三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD02MUS2
0.2+/-0.05
(0.22)
(0.22)
(0.25)
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管175MHz时， 520MHz的， 2W
描述
RD02MUS2是MOS FET型晶体管
专为VHF / UHF RF设计婆
-wer放大器应用。
该器件有一个INTERAL单片稳压
从门二极管源ESD保护。
概要
制图
4.6+/-0.05
3.3+/-0.05
0.8+/-0.05
6.0+/-0.15
1
4.9+/-0.15
1.0+/-0.05
2
特点
高功率增益：
Pout>2W ， Gp>16dB
@Vdd=7.2V,f=175MHz,520MHz
高效率： 65 ％典型值（ 175MHz时） 。
高效率： 65 ％典型值（ 520MHz的） 。
集成的栅极保护二极管
3
(0.25)
索引标记
（门）
0.2+/-0.05
0.9+/-0.1
号航站楼
1.Drain （输出）
2.Source （GND）的
3.Gate （输入）
记
（ ） ：中心值
单位：mm
应用
对高功率放大器的输出级
在VHF / UHF频段移动无线套。
符合RoHS
RD02MUS2-101 ， T112是符合RoHS标准的产品。
符合RoHS指令是由后地块标记字母“ G”表示。
该产品包括铅高温融化的焊料。
如何以往，它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead高温融化型焊锡（ ietin无铅焊料合金中含有较多的than85 ％的铅。 ）
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三菱电机
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2006年1月17日
3.5+/-0.05
2.0+/-0.05
三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD02MUS2
单位
V
V
W
W
A
°C
°C
° C / W
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管175MHz时， 520MHz的， 2W
绝对最大额定值
(Tc=25
°C
除非另有说明）
符号
VDSS
VGSS
PCH
针
ID
总胆固醇
TSTG
RTH J-
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
散热通道
输入功率
漏电流
结温
储存温度
热创制
条件
Vgs=0V
Vds=0V
Tc=25
°C
Zg=Zl=50
-
-
-
结到外壳
评级
30
-5/+10
21.9
0.1
1.5
150
-40到+125
5.7
D
G
S
示意图
注1 ：以上参数是独立的保证。
电气特性
符号
I
DSS
I
GSS
V
th
Pout1
η
D1
Pout2
η
D2
参数
(Tc=25
°C
中，除非另有说明）
条件
V
DS
=17V, V
GS
=0V
V
GS
=10V, V
DS
=0V
V
DS
= 12V，我
DS
=1mA
V
DD
= 7.2V ，针脚= 50mW的，
F = 175MHz的IDQ = 200毫安
V
DD
= 7.2V ，针脚= 50mW的，
F = 520MHz的IDQ = 200毫安
V
DD
= 9.2V ，宝= 2W （引脚控制）
f=175MHz,Idq=200mA,Zg=50
负载VSWR = 20 ： 1 （全期）
V
DD
= 9.2V ，宝= 2W （引脚控制）
f=520MHz,Idq=200mA,Zg=50
负载VSWR = 20 ： 1 （全期）
民
-
-
1
2
55
2
50
范围
典型值最大值。
-
100
-
1
1.8
3
3
-
65
-
3
-
65
-
无破坏
-
无破坏
单位
uA
uA
V
W
%
W
%
-
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
栅极阈值电压
输出功率
漏EF网络效率
输出功率
漏EF网络效率
负载VSWR容差
负载VSWR容差
注：以上参数，收视率，限制和条件可能发生变化。
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观察处理注意事项
RD02MUS2
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管175MHz时， 520MHz的， 2W
典型特征
25
散热通道
P沟（W）的
20
15
10
5
0
漏损耗 -
环境温度
* 1：印刷电路板的材料
环氧玻璃（T = 0.6 MM）
VGS -IDS特征
6
5
4
IDS （ A）
Ta=+25°C
Vds=7.2V
在PCB （ * 1 ）与散热片
3
2
在PCB （ * 1 ）
1
0
0
40
80
120 160 200
环境温度Ta （ ° C）
0
2
4
6
VGS （ V）
8
10
VDS- IDS特征
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
2
4
6
VDS （ V）
8
10
Ta=+25°C
Vgs=10V
Vgs=9V
Vgs=8V
Vgs=7V
Vgs=6V
VDS VS.西塞特性
40
Ta=+25°C
f=1MHz
30
西塞（PF ）
20
10
0
0
5
10
VDS （ V）
15
20
IDS （ A）
Vgs=5V
Vgs=4V
Vgs=3V
VDS VS.科斯特性
40
Ta=+25°C
f=1MHz
VDS VS. CRSS特性
6
5
CRSS （PF ）
4
3
2
1
Ta=+25°C
f=1MHz
30
COSS （PF ）
20
10
0
0
5
10
VDS （ V）
15
20
0
5
10
VDS （ V）
15
20
0
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静电敏感器件
观察处理注意事项
RD02MUS2
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管175MHz时， 520MHz的， 2W
典型特征
销宝特点
@f=175MHz
40
35
宝（DBM ） ，GP （分贝） ，
IDD （ A）
30
25
20
15
10
5
0
-10
-5
0
5 10
PIN （ DBM）
Ta=+25°C
f=175MHz
Vdd=7.2V
Idq=200mA
Gp
Po
η½
销宝特点
@f=175MHz
100
90
70
60
50
40
30
20
0.0
0
20
40
60
销（MW ）
80
20
100
噘嘴（W ） ，国际直拨电话（ A）
80
ηd(%)
3.0
ηd
4.0
Po
100
80
60
40
ηd(%)
IDD （ A）
2006年1月17日
2.0
1.0
国际直拨电话
Ta=25°C
f=175MHz
Vdd=7.2V
Idq=200mA
15
20
销宝特点
@f=520MHz
40
35
宝（DBM ） ，GP （分贝） ，
IDD （ A）
30
25
20
15
10
5
0
-10
-5
0
5 10
PIN （ DBM）
Ta=+25°C
f=520MHz
Vdd=7.2V
Idq=200mA
Gp
η½
Po
销宝特点
@f=520MHz
100
90
70
60
50
40
30
20
0.0
0
20
40
60
销（MW ）
80
20
100
噘嘴（W ） ，国际直拨电话（ A）
80
ηd(%)
3.0
2.0
1.0
ηd
Ta=25°C
f=520MHz
Vdd=7.2V
Idq=200mA
4.0
Po
100
80
60
40
ηd(%)
国际直拨电话
15
20
VDD -宝特征
@f=175MHz
7
6
5
宝（ W）
4
3
2
1
0
2
4
6
8
Vdd的（V）的
10
12
国际直拨电话
Ta=25°C
f=175MHz
Pin=50mW
Idq=200mA
ZG = ZI = 50欧姆
Po
VDD -宝特征
@f=520MHz
1.4
1.2
1.0
IDD （ A）
宝（ W）
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
7
6
5
4
3
2
1
0
2
4
6
8
Vdd的（V）的
10
12
Ta=25°C
f=520MHz
Pin=50mW
Idq=200mA
ZG = ZI = 50欧姆
Po
1.4
1.2
1.0
国际直拨电话
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
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静电敏感器件
观察处理注意事项
RD02MUS2
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管175MHz时， 520MHz的， 2W
典型特征
VGS -IDS CHARACTORISTICS 2
4
Vds=10V
Tc=-25~+75°C
-25°C
+25°C
3
IDS （ A） ， GM（ S）
2
+75°C
1
0
2
3
4
VGS （ V）
5
6
RD02MUS2
三菱电机
5/9
2006年1月17日
QQ：2881677436 复制
