【英特尔的StrataFlash存储器（J3）256兆位（ X8 / X16 ）数据表产品特点■■■性】,IC型号RC28F320J3A-110,RC28F320J3A-110 PDF资料,RC28F320J3A-110经销商,ic,电子元器件-51电子网

英特尔的StrataFlash

存储器（J3）

256兆位（ X8 / X16 ）

数据表

产品特点

■

性能

- 110/115/120/150纳秒的初始访问速度

- 125 ns的初始访问速度（ 256兆

密度只）

- 25 ns的异步页模式读

- 30 ns的异步页面模式读取

（密度的256Mbit只）

32字节的写缓冲区

每字节有效-6.8微秒

编程时间

软件

- 编程和擦除暂停支持

- 闪存数据集成（FDI ），普通

闪存接口（ CFI ）兼容

安全

128位保护寄存器

-64位的唯一设备标识符

-64位用户可编程OTP细胞

绝对保护与V

笔

= GND

- 个别块锁定

- 块擦除过程/程序锁定

电源转换

■

架构

- 多级单元技术：高

密度低成本

- 高密度对称的128字节

块

-256兆（ 256块）（ 0.18微米只）

-128兆（ 128块）

-64兆位（ 64块）

-32兆位（ 32块）

质量和可靠性

- 工作温度：

-40 ° C至+85°C

- 每块100K最小擦除周期

- 0.18微米ETOX VII过程（ J3C ）

- 0.25微米ETOX VI过程（ J3A ）

包装和电压

- 56引脚TSOP封装

- 64球英特尔

简单的BGA封装

- 提供无铅封装

- 48球英特尔

VF BGA封装（ 32

64兆位）（ X16只）

— V

2.7 V至3.6 V

— V

CCQ

= 2.7 V至3.6 V

充分利用英特尔的0.25和0.18微米， 2位每单元技术，英特尔的StrataFlash

存储器（J3）

器件提供2倍于1X位的空间，主流性能的新功能。提供在256

兆位（32兆字节）， 128兆比特（ 16M字节），64兆位和32兆位密度， J3的设备带来可靠，两比特

每单元存储技术闪存细分市场。优点包括更密度在更小的空间，高速

接口，成本最低的每比特的NOR器件，用于代码和数据存储的支持，并轻松迁移到未来

设备。

使用相同的基于NOR的ETOX 技术为Intel的1位每单元产品， J3设备需要

优势超过十亿台的闪存制造经验，自1987年以来其结果是， J3组件

是理想的代码和数据应用中的高密度和低成本的要求。例子包括

网络，电信，数字机顶盒，音频记录和数字成像。

通过应用FlashFile 存储系列引脚， J3内存组件允许简单的设计迁移

现有的字宽FlashFile内存（ 28F160S3和28F320S3 ），和第一代英特尔的StrataFlash

存储器（ 28F640J5和28F320J5 ）设备。

J3的内存组件提供新一代的向前兼容的软件支持。通过使用

通用闪存接口（ CFI ）和可扩展指令集（ SCS ），客户可以利用密度

升级和未来英特尔的StrataFlash优化写性能

存储器装置。英特尔制造

0.18微米ETOX VII （ J3C ）和0.25微米ETOX VI （ J3A ）工艺技术， J3存储设备

提供的质量和可靠性的最高水平。

注意：

本文件包含有关新产品的生产信息。规格有

如有更改，恕不另行通知。验证与您当地的英特尔销售办事处，你有最新的

敲定一个设计之前的数据表。

订单号： 290667-021

2005年3月

信息在本文档提供有关英特尔产品。没有许可证，明示或隐含地

禁止翻供或其它的任何知识产权权利的授予此文档。除非在

英特尔销售条款与这些产品的条件，英特尔概不承担任何责任，英特尔公司不对

任何明示或暗示的担保，销售和/或使用英特尔产品，包括责任或担保

有关适用于某特定用途，适销性，或不侵犯任何专利，版权或其他

知识产权的担保。英特尔产品并非设计用于医疗，救生或延长生命的应用。

英特尔可能随时更改规格和产品说明，在任何时候，恕不另行通知。

设计者不得依赖于不存在或存在任何功能或说明标有“保留”的特点或“未定义”。英特尔保留

今后对其定义的权利，对于因今后对其进行修改所产生的冲突或不兼容性概不负责。

3伏特英特尔StrataFlash内存可能包含设计缺陷或错误勘误表可能导致产品与已出版的偏离

规格。最新的勘误表备索。

请联系您当地的英特尔销售办事处或分销商，以获取最新的规格和订购产品之前。

哪个有顺序编号的文档或其他英特尔文献中提及的文件副本，可致电1-800-得到

548-4725或访问英特尔网站http://www.intel.com 。

英特尔和ETOX是英特尔公司或其子公司在美国和其他国家的注册商标。

*其他名称和品牌可能是其他公司的财产。

数据表

1.0

Introduction....................................................................................................................................7

1.1

1.2

2.0

2.1

2.2

3.0

3.1

3.2

3.3

4.0

4.1

4.2

4.3

4.4

5.0

5.1

5.2

6.0

6.1

6.2

7.0

7.1

7.2

7.3

7.4

7.5

7.6

8.0

8.1

8.2

8.3

9.0

9.1

命名法.......................................................................................................................7

Conventions..........................................................................................................................7

框图......................................................................................................................9

存储器映射.......................................................................................................................10

56引脚TSOP封装.....................................................................................................11

易BGA （ J3 ）套餐.....................................................................................................12

VF- BGA （ J3 ）套餐........................................................................................................13

易BGA Ballout （ 32/64/128/256兆位） ..................................... ........................................ 14

56引脚TSOP （ 32/64/128/256兆位） .................................... .............................................. 15

VF BGA Ballout （ 32和64兆位） ......................................... .............................................. 15

信号说明.............................................................................................................16

绝对最大额定值............................................... ................................................. 18

工作条件..........................................................................................................18

直流电流特性............................................... .................................................. 19

直流电压Characteristics.................................................................................................20

读Operations.................................................................................................................22

写操作.................................................................................................................26

块擦除，编程和锁定位配置性能....................................... 27

重置Operation..................................................................................................................29

AC测试Conditions.............................................................................................................29

电容........................................................................................................................30

上电/下Characteristics.........................................................................................31

电源Decoupling...................................................................................................31

重置Characteristics..........................................................................................................31

总线操作概述...................................................................................................32

9.1.1总线读操作............................................ .................................................. 33

9.1.2总线写操作............................................ .................................................. 33

9.1.3输出禁止.......................................................................................................33

9.1.4 Standby..................................................................................................................34

9.1.5复位/掉电.......................................... .................................................. .... 34

功能概述

.....................................................................................................................8

包装信息

...................................................................................................................11

Ballout和信号说明

................................................................................................14

最大额定值和工作条件............................................. .............................. 18

电气规格

.............................................................................................................19

AC特性

......................................................................................................................22

电源和复位规格

................................................................................................31

巴士业务

............................................................................................................................32

数据表

9.2

设备命令............................................................................................................. 35

10.0读Operations..........................................................................................................................

10.1

读Array.......................................................................................................................... 37

10.1.1异步页模式阅读........................................... ................................ 37

10.1.2增强型配置寄存器（ ECR ） ......................................... ...................... 38

读取识别码......................................................................................................... 39

10.2.1读状态Register............................................................................................. 39

读Query/CFI.................................................................................................................. 41

字节/ Word程序............................................................................................................ 42

写Buffer..................................................................................................................... 42

节目Suspend............................................................................................................... 43

节目Resume................................................................................................................ 43

块Erase......................................................................................................................... 44

块擦除挂起......................................................................................................... 44

删除恢复.................................................................................................................... 45

定座Lock-Bit............................................................................................................... 46

清除块Lock-Bits.......................................................................................................... 46

保护注册程序............................................... ............................................... 47

13.3.1读保护注册........................................... ................................. 47

13.3.2编程保护注册........................................... ......................... 47

13.3.3锁定保护寄存器........................................... .................................. 47

保护阵列.................................................................................................................. 49

设置读取配置寄存器命令............................................. ......................... 50

状态（ STS）的....................................................................................................................... 50

10.2

10.3

11.1

11.2

11.3

11.4

12.1

12.2

12.3

13.1

13.2

13.3

11.0编程操作

........................................................................................................... 42

12.0擦除Operations.........................................................................................................................

13.0安全模式

............................................................................................................................ 46

13.4

14.1

14.2

14.0特殊Modes..............................................................................................................................

附录A通用闪存Interface.................................................................................................52

附录B流量排行榜

......................................................................................................................59

附录C设计注意事项

...................................................................................................68

附录D其他信息

....................................................................................................70

附录E订购Information.......................................................................................................71

数据表

修订历史

日期

调整

07/07/99

08/03/99

09/07/99

VERSION

-001

-002

-003

蓝本

–A

程序框图上显示

变化最小的块擦除时间，我

, I

，页面模式和字节模式

电流。修改RP ＃上

AC波形的写操作

更改的块擦除时间，T

AVWH

除去5 V的I / O操作的所有引用

更正

订购信息，

有效的项目组合

12/16/99

-004

改变闵节目时间211微秒

杜添加铅说明表

改变芯片级封装，以球栅阵列封装

更改默认的阅读模式页面模式

除去擦除从图10排队，

块擦除流程图

加入计划的最大时间

新增擦除最大时间

增加了最大页面模式读取电流

移动表与对应的部分

在订购信息和直流参数表修正印刷错误

去掉V

CCQ1

设置和更改V

CCQ2/3

到V

CCQ1/2

03/16/00

-005

为STS引脚添加推荐的电阻值

改变操作温度范围

移除请注意， RP ＃可以到14 V

去掉V

为0.45伏;去掉V

2.4 V

我更新

CCR

典型值

增加最大的锁位程序和锁定时间

补充说明上最大的测量

更新封面为700万台，声明一个十亿

06/26/00

-006

更正表10显示正确的最高纲领次

在最大块程序的时间在6.7节更正错误

6.7节更正典型的擦除时间

更新封面页，以反映100K最小擦除周期

更新封面页，以反映110 ns的32M读取速度

从表4中删除设置读取配置命令

更新了表8 ，以反映预留位是1-7;没有2-7

更新了表16位2的定义从研发到PSS

2/15/01

-007

改变了V

PENLK

从0.8 V至2.0 V最大电压，第6.4节，

特征

更新32兆读取参数R1 ， R2和R3反映110ns的，第6.5节，

AC特性只读操作

(1,2)

更新写入参数W13 （T

WHRL

）从90纳秒到500纳秒，第6.6节，

特点 - 写操作

更新最大。程序挂起延迟W16 （T

WHRH1

）从30至75微秒，

第6.7节，

块擦除，编程和锁定位配置性能

描述

(1,2,3)

04/13/01

-008

经修订的第7.0节，

订购信息

数据表

3伏特英特尔

的StrataFlash 记忆

28F128J3A ， 28F640J3A ， 28F320J3A （ X8 / X16 ）

初步数据表

产品特点

高密度对称阻止

架构

- 128 128字节擦除块（ 128 M）

—

128字节擦除块（ 64 M）

- 32 128字节擦除块（ 32 ）

高性能异步接口

页面模式读取

- 110/25纳秒读取时间（ 32 M）

- 二十五分之一百二十零纳秒读取时间（ 64 M）

- 二十五分之一百五十〇纳秒读取时间（ 128 M）

2.7 V–3.6 V V

手术

128位注册保护

- 64位的唯一设备标识符

- 64位用户可编程OTP细胞

增强的数据保护功能

绝对保护与V

笔

= GND

- 灵活的块锁定

- 块擦除过程/程序锁定

电源转换

包装

- 56引脚TSOP封装

- 64球英特尔

简单的BGA封装

跨平台兼容性命令支持英特尔

基本命令集

- 通用闪存接口

- 可扩展指令集

32字节的写缓冲区

- 每字节有效的编程6微秒

时间

12.8M共敏。擦除周期（ 128兆）

6.4M总最小擦除周期（ 64兆）

3.2M总最小擦除周期（ 32兆）

- 每块100K最小擦除周期

自动化暂停选项

- 块擦除挂起阅读

- 块擦除挂起到计划

- 计划暂停阅读

0.25 μ英特尔

的StrataFlash 记忆

技术

充分利用英特尔的0.25 μ代双位每单元技术，第二代英特尔

的StrataFlash 内存产品提供2倍于1X位的空间，对主流的新功能

性能。提供了在128兆比特（ 16M字节），64兆位和32兆位密度，这些器件带来

可靠， 2位每单元存储技术的闪光的细分市场。

优点包括：在更少的空间，高速接口，成本最低的每比特的NOR器件的更多密度，

用于代码和数据存储，以及未来的器件容易迁移支持。

使用相同的基于NOR的ETOX 技术为Intel的1位每单元的产品，英特尔的StrataFlash

存储设备利用超过十亿台的制造经验自1987年以来作为

结果，英特尔的StrataFlash部件是理想的代码和数据应用中的高密度和低

成本是必需的。实例包括网络，电信，数字机顶盒，音频

录音和数码影像。

通过应用FlashFile 存储系列引脚配置，英特尔StrataFlash闪存组件可以方便的设计

从现有的字宽FlashFile内存（ 28F160S3和28F320S3 ），和第一代移民

英特尔StrataFlash闪存（ 28F640J5和28F320J5 ）设备。

英特尔StrataFlash闪存组件提供新一代的向前兼容的软件支持。

通过使用通用闪存接口（CFI ）和可扩展命令集（ SCS），客户可以利用

密度优势升级和未来的英特尔StrataFlash闪存设备进行了优化写入能力。

英特尔制造

0.25微米ETOX VI工艺技术，英特尔的StrataFlash存储器提供

最高级别的质量和可靠性。

注意：

本文件包含的新产品在生产中的初步信息。该

规格如有变更，恕不另行通知。验证与您当地的英特尔销售办事处的

你有一个定案之前，设计最新的数据表。

订单号： 290667-008

2001年4月

本文档中的信息均与英特尔产品提供。没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何

知识产权被授予此文档。除非英特尔产品销售条款和此类产品的条件提供，英特尔不承担任何

承担任何责任，英特尔公司不对任何明示或暗示的担保，销售和/或使用英特尔产品包括责任或担保

关于适合特定目的的适销性，或不侵犯任何专利，版权或其他知识产权。英特尔产品

不用于医疗，救生或延长生命的应用。

英特尔可能随时更改规格和产品说明，在任何时候，恕不另行通知。

设计者不得依赖于任何功能或说明的缺失或特性标记"reserved"或"undefined."英特尔保留

今后对其定义的权利，对于因今后对其进行修改所产生的冲突或不兼容性概不负责。

该28F128J3A ， 28F640J3A ， 28F320J3A可能包含勘误表的设计缺陷或错误，这可能导致产品偏离

公布的规格。最新的勘误表备索。

请联系您当地的英特尔销售办事处或分销商，以获取最新的规格和订购产品之前。

哪个有顺序编号的文档或其他英特尔文献中提及的文件副本，可致电1-800-得到

548-4725或访问英特尔网站http://www.intel.com 。

*其他名称和品牌可能是其他公司的财产。

初步

28F128J3A ， 28F640J3A ， 28F320J3A

1.0

2.0

3.0

产品概述

....................................................................................................... 1

操作原理

............................................................................................ 6

2.1

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

3.6

3.7

数据Protection...................................................................................................... 6

Read...................................................................................................................... 8

产量Disable....................................................................................................... 8

待机................................................................................................................. 8

复位/掉电............................................. .................................................. 8

阅读查询........................................................................................................... 9

读取识别码............................................... ............................................. 9

写...................................................................................................................... 9

读阵列命令............................................... .......................................... 13

阅读查询模式命令.............................................. ............................... 13

4.2.1查询结构输出............................................ .............................. 13

4.2.2查询结构概述............................................ .......................... 14

4.2.3模块状态寄存器............................................ ................................. 15

4.2.4 CFI查询标识字符串........................................... .................... 15

4.2.5系统界面的信息............................................ ..................... 16

4.2.6设备几何定义............................................ ........................ 17

4.2.7初级供应商特定的扩展查询表.................................... 18

阅读标识符代码命令.............................................. .......................... 19

读状态寄存器命令.............................................. ........................... 20

清除状态寄存器命令.............................................. ........................... 22

块擦除命令............................................... ......................................... 22

块擦除挂起命令.............................................. .......................... 22

写入buffer命令.............................................. ...................................... 23

字节/ Word程序命令............................................. ............................ 24

程序挂起命令............................................... ............................... 24

设置读取配置命令.............................................. ....................... 24

4.11.1读取配置............................................. ................................... 25

配置命令................................................ ..................................... 25

设置块锁定位命令............................................ ................................ 26

清除块锁定位命令............................................ ............................. 27

保护寄存器编程命令.............................................. ............... 27

4.15.1读保护注册........................................... ................. 27

4.15.2编程保护注册........................................... ......... 27

4.15.3锁定保护寄存器........................................... .................. 28

三线输出控制............................................. ...................................... 38

STS和块擦除，编程和锁定位配置轮询.................. 38

电源去耦............................................... .................................... 38

输入信号跳变 - 减少过冲和下冲时使用

巴士业务

........................................................................................................... 7

4.0

命令德网络nitions

............................................................................................... 9

4.1

4.2

4.3

4.4

4.5

4.6

4.7

4.8

4.9

4.10

4.11

4.12

4.13

4.14

4.15

5.0

设计注意事项

..........................................................................................38

5.1

5.2

5.3

5.4

初步

iii

28F128J3A ， 28F640J3A ， 28F320J3A

5.5

5.6

5.7

缓冲器或Transceivers39

VCC ， VPEN ， RP ＃转换........................................... .................................. 39

上电/下保护............................................ ..................................... 39

功耗................................................ ............................................... 40

绝对最大额定值............................................... ................................. 40

工作条件................................................ .......................................... 41

电容........................................................................................................ 41

直流特性................................................ .............................................. 42

AC特征 - 只读操作

(1,2)

................................................. 45

AC特征 - 写操作

(1,2)

......................................................... 47

块擦除，编程和锁定位配置性能

(1,2,3)

............... 48

6.0

电气规格

........................................................................................ 40

6.1

6.2

6.3

6.4

6.5

6.6

6.7

7.0

8.0

订购信息

.............................................................................................. 51

附加信息

........................................................................................... 52

初步

28F128J3A ， 28F640J3A ， 28F320J3A

修订历史

修订日期

07/07/99

08/03/99

09/07/99

12/16/99

VERSION

-001

-002

-003

-004

蓝本

–A

程序框图上显示

变化最小的块擦除时间，我

, I

，页面模式和字节

模电流。修改RP ＃上

AC波形的写操作

更改的块擦除时间，T

AVWH

除去5 V的I / O操作的所有引用

更正

订购信息，

有效的项目组合

改变闵节目时间211微秒

杜添加铅说明表

改变芯片级封装，以球栅阵列封装

更改默认的阅读模式页面模式

除去擦除从图10排队，

块擦除流程图

加入计划的最大时间

新增擦除最大时间

增加了最大页面模式读取电流

移动表与对应的部分

在订购信息和直流参数固定的印刷错误

表

去掉V

CCQ1

设置和更改V

CCQ2/3

到V

CCQ1/2

为STS引脚添加推荐的电阻值

改变操作温度范围

移除请注意， RP ＃可以到14 V

去掉V

为0.45V

去掉V

2.4 V

我更新

CCR

典型值

增加最大的锁位程序和锁定时间

补充说明上最大的测量

更新封面为700万台，声明一个十亿。

更正表10显示正确的最高纲领次。

在最大块程序的时间在6.7节更正错误

6.7节更正典型的擦除时间

更新封面页，以反映100K最小擦除周期。

更新封面页，以反映110纳秒32M的读取速度。

从表4中删除设置读取配置命令。

更新了表8 ，以反映预留位是1-7;不是2-7 。

更新了表16位2的定义从研发到PSS 。

改变了V

PENLK

从0.8 V至2.0 V最大电压，第6.4节，

特征

更新的32兆读取参数，R1，R2和R3 ，以反映110ns的，见第

化6.5 ，

AC特性只读操作

(1,2)

更新写入参数W13 （T

WHRL

）从90纳秒到500纳秒，第

6.6,

AC特征 - 写操作

更新最大。程序挂起延迟W16 （T

WHRH1

）从30到75

微秒，第6.7节，

块擦除，编程和锁定位配置Per-

formance

(1,2,3)

经修订的第7.0节，

订购信息

描述

03/16/00

-005

06/26/00

-006

2/15/01

-007

04/13/01

-008

初步

3伏特英特尔

的StrataFlash 记忆

28F128J3A ， 28F640J3A ， 28F320J3A （ X8 / X16 ）

初步数据表

产品特点

高密度对称阻止

架构

- 128 128字节擦除块（ 128 M）

—

128字节擦除块（ 64 M）

- 32 128字节擦除块（ 32 ）

高性能异步接口

页面模式读取

- 110/25纳秒读取时间（ 32 M）

- 二十五分之一百二十零纳秒读取时间（ 64 M）

- 二十五分之一百五十〇纳秒读取时间（ 128 M）

2.7 V–3.6 V V

手术

128位注册保护

- 64位的唯一设备标识符

- 64位用户可编程OTP细胞

增强的数据保护功能

绝对保护与V

笔

= GND

- 灵活的块锁定

- 块擦除过程/程序锁定

电源转换

包装

- 56引脚TSOP封装

- 64球英特尔

简单的BGA封装

跨平台兼容性命令支持英特尔

基本命令集

- 通用闪存接口

- 可扩展指令集

32字节的写缓冲区

- 每字节有效的编程6微秒

时间

12.8M共敏。擦除周期（ 128兆）

6.4M总最小擦除周期（ 64兆）

3.2M总最小擦除周期（ 32兆）

- 每块100K最小擦除周期

自动化暂停选项

- 块擦除挂起阅读

- 块擦除挂起到计划

- 计划暂停阅读

0.25 μ英特尔

的StrataFlash 记忆

技术

充分利用英特尔的0.25 μ代双位每单元技术，第二代英特尔

的StrataFlash 内存产品提供2倍于1X位的空间，对主流的新功能

性能。提供了在128兆比特（ 16M字节），64兆位和32兆位密度，这些器件带来

可靠， 2位每单元存储技术的闪光的细分市场。

优点包括：在更少的空间，高速接口，成本最低的每比特的NOR器件的更多密度，

用于代码和数据存储，以及未来的器件容易迁移支持。

使用相同的基于NOR的ETOX 技术为Intel的1位每单元的产品，英特尔的StrataFlash

存储设备利用超过十亿台的制造经验自1987年以来作为

结果，英特尔的StrataFlash部件是理想的代码和数据应用中的高密度和低

成本是必需的。实例包括网络，电信，数字机顶盒，音频

录音和数码影像。

通过应用FlashFile 存储系列引脚配置，英特尔StrataFlash闪存组件可以方便的设计

从现有的字宽FlashFile内存（ 28F160S3和28F320S3 ），和第一代移民

英特尔StrataFlash闪存（ 28F640J5和28F320J5 ）设备。

英特尔StrataFlash闪存组件提供新一代的向前兼容的软件支持。

通过使用通用闪存接口（CFI ）和可扩展命令集（ SCS），客户可以利用

密度优势升级和未来的英特尔StrataFlash闪存设备进行了优化写入能力。

英特尔制造

0.25微米ETOX VI工艺技术，英特尔的StrataFlash存储器提供

最高级别的质量和可靠性。

注意：

本文件包含的新产品在生产中的初步信息。该

规格如有变更，恕不另行通知。验证与您当地的英特尔销售办事处的

你有一个定案之前，设计最新的数据表。

订单号： 290667-008

2001年4月

本文档中的信息均与英特尔产品提供。没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何

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不用于医疗，救生或延长生命的应用。

英特尔可能随时更改规格和产品说明，在任何时候，恕不另行通知。

设计者不得依赖于任何功能或说明的缺失或特性标记"reserved"或"undefined."英特尔保留

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该28F128J3A ， 28F640J3A ， 28F320J3A可能包含勘误表的设计缺陷或错误，这可能导致产品偏离

公布的规格。最新的勘误表备索。

请联系您当地的英特尔销售办事处或分销商，以获取最新的规格和订购产品之前。

哪个有顺序编号的文档或其他英特尔文献中提及的文件副本，可致电1-800-得到

548-4725或访问英特尔网站http://www.intel.com 。

*其他名称和品牌可能是其他公司的财产。

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