三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD01MUS1
4.4+/-0.1
1.6+/-0.1
LOT号
φ
1
0.
符合RoHS指令，
描述
硅MOSFET功率晶体管520MHz的， 1W
外形绘图
1.5+/-0.1
RD01MUS1是MOS FET型晶体管专
专为VHF / UHF射频放大器应用。
型号名称
高功率增益：
Pout>0.8W ， Gp>14dB @ VDD = 7.2V ， F = 520MHz的
高效率： 65 ％ （典型值） 。
1
2
1.5+/-0.1
3
1.5+/-0.1
0.4 +0.03
-0.05
号航站楼
1 ：门
2 ： SOURSE
3 ：排水
单位：mm
应用
对高功率放大器在VHF / UHF输出级
带移动无线电设备。
0.4+/-0.07 0.5+/-0.07 0.4+/-0.07
0.1最大
符合RoHS
RD01MUS1-101 ， T113是符合RoHS标准的产品。
该产品包括铅高温融化的焊料。
如何以往，它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead高温融化型焊锡（ ietin无铅焊料合金中含有较多的than85 ％的铅。 ）
绝对最大额定值
(Tc=25
°C
除非另有说明）
符号
VDSS
VGSS
PCH
针
ID
总胆固醇
TSTG
RTH J-
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
散热通道
输入功率
漏电流
通道温度
储存温度
热阻
条件额定值单位
Vgs=0V
30
V
Vds=0V
+/-10
V
Tc=25
°C
3.6
W
Zg=Zl=50
60
mW
-
600
mA
°C
-
150
-
-40到+125
°C
° C / W
结到外壳
34.5
注1 ：以上参数是独立的保证。
电气特性
(Tc=25
°C
中，除非另有说明）
符号
I
DSS
I
GSS
VTH
噘
ηD
参数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
栅极阈值电压
输出功率
漏EF网络效率
条件
V
DS
=17V, V
GS
=0V
V
GS
=10V, V
DS
=0V
V
DS
= 12V，我
DS
=1mA
V
DD
= 7.2V ，针脚= 30mW的
f=520MHz,Idq=100mA
民
-
-
1
0.8
50
范围
典型值
-
-
1.8
1.4
65
单位
最大
50
1
3
-
-
uA
uA
V
W
%
注：以上参数，收视率，限制和条件可能发生变化。
RD01MUS1
三菱电机
1/6
2006年1月10日
3.9+/-0.3
特点
0.8分钟2.5 +/- 0.1
三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD01MUS1
销宝特点
100
Po
符合RoHS指令，
典型特征
销宝特点
35
30
宝（DBM ） ，GP （分贝） ，国际直拨电话（ A）
25
20
15
10
5
0
-10
Ta=+25°C
f=520MHz
Vdd=7.2V
Idq=100mA
Gp
η
½
Po
硅MOSFET功率晶体管520MHz的， 1W
100
90
噘嘴（W ） ，国际直拨电话（ A）
80
ηd(%)
70
60
50
40
30
0
PIN （ DBM）
10
20
2.0
1.8
1.6
1.4
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
20
销（MW ）
40
60
国际直拨电话
Ta=25°C
f=520MHz
Vdd=7.2V
Idq=100mA
80
ηd
40
20
0
VDD -宝特征
4.0
3.5
3.0
2.5
宝（ W）
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
4
6
8
10
Vdd的（V）的
12
14
Ta=25°C
f=520MHz
Pin=30mW
Idq=100mA
ZG = ZI = 50欧姆
Po
0.8
0.7
0.6
国际直拨电话
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
IDD （ A）
RD01MUS1
三菱电机
3/6
2006年1月10日
ηd(%)
1.2
60
三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD01MUS1
VDD
符合RoHS指令，
测试电路（ F = 520MHz的）
VGG
硅MOSFET功率晶体管520MHz的， 1W
C1
18m m
11m m
C2
10uF,50V
5m m
4.7kO HM
4m m
的R F -中
62pF
24pF
240pF
68O HM
3pF
30m m
13m m
RD 01MUS1
6.5m m
4m m 5.5m m
3m m
L1
68pF
17.5m m 25.5m m 4m m
RF -O UT
62pF
10pF
L1 ： ENAM ELED线5Turns ， D： 0.43米米， 2.46米M O对.D
C1， C2 ： 1000pF的， 0.022uF并行
注：董事会米aterial玻璃基板EPOXI任务
微带线的宽度= 1.0毫米/ 50O HM ，呃： 4.8 ， T = 0.6毫米
输入/输出阻抗VS.频率特性
520MHz的寻* ZOUT *
Zo=50
VDD = 7.2V ， IDQ = 100毫安（ VGG调整后） ，引脚= 0.03W
520MHz的寻*
寻* = 3.11 + j11.56
Zout*=11.64+j4.74
520MHz的ZOUT *
寻*：输入阻抗的复数共轭
ZOUT *：输入阻抗的复共轭
RD01MUS1
三菱电机
4/6
2006年1月10日
三菱RF功率MOS FET
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD01MUS1
S12
S22
（ ANG）
41.3
26.5
16.1
8.4
2.6
-2.4
-6.6
-9.9
-13.3
-14.1
-15.8
-18.5
-21.0
-22.3
-24.9
-25.7
-26.8
-27.8
-27.3
-27.0
-26.3
-23.8
（ MAG ）
0.772
0.687
0.630
0.600
0.588
0.583
0.590
0.597
0.608
0.615
0.622
0.636
0.650
0.666
0.680
0.694
0.711
0.723
0.734
0.749
0.760
0.771
（ ANG）
-63.0
-83.1
-97.3
-107.1
-114.4
-120.1
-124.6
-128.4
-131.7
-133.1
-134.8
-137.3
-140.1
-142.4
-144.6
-146.8
-148.8
-150.9
-152.9
-154.5
-156.3
-158.2
（ MAG ）
0.043
0.050
0.053
0.054
0.053
0.052
0.051
0.049
0.047
0.046
0.045
0.043
0.041
0.039
0.036
0.033
0.031
0.028
0.026
0.023
0.021
0.018
符合RoHS指令，
频率。
[兆赫]
100
150
200
250
300
350
400
450
500
520
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
S11
（ MAG ）
0.927
0.875
0.833
0.811
0.798
0.791
0.790
0.788
0.794
0.796
0.798
0.801
0.807
0.813
0.817
0.825
0.831
0.837
0.845
0.851
0.857
0.862
（ ANG）
-77.0
-101.2
-117.9
-129.5
-138.0
-144.5
-149.7
-154.1
-158.0
-159.2
-161.2
-164.2
-167.0
-169.3
-171.6
-174.0
-176.0
-178.0
-179.9
178.2
176.5
174.7
硅MOSFET功率晶体管520MHz的， 1W
S21
RD01MSU1 S参数数据（ @ VDD = 7.2V ，ID = 100毫安）
（ MAG ）
19.536
15.657
12.662
10.427
8.814
7.548
6.541
5.789
5.106
4.876
4.576
4.120
3.714
3.389
3.092
2.820
2.616
2.401
2.207
2.076
1.912
1.773
（ ANG）
132.3
116.5
105.0
96.2
89.3
83.3
78.2
73.5
69.0
67.5
65.2
61.3
58.0
54.7
51.3
48.6
46.0
42.8
40.9
38.4
35.5
34.0
RD01MSU1 S参数数据（ @ VDD = 12.5V ，ID = 100毫安）
频率。
[兆赫]
100
150
200
250
300
350
400
450
500
520
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
S11
（ MAG ）
0.945
0.896
0.856
0.833
0.819
0.810
0.806
0.804
0.808
0.809
0.812
0.813
0.819
0.824
0.827
0.834
0.841
0.845
0.852
0.857
0.864
0.868
（ ANG）
-72.3
-96.7
-113.9
-126.2
-135.1
-141.9
-147.7
-152.2
-156.4
-157.8
-159.9
-163.0
-166.0
-168.6
-171.0
-173.3
-175.5
-177.4
-179.4
178.6
176.9
175.0
S21
（ MAG ）
19.517
15.937
13.050
10.830
9.194
7.890
6.868
6.084
5.382
5.139
4.831
4.356
3.931
3.597
3.283
2.991
2.779
2.554
2.350
2.209
2.035
1.889
（ ANG）
135.2
119.5
107.7
98.6
91.6
85.3
80.1
75.3
70.7
69.1
66.7
62.7
59.3
56.0
52.4
49.8
47.1
43.8
41.9
39.4
36.3
34.8
（ MAG ）
0.039
0.046
0.049
0.050
0.050
0.049
0.047
0.046
0.044
0.044
0.042
0.040
0.038
0.036
0.034
0.031
0.029
0.026
0.024
0.022
0.019
0.017
S12
（ ANG）
44.5
29.2
18.5
11.2
5.0
-0.3
-4.2
-7.7
-11.0
-12.4
-13.7
-16.2
-18.7
-20.8
-22.3
-23.7
-24.6
-25.9
-25.4
-24.3
-23.5
-20.1
（ MAG ）
0.742
0.665
0.612
0.581
0.568
0.565
0.571
0.580
0.591
0.596
0.605
0.618
0.633
0.649
0.664
0.678
0.695
0.708
0.720
0.736
0.747
0.759
S22
（ ANG）
-57.4
-76.6
-90.6
-100.4
-107.8
-113.8
-118.5
-122.3
-126.1
-127.5
-129.4
-132.2
-135.1
-137.6
-140.1
-142.5
-144.5
-146.7
-148.9
-150.7
-152.4
-154.6
RD01MUS1
三菱电机
5/6
2006年1月10日
硅射频功率半导体
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD01MUS1
4.4+/-0.1
1.6+/-0.1
LOT号
φ
1
0.
符合RoHS指令，
描述
硅MOSFET功率晶体管520MHz的， 1W
外形绘图
1.5+/-0.1
RD01MUS1是MOS FET型晶体管专
专为VHF / UHF射频放大器应用。
型号名称
高功率增益：
Pout>0.8W ， Gp>14dB @ VDD = 7.2V ， F = 520MHz的
高效率： 65 ％ （典型值） 。
1
2
1.5+/-0.1
3
1.5+/-0.1
0.4 +0.03
-0.05
号航站楼
1 ：门
2 ： SOURSE
3 ：排水
单位：mm
应用
对高功率放大器在VHF / UHF输出级
带移动无线电设备。
0.4+/-0.07 0.5+/-0.07 0.4+/-0.07
0.1最大
符合RoHS
RD01MUS1-101 ， T113是符合RoHS标准的产品。
该产品包括铅高温融化的焊料。
如何以往，它适用于RoHS指令的下列情况除外。
1.Lead高温融化型焊锡（ ietin无铅焊料合金中含有较多的than85 ％的铅。 ）
绝对最大额定值
(Tc=25
°C
除非另有说明）
符号
VDSS
VGSS
PCH
针
ID
总胆固醇
TSTG
RTH J-
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
散热通道
输入功率
漏电流
通道温度
储存温度
热阻
条件额定值单位
Vgs=0V
30
V
Vds=0V
+/-10
V
Tc=25
°C
3.6
W
Zg=Zl=50
100
mW
-
600
mA
°C
-
150
-
-40到+125
°C
° C / W
结到外壳
34.5
注：以上参数是独立的保证。
电气特性
(Tc=25
°C
中，除非另有说明）
符号
I
DSS
I
GSS
VTH
噘
ηD
参数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
栅极阈值电压
输出功率
漏EF网络效率
条件
V
DS
=17V, V
GS
=0V
V
GS
=10V, V
DS
=0V
V
DS
= 12V，我
DS
=1mA
V
DD
= 7.2V ，针脚= 30mW的
f=520MHz,Idq=100mA
民
-
-
1.3
0.8
50
范围
典型值
-
-
1.8
1.4
65
单位
最大
50
1
2.3
-
-
uA
uA
V
W
%
注：以上参数，收视率，限制和条件可能发生变化。
RD01MUS1
2010年8月17日
1/7
3.9+/-0.3
特点
0.8分钟2.5 +/- 0.1
硅射频功率半导体
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD01MUS1
销宝特点
符合RoHS指令，
典型特征
销宝特点
35
30
宝（DBM ） ，GP （分贝） ，国际直拨电话（ A）
25
20
15
10
5
0
-10
Ta=+25°C
f=520MHz
Vdd=7.2V
Idq=100mA
Gp
η
½
Po
硅MOSFET功率晶体管520MHz的， 1W
100
90
噘嘴（W ） ，国际直拨电话（ A）
80
ηd(%)
70
60
50
40
30
0
PIN （ DBM）
10
20
2.0
1.8
1.6
1.4
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
20
销（MW ）
40
60
国际直拨电话
Ta=25°C
f=520MHz
Vdd=7.2V
Idq=100mA
Po
100
80
ηd
40
20
0
VDD -宝特征
4.0
3.5
3.0
2.5
宝（ W）
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
4
6
8
10
Vdd的（V）的
12
14
Ta=25°C
f=520MHz
Pin=30mW
Idq=100mA
ZG = ZI = 50欧姆
Po
0.8
0.7
0.6
国际直拨电话
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
IDD （ A）
RD01MUS1
2010年8月17日
3/7
ηd(%)
1.2
60
硅射频功率半导体
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD01MUS1
符合RoHS指令，
硅MOSFET功率晶体管520MHz的， 1W
测试电路（ F = 520MHz的）
VGG
VDD
C1
18m m
11m m
C2
10uF,50V
5m m
4.7kO HM
4m m
的R F -中
62pF
24pF
240pF
68O HM
3pF
30m m
13m m
D01MUS1
6.5m m
4m m 5.5m m
3m m
L1
68pF
17.5m m 25.5m m 4m m
的R F -O UT
62pF
10pF
L1 ： ENAM ELED线5Turns ， D： 0.43米米， 2.46米M O对.D
C1， C2 ： 1000pF的， 0.022uF并行
注：董事会米aterial玻璃基板EPOXI任务
微带线的宽度= 1.0毫米/ 50O HM ，呃： 4.8 ， T = 0.6毫米
输入/输出阻抗VS.频率特性
520MHz的寻* ZOUT *
Zo=50
VDD = 7.2V ， IDQ = 100毫安（ VGG调整后） ，引脚= 0.03W
520MHz的寻*
寻* = 3.11 + j11.56
Zout*=11.64+j4.74
520MHz的ZOUT *
寻*：输入阻抗的复数共轭
ZOUT *：输入阻抗的复共轭
输出阻抗
RD01MUS1
2010年8月17日
4/7
硅射频功率半导体
静电敏感器件
观察处理注意事项
RD01MUS1
S12
S22
（ ANG）
41.3
26.5
16.1
8.4
2.6
-2.4
-6.6
-9.9
-13.3
-14.1
-15.8
-18.5
-21.0
-22.3
-24.9
-25.7
-26.8
-27.8
-27.3
-27.0
-26.3
-23.8
（ MAG ）
0.772
0.687
0.630
0.600
0.588
0.583
0.590
0.597
0.608
0.615
0.622
0.636
0.650
0.666
0.680
0.694
0.711
0.723
0.734
0.749
0.760
0.771
（ ANG）
-63.0
-83.1
-97.3
-107.1
-114.4
-120.1
-124.6
-128.4
-131.7
-133.1
-134.8
-137.3
-140.1
-142.4
-144.6
-146.8
-148.8
-150.9
-152.9
-154.5
-156.3
-158.2
（ MAG ）
0.043
0.050
0.053
0.054
0.053
0.052
0.051
0.049
0.047
0.046
0.045
0.043
0.041
0.039
0.036
0.033
0.031
0.028
0.026
0.023
0.021
0.018
符合RoHS指令，
硅MOSFET功率晶体管520MHz的， 1W
RD01MSU1 S参数数据（ @ VDD = 7.2V ，ID = 100毫安）
频率。
[兆赫]
100
150
200
250
300
350
400
450
500
520
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
S11
（ MAG ）
0.927
0.875
0.833
0.811
0.798
0.791
0.790
0.788
0.794
0.796
0.798
0.801
0.807
0.813
0.817
0.825
0.831
0.837
0.845
0.851
0.857
0.862
（ ANG）
-77.0
-101.2
-117.9
-129.5
-138.0
-144.5
-149.7
-154.1
-158.0
-159.2
-161.2
-164.2
-167.0
-169.3
-171.6
-174.0
-176.0
-178.0
-179.9
178.2
176.5
174.7
S21
（ MAG ）
19.536
15.657
12.662
10.427
8.814
7.548
6.541
5.789
5.106
4.876
4.576
4.120
3.714
3.389
3.092
2.820
2.616
2.401
2.207
2.076
1.912
1.773
（ ANG）
132.3
116.5
105.0
96.2
89.3
83.3
78.2
73.5
69.0
67.5
65.2
61.3
58.0
54.7
51.3
48.6
46.0
42.8
40.9
38.4
35.5
34.0
RD01MSU1 S参数数据（ @ VDD = 12.5V ，ID = 100毫安）
频率。
[兆赫]
100
150
200
250
300
350
400
450
500
520
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
S11
（ MAG ）
0.945
0.896
0.856
0.833
0.819
0.810
0.806
0.804
0.808
0.809
0.812
0.813
0.819
0.824
0.827
0.834
0.841
0.845
0.852
0.857
0.864
0.868
（ ANG）
-72.3
-96.7
-113.9
-126.2
-135.1
-141.9
-147.7
-152.2
-156.4
-157.8
-159.9
-163.0
-166.0
-168.6
-171.0
-173.3
-175.5
-177.4
-179.4
178.6
176.9
175.0
S21
（ MAG ）
19.517
15.937
13.050
10.830
9.194
7.890
6.868
6.084
5.382
5.139
4.831
4.356
3.931
3.597
3.283
2.991
2.779
2.554
2.350
2.209
2.035
1.889
（ ANG）
135.2
119.5
107.7
98.6
91.6
85.3
80.1
75.3
70.7
69.1
66.7
62.7
59.3
56.0
52.4
49.8
47.1
43.8
41.9
39.4
36.3
34.8
（ MAG ）
0.039
0.046
0.049
0.050
0.050
0.049
0.047
0.046
0.044
0.044
0.042
0.040
0.038
0.036
0.034
0.031
0.029
0.026
0.024
0.022
0.019
0.017
S12
（ ANG）
44.5
29.2
18.5
11.2
5.0
-0.3
-4.2
-7.7
-11.0
-12.4
-13.7
-16.2
-18.7
-20.8
-22.3
-23.7
-24.6
-25.9
-25.4
-24.3
-23.5
-20.1
（ MAG ）
0.742
0.665
0.612
0.581
0.568
0.565
0.571
0.580
0.591
0.596
0.605
0.618
0.633
0.649
0.664
0.678
0.695
0.708
0.720
0.736
0.747
0.759
S22
（ ANG）
-57.4
-76.6
-90.6
-100.4
-107.8
-113.8
-118.5
-122.3
-126.1
-127.5
-129.4
-132.2
-135.1
-137.6
-140.1
-142.5
-144.5
-146.7
-148.9
-150.7
-152.4
-154.6
RD01MUS1
2010年8月17日
5/7
QQ：2880707522 复制
