飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MMG20271H
牧师0 ， 12/2010
增强型PHEMT
科技（ E-
-pHEMT ）
高线性度放大器
该MMG20271H是一种高动态范围，低噪声放大器MMIC ，收纳
采用QFN 3×3标准的塑料封装。它是理想的蜂窝， PCS ， LTE ，
TD - SCDMA ，W - CDMA基站，无线局域网等系统中的
一五〇〇年至2700年兆赫的频率范围。具有较高的OIP3和低噪声系数，它可以
被用作驱动器放大器的发射链和作为第二级LNA
在接收链
.
特点
频率： 1500--2700兆赫
噪声系数：2.7 dB的2140兆赫
P1dB为27.5 dBm的@ 2140 MHz的
小 - 信号增益：16 dB的2140兆赫
三阶输出截取点： 42 dBm的@ 2140 MHz的
单5伏电源
电源电流： 180毫安
50欧姆操作（需要一些外部匹配）
低成本QFN表面贴装封装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 T1后缀= 1000个单位，12个毫米磁带宽度， 7英寸的卷轴。
MMG20271HT1
1500-
-2700兆赫， 16分贝
27.5 dBm的
E-
-pHEMT
CASE 2131-
-01
QFN 3×3
塑料
表1.典型性能
(1)
特征
噪声系数
输入回波损耗
(S11)
输出回波损耗
(S22)
小 - 信号增益
(S21)
功率输出@
1dB压缩
三阶输入
截取点
三阶输出
截取点
符号
NF
IRL
ORL
G
p
P1db
IIP3
OIP3
1500
兆赫
2.0
--16
--20
18
27
22
40
2140
兆赫
1.7
--14
--22
16
27.5
26
42
2700
兆赫
1.9
--17
--17
14
28
28
42
单位
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
表2.最大额定值
等级
电源电压
电源电流
RF输入功率
存储温度范围
结温
(2)
符号
V
DD
I
DD
P
in
T
英镑
T
J
价值
6
400
25
--65到150
150
单位
V
mA
DBM
°C
°C
2.运行可靠，结温不应
超过150 ℃。
1. V
DD
= 5 VDC ，T
A
= 25 ° C， 50欧姆系统中，应用电路调谐
对于特定的频率。
表3.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度96 ° C， 5伏190毫安，没有RF应用
符号
R
θJC
价值
(3)
38
单位
° C / W
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2010年。保留所有权利。
MMG20271HT1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(V
DD
= 5 VDC ， 2140兆赫，T
A
= 25 ° C， 50欧姆系统，在飞思卡尔应用电路）
特征
小 - 信号增益（ S21 ）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
输出功率@ 1dB压缩
三阶输入截点
三阶输出截取点
反向隔离（ S12 ）
噪声系数
电源电流
(1)
电源电压
(1)
符号
G
p
IRL
ORL
P1dB
IIP3
OIP3
|S12|
NF
I
DD
V
DD
民
13.9
—
—
—
—
—
—
—
148
—
典型值
16
--14
--22
27.5
26
42
--23
1.7
180
5
最大
—
—
—
—
—
—
—
—
227
—
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
dB
mA
V
1.可靠运行，结点温度不应超过150 ℃。
表5.功能引脚说明
名字
RF
in
(1)
引脚数
3
描述
RF输入用于功率放大器。 RF
in
具有RF扼流
接地内部到包。无需外部阻塞是
必要的，除非从外部施加的DC存在于
跟踪。
RF输出功率放大器。该引脚的直流耦合
并且需要一个隔直流电容器。
偏置电压和电流的调整销。
QFN封装的中心金属底座提供
DC和RF地线以及所述散热器接触
为IC 。
V
BA
北卡罗来纳州北卡罗来纳州
12
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
RF
in
1
2
3
4
5
6
北卡罗来纳州北卡罗来纳州北卡罗来纳州
（ TOP VIEW ）
GND
11
10
9
8
7
RF
OUT
/V
DD
RF
OUT
/V
DD
北卡罗来纳州
RF
OUT
/
V
DD
V
BA
GND
8, 9
12
背面
金属中心
1.射频输入具有直流通路到地，因此可能需要一个外部
去耦电容。
图1.引脚连接
表6. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD 22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD 22 - A115 ）
充电器型号（每JESD 22 - C101 ）
类
1B （最低）
A（最小）
IV （最低）
表7.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
1
封装峰值温度
260
单位
°C
MMG20271HT1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
50 OHM应用电路： 2140兆赫
R2
V
供应
R1
C7
12
11
10
C3
L2
Z3
L1
Z4
C6
C5
1
BIAS
电路
9
RF
产量
C2
2
RF
输入
8
Z1
C1
Z2
3
7
4
Z1
Z2
5
6
Z3
Z4
0.041 “× 0.030 ”微带
0.198 “× 0.021 ”微带
0.139 “× 0.021 ”微带
0.026 “× 0.011 ”微带
图2. MMG20271HT1测试电路原理图
表8. MMG20271HT1测试电路组件牌号和值
部分
C1
C2, C3, C7
C4
C5
C6
L1 ， R2
(1)
L2
R1
PCB
描述
1.8 pF的芯片Capicitor
18 pF的贴片电容
组件未使用
0.1
μF
贴片电容
1.5 pF的贴片电容
0
,
1贴片电阻
23 nH的片式电感
220
,
1/16 W贴片电阻
0.010″,
ε
r
= 3.38 ，多层
GRM155R61A104K01D
GJM1555C1H1R5BB01D
ERJ2GE0R00X
0402CS--23NXGL
RC0402FR--07220RL
IS680--338
村田
村田
松下
Coilcraft公司
YAGEO
伊索拉
产品型号
GJM1555C1H1R8BB01D
GJM1555C1H180GB01D
生产厂家
村田
村田
1.位置L 1可以是一个电感器，电阻器或跳线取决于频率。
MMG20271HT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
50 OHM应用电路： 2140兆赫
V
DD
5 V
V
BA
R2
R1
RF
IN
C7
C5
C4*
C3
L2
C1
L1
C2
C6
RF
OUT
QFN 3x3--12A
第0版
*不使用C4组分。
图3. MMG20271HT1测试电路元件布局
表8. MMG20271HT1测试电路组件牌号和值
部分
C1
C2, C3, C7
C4
C5
C6
L1 ， R2
(1)
L2
R1
PCB
描述
1.8 pF的芯片Capicitor
18 pF的贴片电容
组件未使用
0.1
μF
贴片电容
1.5 pF的贴片电容
0
,
1贴片电阻
23 nH的片式电感
220
,
1/16 W贴片电阻
0.010″,
ε
r
= 3.38 ，多层
GRM155R61A104K01D
GJM1555C1H1R5BB01D
ERJ2GE0R00X
0402CS--23NXGL
RC0402FR--07220RL
IS680--338
村田
村田
松下
Coilcraft公司
YAGEO
伊索拉
产品型号
GJM1555C1H1R8BB01D
GJM1555C1H180GB01D
生产厂家
村田
村田
1.位置L 1可以是一个电感器，电阻器或跳线取决于频率。
（组件牌号和值表重复以供参考。 ）
MMG20271HT1
4
RF设备数据
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QQ：2881677436 复制
