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数据表
10V驱动N沟道MOSFET
RCX050N25
结构
硅N沟道MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
TO-220FM
10.0
φ
3.2
4.5
2.8
■特点
1）低导通电阻。
2 ）低输入电容。
3 ）高ESD 。
15.0
12.0
8.0
14.0
2.5
1.3
1.2
0.8
2.54
(1) (2) (3)
2.54
0.75
2.6
应用
开关
包装规格
包
TYPE
CODE
基本订购单位（件）
RCX050N25
体积
-
500
内部电路
1
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
符号
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
雪崩电流
雪崩能量
功耗
通道温度
储存温度范围
* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％
*2 L
500H ，V
DD
= 50V ，R
G
=25, T
ch
=25C
（ 1 ）门
（ 2 ）排水
（ 3 ）资料来源
(1)
(2)
(3)
范围
250
30
5
20
5
20
2.5
1.82
30
150
55
to
150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
C
C
1BODYDIODE
V
DSS
连续
脉冲
连续
脉冲
V
GSS
I
D
*3
I
DP
*1,3
I
S
I
SP
I
AS
E
AS
P
D
总胆固醇
TSTG
*1
*2
*2
*4
* 3仅受最大通道温度允许的。
*4 T
C
=25C
热阻
参数
渠道情况
* T
C
=25°C
符号
*
RTH （ CH-C ）
范围
4.16
单位
C
/ W
*只有允许的最大通道温度的限制。
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2011.10 - Rev.A的
RCX050N25
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
栅源漏
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
　
符号
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
*
R
DS （ ON）
升
fs
l*
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
*
t
r
*
t
D（关闭）
*
t
f
*
Q
g
*
Q
gs
*
Q
gd
*
分钟。
-
250
-
3.5
-
1.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
850
-
410
30
15
17
18
20
12
9.0
3.5
3.5
马克斯。
100
-
10
5.5
1100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
nA
V
A
V
条件
V
GS
=30V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
=250V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ，我
D
=1mA
数据表
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
m我
D
= 2.5A ，V
GS
=10V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 10V ，我
D
=2.5A
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
DD
125V ，我
D
=2.5A
V
GS
=10V
R
L
=50
R
G
=10
V
DD
125V ，我
D
=5A
V
GS
=10V
R
L
=25, R
G
=10
Body
二极管的特性
（源极 - 漏极）
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
*
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
1.5
单位
V
条件
I
s
= 5A ，V
GS
=0V
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2011.10 - Rev.A的
RCX050N25
ⅵELECTRICAL
特性曲线
(Ta=25C)
图1典型的输出特性（ Ⅰ ）
2
T
a
=25°C
脉冲
　
数据表
图2典型的输出特性（ Ⅱ ）
5
T
a
=25°C
脉冲
4
V
GS
=10.0V
1.5
漏电流：我
D
[A]
漏电流：我
D
[A]
V
GS
=10.0V
V
GS
=8.0V
1
3
V
GS
=8.0V
2
V
GS
=7.0V
0.5
1
V
GS
=7.0V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
漏源电压： V
DS
[V]
0
0
2
4
6
8
10
漏源电压： V
DS
[V]
图3典型的传输特性
10
V
DS
=10V
脉冲
8
10
图4栅极阈值电压与通道温度
V
DS
=10V
I
D
=1mA
脉冲
栅极阈值电压： V
GS （ TH）
[V]
1
漏电流：我
D
[A]
T
a
= 125°C
T
a
= 75°C
T
a
= 25°C
T
a
=
-25°C
0.1
6
4
0.01
2
0.001
0
2
4
6
8
10
栅源电压： V
GS
[V]
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
通道温度：总胆固醇[ ℃ ]
图5静态漏源通态电阻与漏电流
10000
V
GS
=10V
脉冲
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
[毫瓦]
T
a
= 125°C
T
a
= 75°C
T
a
= 25°C
T
a
=
-25°C
图6静态漏源导通电阻与通道温度
4000
3500
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
[毫瓦]
3000
2500
2000
1500
I
D
=2.5A
1000
500
V
GS
=10V
脉冲
I
D
=5.0A
1000
100
0.01
0
0.1
1
10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
漏电流：我
D
[A]
通道温度：T已
ch
[℃]
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RCX050N25
　
数据表
图7正向转移导纳主场迎战漏电流
100
V
DS
=10V
脉冲
10
图8源电流和源极 - 漏极电压
V
GS
=0V
脉冲
正向转移导纳
| YFS | [S ]
10
源电流：我
S
[A]
1
T
a
= 125°C
T
a
= 75°C
T
a
= 25°C
T
a
=
-25°C
1
0.1
T
a
= 125°C
T
a
= 75°C
T
a
= 25°C
T
a
=
-25°C
0.1
0.01
0.01
0.01
0.1
1
10
0.0
0.5
1.0
1.5
漏电流：我
D
[A]
源极 - 漏极电压： V
SD
[V]
图9静态漏源通态电阻与栅源电压
3000
T
a
=25°C
脉冲
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
[毫瓦]
2500
I
D
=2.5A
切换时间： T [ NS ]
2000
I
D
=5.0A
1500
1000
10000
图10开关特性
V
DD
≒125V
V
GS
=10V
R
G
=10Ω
T
a
=25°C
脉冲
t
f
t
D（关闭）
100
t
D（上）
1000
10
500
t
r
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1
0.01
0.1
1
10
栅源电压： V
GS
[V]
漏电流：我
D
[A]
图11动态输入特性
15
T
a
=25°C
V
DD
=125V
I
D
=5A
脉冲
电容： C [ pF的]
10
100
1000
图12典型的电容与漏源电压
栅源电压： V
GS
[V]
C
国际空间站
C
OSS
5
10
T
a
=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
0
0
5
10
15
20
总栅极电荷：Q
g
[ NC ]
1
0.01
0.1
1
10
100
C
RSS
1000
漏源电压： V
DS
[V]
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数据表
图13反向恢复时间与源电流
1000
T
a
=25°C
V
gs
=0V
di/dt=100A/us
脉冲
反向恢复时间：吨
rr
[ NS ]
10
漏电流：我
D
[ A ]
100
图14最大安全工作区
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
(V
GS
= 10V)
T
a
=25°C
单脉冲
100
1
P
W
= 100μs
0.1
P
W
为1ms
P
W
= 10ms的
10
0
1
源电流：我
S
[A]
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
漏源电压： V
DS
[ V ]
图15归瞬态热阻VS脉冲宽度
10
归瞬态热阻： R（T ）
T
a
=25°C
单脉冲
1
0.1
0.01
RTH
（ CH -A ）
=61.4°C/W
RTH
（ CH -A ）
（吨） = R（T） × Rth的
（ CH -A ）
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度： PW （ S）
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