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RCR1521SI
P沟道增强型场效应晶体管
特点
高密度电池设计低R
DS （ ON）
电压控制的小信号开关
可靠，坚固耐用
销刀豆网络gurations
D
3
概述
这些P沟道增强型场效应晶体管
采用高密度， DMOS工艺生产。
1
G
2
S
包装信息
绝对最大额定值
@T
A
= 25° ，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流（连续）
漏电流（脉冲）
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
T
J
T
英镑
评级
-20
±8
-1.9
-10
350
-55~150
-55~150
单位
V
V
A
A
mW
℃
℃
1/4
YKKJPD-V2.8
RCR1521SI
电气特性
@T
A
= 25° ，除非另有说明
参数
符号
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极 - 源极漏电流
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
V
DS
= -20 V , V
GS
= 0V
V
GS
=±8 V , V
DS
= 0V
基本特征
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向跨导
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
I
D
= -250微安，V
DS
= V
GS
I
D
= -2.8 A，V
GS
= -4.5V
I
D
= -2A ，V
GS
= -2.5V
V
DS
= -5V ，我
D
= -2.8A
-0.45
--
--
--
-1.15
100
140
6.5
-1.5
130
180
--
V
mΩ
mΩ
S
-20
--
--
-26
--
--
--
-1
±100
V
uA
nA
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
开关特性
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
t
D（上）
t
D（关闭）
V
DD
= -6V ，R
L
= 6Ω,I
D
= -1.0A,
V
根
= -4.5V ，R
G
= 6Ω
--
--
13
42
25
70
ns
ns
--
V
DS
= -6V , V
GS
= 0V
F = 1 MHz的
--
--
415
223
87
--
--
--
pF
pF
pF
漏源二极管的特性和最大额定值
漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
注意事项：
1.脉冲宽度有限的最高结温。
2.脉冲测试： PW≤300μs ，值班cycle≤2 ％ 。
3.辅助设计只，不受生产测试。
4.开关时间基本上是独立的工作温度。
I
S
V
SD
--
是= -1.6A ，V
GS
= 0V
--
-0.5
--
--
-0.75
-1.2
A
V
典型性能特性
2/4
YKKJPD-V2.8
RCR1521SI
3/4
YKKJPD-V2.8
RCR1521SI
4/4
YKKJPD-V2.8
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供货商
型号
厂家
批号
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封装
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