条件
Vgs=0V
Vds=0V
Tc=25°C
Zg=Zl=50
-
-
-
结到外壳
评级
40
-5/+10
50
0.7
3
150
-40到+125
2.5
单位
V
V
W
W
A
°C
°C
° C / W
注：以上参数是独立的保证。
出版日期： Oct.2011
1
(0.22)
3.5+/-0.05
2.0+/-0.05
(0.22)
4.6+/-0.05
3.3+/-0.05
0.8+/-0.05
<硅射频功率MOS FET （分立）
＆ GT ;
RD04HMS2
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz的， 950MHz的， 4W
电气特性（ TC = 25℃ ，
除非另有说明）
符号
IDSS
IGSS
VTH
Pout1
D1
Pout2
D2
参数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
栅极阈值电压
输出功率
漏EF网络效率
输出功率
漏EF网络效率
条件
VDS = 37V ， VGS = 0V
VGS = 10V ， VDS = 0V
VDS = 12V ， IDS = 1毫安
f=950MHz*,VDS=12.5V,
PIN = 0.2W ， IDQ = 0.1A
f=175MHz**,VDS=12.5V,
PIN = 0.2W ， IDQ = 0.1A
VDS = 15.2V ， PO = 4W （引脚：控制）
F =为135MHz ， IDQ = 0.1A ， ZG = 50
ZL =所有阶段
范围
最小典型最大。
-
-
5
-
-
2.5
1.6
-
2.6
-
5.0
-
-
58
-
-
5.5
-
-
73
-
20:1
-
-
单位
μA
μA
V
W
%
W
%
VSWR
VSWRT负载VSWR容差
注：以上参数，收视率，限制和条件可能发生变化。
*在三菱890-950MHz评估板
**在三菱VHF评估板
出版日期： Oct.2011
2
<硅射频功率MOS FET （分立）
＆ GT ;
RD04HMS2
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz的， 950MHz的， 4W
典型特征
（这些仅仅是典型的曲线和设备不一定保证在这些曲线）。
VDS- IDS特征
3.5
Ta=+25
℃
3.0
Vgs=4.5V
2.5
IDS （ A）
VGS -IDS特征
3.5
3.0
2.5
IDS （ A）
Ta=+25℃
VDS=10V
Vgs=5.0V
2.0
1.5
1.0
Vgs=4.0V
Vgs=3.5V
Vgs=3.0V
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.5
0.0
0
2
4
6
8
VDS （ V）
10
12
14
0
1
2
VGS （ V）
3
4
5
VDS VS.西塞特性
50
40
30
20
10
0
0
5
4
CRSS （PF ）
50
VDS VS.科斯特性
Ta=+25℃
f=1MHz
Ta=+25℃
f=1MHz
COSS （PF ）
40
30
20
10
0
西塞（PF ）
10
15
VDS （ V）
VDS VS. CRSS特性
Ta=+25℃
f=1MHz
5
20
0
5
10
VDS （ V）
15
20
3
2
1
0
0
5
10
VDS （ V）
15
20
出版日期： Oct.2011
3
<硅射频功率MOS FET （分立）
＆ GT ;
RD04HMS2
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz的， 950MHz的， 4W
VHF波段典型特征
（这些仅仅是典型的曲线和设备不一定保证在这些曲线）。
频率特性@ F = 135 175MHz的
TA = + 25deg.C ， VDS = 12.5V ， IDQ = 0.1A ，引脚= 0.2W
18
16
14
噘嘴（W ） ，GP （分贝） ，国际直拨电话（ A）
ηD
Gp
90
80
70
60
50
40
噘
12
10
8
6
4
2
0
130
140
150
160
170
F（兆赫）
国际直拨电话
30
20
10
0
180
出版日期： Oct.2011
4
排水艾菲（ ％ ）
<硅射频功率MOS FET （分立）
＆ GT ;
RD04HMS2
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管， 175MHz的， 950MHz的， 4W
甚高频波段
典型特征
（这些仅仅是典型的曲线和设备不一定保证在这些曲线）。
销宝特性@ F =为135MHz
45
40
POUT （DBM ） ，GP （分贝） ，国际直拨电话（ A）
Ta=+25deg.C,Vds=12.5V,Idq=0.1A
销宝特性@ F =为135MHz
9
8
7
ηD
Ta=+25deg.C,Vds=12.5V,Idq=0.1A
90
80
70
排水艾菲（ ％ ）
噘嘴（W ） ，国际直拨电话（ A）
90
80
70
60
GP （分贝） ，沥干艾菲（ ％ ）
噘
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
PIN （ DBM）
20
25
60
50
6
5
4
3
2
1
0
0
0.05
0.1
0.15
销（W）的
0.2
0.25
0.3
国际直拨电话
Gp
噘
Gp
50
40
30
20
10
0
40
30
ηD
国际直拨电话
20
10
0
销宝特性@ F = 155MHz的
45
40
POUT （DBM ） ，GP （分贝） ，国际直拨电话（ A）
Ta=+25deg.C,Vds=12.5V,Idq=0.1A
销宝特性@ F = 155MHz的
9
8
7
噘嘴（W ） ，国际直拨电话（ A）
Ta=+25deg.C,Vds=12.5V,Idq=0.1A
90
80
70
排水艾菲（ ％ ）
90
80
70
60
GP （分贝） ，沥干艾菲（ ％ ）
噘
ηD
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
PIN （ DBM）
20
25
60
50
6
5
4
3
2
1
0
0
0.05
0.1
0.15
0.2
销（W）的
0.25
0.3
国际直拨电话
Gp
噘
50
40
30
20
10
0
Gp
40
30
ηD
国际直拨电话
20
10
0
销宝特性@ F = 175MHz的
Ta=+25deg.C,Vds=12.5V,Idq=0.1A
销宝特性@ F = 175MHz的
9
8
7
Ta=+25deg.C,Vds=12.5V,Idq=0.1A
45
40
POUT （DBM ） ，GP （分贝） ，国际直拨电话（ A）
90
噘
80
70
排水艾菲（ ％ ）
噘嘴（W ） ，国际直拨电话（ A）
90
80
70
60
GP （分贝） ，沥干艾菲（ ％ ）
ηD
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
PIN （ DBM）
20
25
ηD
国际直拨电话
Gp
60
50
40
30
20
10
0
6
5
4
3
2
1
0
0
0.05
0.1
0.15 0.2
销（W）的
0.25
0.3
国际直拨电话
Gp
噘
50
40
30
20
10
0
出版日期： Oct.2011
5
QQ：2881677436 复制
