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数据表
肖特基二极管
RB751VM-40
lApplications
高速开关
lDimensions
（单位：毫米）
1.25±0.1
0.1±0.1
　　　 0.05
lLand
尺寸图
（单位：毫米）
1.7±0.1
3）高可靠性
UMD2
lConstruction
硅外延
2.5±0.2
lFeatures
1 ）超小型模具类型。 （ UMD2 ）
2 ）低I
R
0.8MIN.
0.9MIN.
0.3±0.05
0.7±0.2
　　　 0.1
lStructure
ROHM ： UMD2
JEDEC ： SOD- 323
JEITA ： SC- 901A
点（年周厂）
lTaping
特定网络阳离子
（单位：毫米）
4.0±0.1
2.0±0.05
φ 1.55±0.05
1.75±0.1
0.3±0.1
3.5±0.05
8.0±0.2
1.40±0.1
4.0±0.1
φ 1.05
1.0±0.1
lAbsolute
最大额定值
(Ta=25°C)
参数
符号
V
RM
反向电压（重复）
V
R
反向电压（DC）的
平均正向电流整流
Io
I
FSM
正向电流浪涌峰值（ 60赫兹· 1cyc ）
结温
Tj
储存温度
TSTG
范围
40
30
30
200
150
-40
to
+150
单位
V
V
mA
mA
°C
°C
lElectrical
特征
(Ta=25°C)
参数
符号
V
F
正向电压
反向电流
终端之间的电容
I
R
Ct
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
2
马克斯。
0.37
0.5
-
单位
V
μA
pF
I
F
=1mA
V
R
=30V
V
R
= 1V ， F = 1MHz的
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2.75
条件
1/3
2011.06 - Rev.A的
2.8±0.1
2.1
RB751VM-40
　
数据表
100
Ta=125℃
正向电流：I
F
（MA ）
反向电流：我
R
（ UA）
1000
100
10
1
0.1
Ta=-25℃
0.01
Ta=125℃
10
f=1MHz
之间的电容
端子的CT （PF ）
30
10
Ta=75℃
1
Ta=-25℃
Ta=25℃
Ta=75℃
Ta=25℃
1
0.1
0.01
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
正向电压： V
F
（毫伏）
V
F
-I
F
特征
320
正向电压： V
F
（毫伏）
310
300
290
280
AVE ： 282.4mV
270
260
Ta=25℃
I
F
=1mA
n=30pcs
0.001
0
10
20
反向电压： V
R
(V)
V
R
-I
R
特征
1000
900
反向电流：我
R
（ nA的）
800
700
600
500
400
300
200
100
AVE ： 245.0nA
Ta=25℃
V
R
=30V
n=30pcs
0.1
0
10
20
30
反向电压： V
R
(V)
V
R
-ct特性
10
9
之间的电容
端子的CT （PF ）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
AVE ： 2.1pF
Ta=25℃
f=1MHz
V
R
=1V
n=10pcs
250
0
I
R
色散图
V
F
色散图
30
反向恢复时间： TRR （ NS ）
CT色散图
10
I
F
=0.1A
I
R
=0.1A
Irrr=0.1*I
R
IFSM
峰值浪涌
正向电流：I
FSM
(A)
8.3ms的8.3ms的
1cyc
5
20
峰值浪涌
正向电流：I
FSM
(A)
IFSM
15
1cyc
25
8.3ms
10
20
15
AVE ： 7.7ns
10
5
AVE ： 3.24A
5
0
I
FSM
色散图
0
TRR色散图
0
1
10
周期数
I
FSM
-CYCLE特性
100
20
IFSM
15
t
1000
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
安装在环氧板
Rth的第（j-一）
RTH （J -C ）
100
0.05
峰值浪涌
正向电流：I
FSM
(A)
0.04
前进动力
耗散：PF （ W）
D=1/2
0.03
Sin(θ＝180)
0.02
DC
0.01
10
10
5
0
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
I
FSM
-t特性
1
0.001
0.00
0.1
10
1000
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
时间： T（ S）
RTH- T特性
平均整流
正向电流IO（ A）
IO -PF特性
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2/3
2011.06 - Rev.A的
RB751VM-40
　
数据表
0.01
0.1
Io
t
0.06
DC
T
V
R
D = T / T
V
R
=15V
Tj=150℃
0.10
0A
0V
0A
0V
t
0.06
DC
D=1/2
T
Io
V
R
D = T / T
V
R
=15V
Tj=150℃
平均整流
正向电流IO（ A）
反向功率
耗散：P
R
(W)
0.006
D=1/2
0.004
DC
Sin(θ＝180)
0.002
平均整流
正向电流IO（ A）
0.008
0.08
0.08
0.04
D=1/2
0.04
0.02
Sin(θ＝180)
0
0.02
Sin(θ＝180)
0.00
0
0
10
20
30
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
反向电压： V
R
(V)
V
R
-P
R
特征
环境温度： TA（ ℃ ）
降额曲线（ IO- Ta）的
北部沿海地区案例：TC （ ℃ ）
降额曲线（IO -TC）
5
静电
放电测试ESD （ KV ）
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
C=200pF
R=0Ω
C=100pF
R=1.5kΩ
AVE ： 0.418kV
AVE ： 3.34kV
ESD色散图
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2011.06 - Rev.A的
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R7010103
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