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数据表
10V驱动N沟道MOSFET
RCX080N25
结构
硅N沟道MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
TO-220FM
10.0
φ
3.2
4.5
2.8
■特点
1）低导通电阻。
2 ）低输入电容。
3 ）高ESD 。
15.0
12.0
8.0
14.0
2.5
1.3
1.2
0.8
2.54
(1) (2) (3)
2.54
0.75
2.6
应用
开关
包装规格
包
TYPE
CODE
基本订购单位（件）
RCX080N25
体积
-
500
内部电路
1
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
符号
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
雪崩电流
雪崩能量
功耗
通道温度
储存温度范围
* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％
*2 L
500H ，V
DD
= 50V ，R
G
=25, T
ch
=25C
（ 1 ）门
（ 2 ）排水
（ 3 ）资料来源
(1)
(2)
(3)
范围
250
30
8
32
8
32
4
4.66
35
150
55
to
150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
C
C
1BODYDIODE
V
DSS
连续
脉冲
连续
脉冲
V
GSS
I
D
*3
I
DP
*1,3
I
S
I
SP
*1
I
AS
*2
E
AS
*2
P
D
*4
总胆固醇
TSTG
* 3仅受最大通道温度允许的。
*4 T
C
=25C
热阻
参数
渠道情况
* T
C
=25°C
符号
*
RTH （ CH-C ）
范围
3.57
单位
C
/ W
*只有允许的最大通道温度的限制。
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2011.11 - Rev.A的
RCX080N25
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
栅源漏
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
　
符号
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
*
R
DS （ ON）
升
fs
l*
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
*
t
r
*
t
D（关闭）
*
t
f
*
Q
g
*
Q
gs
*
Q
gd
*
分钟。
-
250
-
3.0
-
2.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
460
-
840
50
25
22
28
28
14
15
6.25
5.5
马克斯。
100
-
10
5.0
600
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
nA
V
A
V
条件
V
GS
=30V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
=250V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ，我
D
=1mA
数据表
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
m我
D
= 4A ，V
GS
=10V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 10V ，我
D
=4A
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
DD
125V ，我
D
=4A
V
GS
=10V
R
L
=31.25
R
G
=10
V
DD
125V ，我
D
=8A
V
GS
=10V
R
L
=15.62 R
G
=10
,
Body
二极管的特性
（源极 - 漏极）
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
*
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
1.5
单位
V
条件
I
s
= 8A ，V
GS
=0V
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2011.11 - Rev.A的
RCX080N25
ⅵELECTRICAL
特性曲线
(Ta=25C)
图1典型的输出特性（ Ⅰ ）
2
T
a
=25°C
脉冲
V
GS
=10.0V
1.5
漏电流：我
D
[A]
V
GS
=8.0V
　
数据表
图2典型的输出特性（ Ⅱ ）
8
T
a
=25°C
脉冲
V
GS
=10.0V
6
漏电流：我
D
[A]
V
GS
=8.0V
1
V
GS
=7.0V
4
0.5
2
V
GS
=7.0V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
漏源电压： V
DS
[V]
0
0
2
4
6
8
10
漏源电压： V
DS
[V]
图3典型的传输特性
10
V
DS
=10V
脉冲
栅极阈值电压： V
GS （ TH）
[V]
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
=-25°C
8
10
图4栅极阈值电压与通道温度
V
DS
=10V
I
D
=1mA
脉冲
1
漏电流：我
D
[A]
6
0.1
4
0.01
2
0.001
0
2
4
6
8
10
栅源电压： V
GS
[V]
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
通道温度：T已
ch
[℃]
图5静态漏源通态电阻与漏电流
10000
V
GS
=10V
脉冲
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
[毫瓦]
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
=-25°C
图6静态漏源导通电阻与通道温度
2000
1800
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
[毫瓦]
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
I
D
=4.0A
I
D
=8.0A
V
GS
=10V
脉冲
1000
100
10
0.01
0
0.1
1
漏电流：我
D
[A]
10
100
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
通道温度：T已
ch
[℃]
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RCX080N25
　
数据表
图7正向转移导纳主场迎战漏电流
10
V
DS
=10V
脉冲
10
图8源电流和源极 - 漏极电压
V
GS
=0V
脉冲
正向转移导纳
| YFS | [S ]
0.1
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
=-25°C
源电流：我
S
[A]
1
1
T
a
=125°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
T
a
=-25°C
0.1
0.01
0.01
0.01
0.1
1
10
0.0
0.5
1.0
1.5
漏电流：我
D
[A]
源极 - 漏极电压： V
SD
[V]
图9静态漏源通态电阻与栅源电压
1500
T
a
=25°C
脉冲
1000
切换时间： T [ NS ]
1100
I
D
=8.0A
I
D
=4.0A
700
10000
图10开关特性
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
[毫瓦]
1300
V
DD
≒125V
V
GS
=10V
R
G
=10W
T
a
=25°C
脉冲
t
f
900
100
t
D（关闭）
500
10
t
r
t
D（上）
300
100
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
栅源电压： V
GS
[V]
1
0.01
0.1
1
10
漏电流：我
D
[A]
图11动态输入特性
15
T
a
=25°C
V
DD
=125V
I
D
=8A
脉冲
10
电容： C [ pF的]
10000
图12典型的电容与漏源电压
T
a
=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
1000
C
国际空间站
栅源电压： V
GS
[V]
100
C
OSS
5
10
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
30
总栅极电荷：Q
g
[ NC ]
1
0.01
0.1
1
10
100
1000
漏源电压： V
DS
[V]
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RCX080N25
　
数据表
图13反向恢复时间与源电流
1000
T
a
=25°C
V
GS
=0V
di/dt=100A/μs
脉冲
反向恢复时间：吨
rr
[ NS ]
100
10
0
1
源电流：我
S
[A]
10
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