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数据表
肖特基二极管
RBQ20T45A
lApplications
一般整顿
　　　
lDimensions
（单位：毫米）
4.5±0.3
　　　 0.1
10.0±0.3
　　　 0.1
2.8±0.2
　　　 0.1
lStructure
①
1.3
0.8
(1) (2) (3)
13.5MIN
lConstruction
硅外延刨床
1.2
5.0±0.2
8.0±0.2
12.0±0.2
15.0±0.4
　 0.2
8.0
0.7±0.1
0.05
lFeatures
1 ）阴极常见的类型。
2 ）低I
R
3）高可靠性
2.6±0.5
ROHM ： TO220FN
①
制造日期
lAbsolute
最大额定值
(Tc=25C)
参数
符号
V
RM
反向电压（重复）
反向电压（DC）的
V
R
平均正向电流整流（ * 1 ）
Io
I
FSM
正向电流浪涌峰值（ 60赫兹· 1cyc ）
结温
Tj
储存温度
（ * 1 ）每额定值二极管： IO / 2
TSTG
范围
45
45
20
100
150
-40
to
+150
单位
V
V
A
A
°C
°C
lElectrical
特征
(Tj=25°C)
参数
正向电压
反向电流
符号
V
F
I
R
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
0.65
300
单位
V
mA
I
F
=10A
V
R
=45V
条件
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1/4
2011.11 - Rev.A的
RBQ20T45A
　
数据表
100
100000
Ta=150°C
10000
Ta=125°C
反向电流：我
R
（MA ）
正向电流：I
F
(A)
10
Ta=150°C
1000
Ta=125°C
100
Ta=75°C
10
1
Ta=75°C
Ta=25°C
0.1
Ta=-25°C
1
Ta=25°C
0.1
Ta=-25°C
0.01
0
100
200
300
400
500
600
700
正向电压： V
F
（毫伏）
V
F
-I
F
特征
0.01
0
10
20
30
40
50
反向电压： V
R
(V)
V
R
-I
R
特征
10000
电容之间端子的CT （PF ）
f=1MHz
1000
正向电压： V
F
（毫伏）
550
Ta=25°C
I
F
=10A
n=30pcs
540
AVE ： 538.6mV
530
100
520
10
510
1
0
5
10
15
20
25
30
反向电压： V
R
(V)
V
R
-ct特性
500
V
F
色散图
50
电容之间端子的CT （PF ）
45
40
反向电流：我
R
（MA ）
35
30
25
20
15
10
5
0
I
R
色散图
AVE ： 27.7毫安
Ta=25°C
V
R
=45V
n=30pcs
1300
Ta=25°C
f=1MHz
V
R
=0V
n=10pcs
1250
1200
AVE ： 1140.8pF
1150
1100
1050
1000
CT色散图
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2011.11 - Rev.A的
RBQ20T45A
　
数据表
500
450
I
FSM
峰值浪涌
正向电流：I
FSM
(A)
400
350
300
250
200
150
100
50
0
I
FSM
DISRESION地图
AVE240A
8.3ms
1cyc
反向恢复时间： TRR （ NS ）
30
Ta=25°C
I
F
=0.5A
I
R
=1A
Irr=0.25*I
R
n=10pcs
AVE ： 14.6ns
15
25
20
10
5
0
TRR色散图
500
450
I
FSM
峰值浪涌
正向电流：I
FSM
(A)
350
300
250
200
150
100
50
0
1
10
周期数
I
FSM
-CYCLE特性
100
8.3ms
1cyc
8.3ms
峰值浪涌
正向电流：I
FSM
(A)
400
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
1
10
时间： T（毫秒）
I
FSM
-t特性
100
I
FSM
t
1000
25
短暂
热阻抗：的Rth （ ° C / W）
100
前进动力
耗散：PF （ W）
20
Rth的第（j-一）
10
15
D=1/2
Sin(q=180)
1
RTH （J -C ）
10
DC
0.1
5
0.01
0.001
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
10
20
30
40
平均整流
正向电流IO（ A）
IO -PF特性
时间： T（ S）
RTH- T特性
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2011.11 - Rev.A的
RBQ20T45A
　
数据表
4
3.5
平均整流
正向电流IO（ A）
3
反向功率
耗散：P
R
(W)
2.5
2
1.5
D=1/2
1
0.5
0
0
10
20
30
40
50
反向电压： V
R
(V)
V
R
-P
R
特征
Sin(q＝180)
35
DC
D=1/2
25
T
20
0A
0V
t
V
R
D = T / T
V
R
=20V
Tj=150°C
Io
30
DC
15
10
Sin(q＝180)
5
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ° C）
降额曲线（ IO- Ta）的
50
Io
45
40
平均整流
正向电流IO（ A）
35
30
25
20
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
Sin(q＝180)
D=1/2
DC
0A
0V
t
T
V
R
D = T / T
V
R
=20V
Tj=150°C
30
没有休息，在30kV的
25
静电
放电测试ESD （ KV ）
20
15
10
AVE ： 12.4kV
5
0
C=200pF
R=0W
C=100pF
R=1.5kW
CASE温度T （ ℃）
降额曲线（IO -TC）
ESD色散图
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2011.11 - Rev.A的
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