产品 - RailClamp
描述
RailClamps被浪涌额定二极管阵列设计
保护高速数据接口。该RCLAMP系列
经过特别设计，以保护敏感
它们被连接到数据和反式部件
过压任务线因静电
放电
（ ESD ） ，
电气快速瞬变
（ EFT ） ，
和
闪电。
在RCLAMP系列器件的独特设计
包含8个浪涌额定值，低电容steer-
ing二极管和TVS在一个封装中。中
瞬态条件下，转向二极管指示
瞬态到电源的任一正侧
线或接地。内部TVS二极管防止
过电压的电源线，保护任何向下
流组件。
该RCLAMP
TM
0504N具有低典型电容
3pF的，工作几乎没有插入损耗
1GHz的。这使得该器件非常适用于保护
高速数据线，如USB 2.0 ，火线，DVI
和千兆以太网接口。
该RClamp0504N是一个6针，符合RoHS标准，
SLP2020P6包。它可以测量2.0× 2.0×
0.60毫米。引线的间距为0.5mm的螺距
并已完成无铅镍钯金。每个器件
可用于保护四个高速数据或反
任务线。它们可以被用来满足静电放电
IEC 61000-4-2第4级的抗扰度要求
（ ± 15kV空气， ± 8kV接触放电） 。
RailClamp
低电容TVS二极管阵列
特点
用于高速数据线的ESD保护
IEC 61000-4-2 （ ESD ）具有±15kV （空气） ，具有±8kV （接触）
IEC 61000-4-4 （ EFT ） 40A （ 5 / 50ns的）
IEC 61000-4-5 （闪电） 12A （ 8 / 20μS ）
浪涌阵列额定二极管内部TVS二极管
小型封装可节省电路板空间
保护四个I / O线
低电容：
3pF
典型
低钳位电压
低工作电压： 5.0V
固态硅雪崩技术
RClamp0504N
机械特性
SLP2020P6套餐
符合RoHS / WEEE标准
公称尺寸： 2.0× 2.0× 0.60毫米
引线间距： 0.65毫米
铅表面处理：镍钯金
标记：标记代码和日期代码
包装：卷带
应用
USB 2.0电源和数据线保护
视频图形卡
显示器和佛罗里达州的显示器
数字视频接口（ DVI ）
10/100/1000以太网
笔记本电脑
电路图
包装尺寸
2.00
1
5脚
2.00
销1
3脚
引脚4
引脚6
0.65 BSC
销2
0.60
设备原理图
修订2008年1月16日
1
6引脚SLP封装（底部检视图）
公称尺寸（mm）
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RClamp0504N
保护产品
应用信息
为保护四个设备连接选项
高速数据线
本设备被设计为保护四条数据线从
瞬时过电压由它们夹持于固定
参考。当被保护线路上的电压
超过基准电压（加上二极管V
F
）的
控向二极管正向偏置，在进行
瞬态电流远离敏感电路。
数据线的针脚1 ，3，4和6分别连接
负参考连接引脚2。该引脚
应直接连接到接地平面上的
板以达到最佳效果。的路径长度尽可能地短
以尽量减少寄生电感。
正参考连接引脚5
用于连接正参考选项如下
如下所示：
1.为了保护数据线和电力线，连接
销5直接到正电源轨（Ⅴ
CC
） 。在这
配置行被引用到的数据
电源电压。内部TVS二极管防止
在供给轨过电压。
ESD保护用RailClamps
RailClamps是ESD保护利用优化
轨到轨拓扑结构。伴随着良好的电路板布局，
这些设备从根本上消除的缺点
用分立元件来实现这种拓扑结构。
请看图1，其中显示出的情况
克里特岛二极管或二极管阵列配置为轨到
在高速线导轨保护。在正
时间ESD事件，顶部二极管将正向
当被保护线路上的电压超过偏压
基准电压加在V
F
降的二极管。
对于负面事件，底部的二极管会偏
当电压超过V
F
的二极管。起初
近似中，钳位电压是由于字符
保护二极管的开创性意义由下式给出：
V
C
= V
CC
+ V
F
V
C
= -V
F
（正脉冲的持续时间）
（负脉冲的持续时间）
IN 1
IN 2
1
在4
VCC
IN 3
“铁-T
亲
拓扑
图1 - “轨至轨”公关OT拓扑结构挠度
（第一近似值）
2.在应用程序中，如果电源轨不退出
该系统中，内部瞬态可以用作
参考。在这种情况下，销5未连接。
转向二极管将开始进行时
电压保护线路超过工作
电压的TVS （加上一个二极管压降） .3 。
然而，对于快速上升时间的瞬态事件，则
寄生电感的影响，还必须consid-
ERED如示于图2。因此，在实际
钳位电压看到的保护电路将是：
V
C
= V
CC
+ V
F
+ L
P
di
ESD
/ DT （正脉冲的持续时间）
V
C
= -V
F
- L
G
di
ESD
/ DT
（负脉冲的持续时间）
ESD电流达到30A的在1ns的峰值幅度
每IEC 61000-4-2 4级ESD接触放电。
IN 1
IN 2
1
在4
NC
IN 3
4
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RClamp0504N
保护产品
应用信息
（续）
引脚说明
图2 - 寄生电感的影响
用分立元件何时实现
铁路-T
亲
轨到轨镨吨挠度
因此，在电压过冲是由于一系列1nH的
电感为：
V = L
P
di
ESD
/ DT = 1×10 （ 30 / 1×10 ） = 30V
-9
-9
铁路-T
亲
图3 - 轨到轨镨吨挠度使用
RailClamp
阵列
RailClam P T·V·S阿拉YS
以太网保护
以太网IC很容易受到来自电 - 伤害
静电放电（ ESD ） ，闪电和电缆放电
事件（ CDE） 。在PHY芯片内部保护，
如果有的话，常常是不够的，由于高能量
这些干扰。致命的放电可能发生
差分跨发送或接收线对或
之间的任何线和地线（共模） 。
共模和差模保护
防止ESD和CDE放电可以通过以下方式实现
连接RClamp0504N上的物理层侧
以太网电路如图4引脚1 ，3，4 ，和
6连接到发射和接收线对。
由于在连接器，针无连接的Vcc
5 RClamp0504N的不应连接。针
图2是连接到地。这个连接应该是
直接向所述接地平面。所有的路径长度
应保持尽可能的短，以减少对位
SITIC电感。该结构可用于
符合IEC的ESD抗扰性要求61000-4-
2电缆放电事件。
例如：
考虑一个V
CC
= 5V ，典型的V
F
30V （在30A ）对的
转向二极管和10nH到一系列的走线电感。
所述钳位电压为一看到受保护的集成电路
正8kV的（30A）的ESD脉冲将是：
V
C
= 5V， + 30V + （ 10nH到X 30V / NH） = 335V
这并不考虑到ESD电流是
引导到供电轨，具有潜在危害的任何
连接到该导轨的组件。另外请注意
这并不罕见对于V
F
分立二极管的
超过保护IC的损坏阈值。这
是由于典型的比较小的接合面积
分立元件。另外，也可以使
分立二极管的功率耗散能力将
被超过，从而破坏设备。
该RailClamp旨在克服固有
采用了ESD离散信号二极管的缺点
抑制。该RailClamp的集成TVS二极管
有助于降低寄生电感的影响
电源连接。在ESD事件，
该电流将通过集成的TVS被引导
二极管到地。看到的最大电压
保护IC ，由于这条道路将是夹紧
电压的装置。
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