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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第256页 > RB751G-40
RB751G-40
二极管
肖特基二极管
RB751G-40
应用
一般整顿
外形尺寸
(单位:毫米)
寸法図(
0.6±0.05
0.13±0.03
土地面积图
0.5
0.5
特点
1 )小功率模具类型。
(VMD2)
2 )低V
F
3)高可靠性
1.0±0.05
1.4±0.05
VMD2
施工
硅外延平面
0.27±0.03
结构
0.5±0.05
ROHM : VMD2
点(年周厂)
大坪尺寸
(单位:毫米)
0.18±0.05
4±0.1
2±0.05
φ1.5+0.1
     0
1.75±0.1
3.5±0.05
1.11±0.05
2.1±0.1
φ0.5
0.76±0.1
4±0.1
2±0.05
0.4
8.0±0.3
0.1
1.2
0.3
0.65±0.05
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
反向电压(重复峰值)
反向电压(DC)的
平均正向电流整流
正向电流浪涌峰值
(60Hz1cyc)
结温
储存温度
符号
V
RM
V
R
Io
I
FSM
Tj
TSTG
范围
40
30
30
200
125
-40到+125
单位
V
V
mA
mA
电气特性
(Ta=25°C)
参数
正向电压
反向电流
终端之间的电容
符号
V
F
I
R
Ct
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
2
马克斯。
0.37
0.5
-
单位
V
A
pF
条件
I
F
=1mA
V
R
=30V
V
R
= 1V , F = 1MHz的
REV.B
1/3
RB751G-40
二极管
电气特性曲线
100
100000
Ta=75℃
Ta=125℃
1
0.1
0.01
0.001
0
100 200 300 400 500 600 700 800
正向电压VF (MV )
VF- IF特性
Ta=25℃
Ta=-25℃
Ta=125℃
10
f=1MHz
正向电流IF (MA )
Ta=75℃
1000
Ta=25℃
100
10
1
0
5
10 15 20 25 30 35
反向电压VR ( V)
VR -IR特性
40
Ta=-25℃
之间的电容
端子的CT (PF )
10
0REVERSE电流: IR ( NA)
10000
1
0.1
0
5
10
15
20
25
30
反向电压VR ( V)
VR -CT特征
330
1000
10
正向电压VF (MV )
反向电流: IR ( NA)
320
310
300
290
AVE : 304.2mV
280
VF色散图
700
600
500
400
300
200
100
0
AVE : 111.0nA
之间的电容
端子的CT (PF )
Ta=25℃
IF=1mA
n=30pcs
900
800
Ta=25℃
VR=30V
n=30pcs
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
AVE : 1.81pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
IR色散图
CT色散图
20
30
10
RESERVE恢复时间: TRR ( NS )
峰值浪涌
正向电流IFSM ( A)
25
20
15
10
5
0
峰值浪涌
正向电流IFSM ( A)
IFSM
15
1cyc
8.3ms
Ta=25℃
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25*IR
n=10pcs
8
6
4
2
0
1
IFSM
8.3ms的8.3ms的
1cyc
10
AVE : 3.40A
5
AVE : 11.7ns
0
IFSM DISRESION地图
TRR色散图
10
周期数
IFSM周期特征
100
10
1000
IFSM
0.05
Rth的第(j-一)
0.04
8
t
短暂
THAERMAL阻抗的Rth ( ℃ / W)
峰值浪涌
正向电流IFSM ( A)
前进动力
耗散:PF ( W)
6
RTH (J -C )
100
安装在环氧板
IM=1mA
IF=10mA
0.03
0.02
0.01
D=1/2
Sin(θ=180)
DC
4
2
1ms
时间
0
0.1
10
时间: T(毫秒)
IFSM -T特性
1
100
10
0.001
300us
0
1000
0
0.01
0.02
0.03
0.04
平均整流
正向电流IO( A)
IO -PF特性
0.05
时间: T( S)
RTH- T特性
0.1
10
REV.B
2/3
RB751G-40
二极管
0.003
0.1
0.1
0A
0V
Io
t
T
VR
D = T / T
VR=20V
Tj=125℃
0.08
0.06
0.04
0.02
Sin(θ=180)
0
0
25
50
75
100
125
环境温度: TA( ℃ )
降额曲线( IO- Ta)的
0
25
50
75
100
125
北部沿海地区案例:TC ( ℃ )
降额曲线(IO -TC)
0A
0V
Io
t
T
VR
D = T / T
VR=20V
Tj=125℃
平均RECTIFI
正向电流IO( A)
0.002
DC
Sin(θ=180)
D=1/2
平均整流
正向电流IO( A)
0.08
0.06
0.04
0.02
Sin(θ=180)
0
反向功率
耗散:P
R
(W)
DC
D=1/2
DC
D=1/2
0.001
0
0
10
20
30
40
反向电压VR ( V)
VR -P
R
特征
REV.B
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
RB751G-40
肖特基势垒二极管
SOD-723
特点
小型表面安装型
低反向电流和低正向电压
高可靠性
标记:
5
最大额定值和电气特性,单二极管@T
A
=25℃
参数
峰值反向电压
采用直流反接电压
意思是整流电流
峰值正向浪涌电流
结温
储存温度
符号
V
RM
V
R
I
O
I
FSM
T
j
T
英镑
范围
40
30
30
200
125
-40~125
单位
V
V
mA
mA
电气额定值@T
A
=25℃
参数
正向电压
反向电流
终端之间的电容
符号
V
F
I
R
C
T
2
分钟。
典型值。
马克斯。
0.37
0.5
单位
V
μA
pF
条件
I
F
=1mA
V
R
=30V
V
R
=1V,f=1MHZ
典型特征
RB751G-40
RB751G-40
表面贴装肖特基二极管
电压
特点
极快的开关速度
非常低V
F
: 0.325V (典型值) ,在我
F
= 1毫安
表面贴装型封装非常适合autmatic插入
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
40伏
当前
300毫安
机械数据
案例: SOD- 723 ,塑料
终端:每MIL -STD- 750 ,方法2026焊性
Appox重量: 0.00077克
绝对额定值
PA RA M E TE
M A R·K我NG
米喜米庵 已经R 5 E D (C V) L T A G é
P E A的Kr é已经R 5 ê V L T A G é
米喜米庵F R W A R维C乌尔鄂西北
N}÷正repetiti已经P EAK F orword S乌尔GE C-UR重新NT ATT = 1 0 0 0毫秒
P o我们R D所I S的I P A TI 0:N
(1 )
S YM B○升
-
V
RRM
V
R
I
F( A V )
I
F S M
P
合计
(1 )
VA L UE
BC
40
30
0 .3
0 .6
200
635
-5 2月5日至一日5
-5 2月5日至一日5
ü妮吨s
-
V
V
A
A
mW
O
该rmal esista NC E,J UNC tionto一个mbie新台币
加利(C T) I O テ米P·E·R的T ü
S T R A克éテ米P·E·R的T ü
R
θ
JA
T
J
T
S T摹
C / W
O
C
C
O
1, FR - 5局= 1.0× 0.75× 0.062英寸Minmum焊盘布局
STAD-MAY.18.2007
PAGE 。 1
RB751G-40
电气特性(T
J
= 25
O
C除非另有说明)
PA RA M E TE
已经R 5 L E A K A G式C乌尔鄂西北
F RWA RD武LTA克é
以T A L C的p一个C I T A N权证
S YM B○升
I
R
V
F
C
J
特S T C 0 N D I T I O
V
R
=30V
I
F
= 1米
V
R
= 1 V , F = 1兆赫
M IN 。
-
-
-
牛逼YP 。
-
-
-
MA X 。
0 .5
0.37
2
ü妮吨s
A
V
pF
电气特性曲线
100
T
A
=125 C
O
100
反向漏电流,我
R
(
m
A)
10
T
A
=75 C
1
O
T
A
=125 C
O
正向电流I
F
(MA )
10
T
A
=75 C
O
0.1
T
A
=25 C
O
T
A
=-25 C
1
O
0.01
T
A
=-25 C
0.001
0
10
20
30
40
0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
O
T
A
=25 C
O
0.5
0.6
0.7
反向电压, V
R
(V)
图1 - 典型的反向漏
正向电压,V
F
(V)
图2 ,典型正向电压
4
3.5
总电容,C
T
(PF )
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
10
20
反向电压,V
R
(V)
30
40
图3 ,典型电容
STAD-MAY.18.2007
PAGE 。 2
RB751G-40
贴装焊盘布局
订购信息
包装信息
T / R - 12K每13"塑料卷
T / R - 每个7"塑料卷5K
法律声明
版权所有强茂国际2007年公司
本文件中的信息被认为是准确和可靠。规格和此处信息
如有更改,恕不另行通知。潘日新公司对于是否适合任何担保,声明或保证其
产品针对任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或系统使用。潘日新
不转达根据其专利权或他人权利的任何许可。
STAD-MAY.18.2007
PAGE 。 3
RB751G-40
二极管
肖特基二极管
RB751G-40
应用
一般整顿
外形尺寸
(单位:毫米)
寸法図(
0.6±0.05
0.13±0.03
土地面积图
0.5
0.5
特点
1 )小功率模具类型。
(VMD2)
2 )低V
F
3)高可靠性
1.0±0.05
1.4±0.05
VMD2
施工
硅外延平面
0.27±0.03
结构
0.5±0.05
ROHM : VMD2
点(年周厂)
大坪尺寸
(单位:毫米)
0.18±0.05
4±0.1
2±0.05
φ1.5+0.1
     0
1.75±0.1
3.5±0.05
1.11±0.05
2.1±0.1
φ0.5
0.76±0.1
4±0.1
2±0.05
0.4
8.0±0.3
0.1
1.2
0.3
0.65±0.05
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
反向电压(重复峰值)
反向电压(DC)的
平均正向电流整流
正向电流浪涌峰值
(60Hz1cyc)
结温
储存温度
符号
V
RM
V
R
Io
I
FSM
Tj
TSTG
范围
40
30
30
200
125
-40到+125
单位
V
V
mA
mA
电气特性
(Ta=25°C)
参数
正向电压
反向电流
终端之间的电容
符号
V
F
I
R
Ct
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
2
马克斯。
0.37
0.5
-
单位
V
A
pF
条件
I
F
=1mA
V
R
=30V
V
R
= 1V , F = 1MHz的
REV.B
1/3
RB751G-40
二极管
电气特性曲线
100
100000
Ta=75℃
Ta=125℃
1
0.1
0.01
0.001
0
100 200 300 400 500 600 700 800
正向电压VF (MV )
VF- IF特性
Ta=25℃
Ta=-25℃
Ta=125℃
10
f=1MHz
正向电流IF (MA )
Ta=75℃
1000
Ta=25℃
100
10
1
0
5
10 15 20 25 30 35
反向电压VR ( V)
VR -IR特性
40
Ta=-25℃
之间的电容
端子的CT (PF )
10
0REVERSE电流: IR ( NA)
10000
1
0.1
0
5
10
15
20
25
30
反向电压VR ( V)
VR -CT特征
330
1000
10
正向电压VF (MV )
反向电流: IR ( NA)
320
310
300
290
AVE : 304.2mV
280
VF色散图
700
600
500
400
300
200
100
0
AVE : 111.0nA
之间的电容
端子的CT (PF )
Ta=25℃
IF=1mA
n=30pcs
900
800
Ta=25℃
VR=30V
n=30pcs
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
AVE : 1.81pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
IR色散图
CT色散图
20
30
10
RESERVE恢复时间: TRR ( NS )
峰值浪涌
正向电流IFSM ( A)
25
20
15
10
5
0
峰值浪涌
正向电流IFSM ( A)
IFSM
15
1cyc
8.3ms
Ta=25℃
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25*IR
n=10pcs
8
6
4
2
0
1
IFSM
8.3ms的8.3ms的
1cyc
10
AVE : 3.40A
5
AVE : 11.7ns
0
IFSM DISRESION地图
TRR色散图
10
周期数
IFSM周期特征
100
10
1000
IFSM
0.05
Rth的第(j-一)
0.04
8
t
短暂
THAERMAL阻抗的Rth ( ℃ / W)
峰值浪涌
正向电流IFSM ( A)
前进动力
耗散:PF ( W)
6
RTH (J -C )
100
安装在环氧板
IM=1mA
IF=10mA
0.03
0.02
0.01
D=1/2
Sin(θ=180)
DC
4
2
1ms
时间
0
0.1
10
时间: T(毫秒)
IFSM -T特性
1
100
10
0.001
300us
0
1000
0
0.01
0.02
0.03
0.04
平均整流
正向电流IO( A)
IO -PF特性
0.05
时间: T( S)
RTH- T特性
0.1
10
REV.B
2/3
RB751G-40
二极管
0.003
0.1
0.1
0A
0V
Io
t
T
VR
D = T / T
VR=20V
Tj=125℃
0.08
0.06
0.04
0.02
Sin(θ=180)
0
0
25
50
75
100
125
环境温度: TA( ℃ )
降额曲线( IO- Ta)的
0
25
50
75
100
125
北部沿海地区案例:TC ( ℃ )
降额曲线(IO -TC)
0A
0V
Io
t
T
VR
D = T / T
VR=20V
Tj=125℃
平均RECTIFI
正向电流IO( A)
0.002
DC
Sin(θ=180)
D=1/2
平均整流
正向电流IO( A)
0.08
0.06
0.04
0.02
Sin(θ=180)
0
反向功率
耗散:P
R
(W)
DC
D=1/2
DC
D=1/2
0.001
0
0
10
20
30
40
反向电压VR ( V)
VR -P
R
特征
REV.B
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
数据表
肖特基二极管
RB751G-40
■应用
一般整顿
尺寸
(单位:毫米)
0.13±0.03
Land
尺寸图
(单位:毫米)
0.5
0.5
0.6±0.05
1.0±0.05
1.4±0.05
■特点
1 )小功率模具类型。 ( VMD2 )
2 )低V
F
3)高可靠性
VMD2
建筑
硅外延平面
0.27±0.03
Structure
0.5±0.05
ROHM : VMD2
点(年周厂)
盘带
特定网络阳离子
(单位:毫米)
4±0.1
2±0.05
φ1.5+0.1
     0
0.18±0.05
3.5±0.05
1.75±0.1
1.11±0.05
2.1±0.1
φ0.5
0.76±0.1
4±0.1
2±0.05
0.4
8.0±0.3
0.1
0.3
0.65±0.05
“绝对
最大额定值
(Ta=25°C)
参数
符号
V
RM
反向电压(重复峰值)
V
R
反向电压(DC)的
平均正向电流整流
Io
I
FSM
正向电流浪涌峰值( 60赫兹
1cyc)
结温
Tj
储存温度
TSTG
范围
40
30
30
200
125
40
to
125
单位
V
V
mA
mA
°C
°C
ⅵELECTRICAL
特征
(Ta=25°C)
参数
符号
正向电压
反向电流
终端之间的电容
V
F
I
R
Ct
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
2
马克斯。
0.37
0.5
-
单位
V
μA
pF
I
F
=1mA
V
R
=30V
条件
V
R
= 1V , F = 1MHz的
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2011.05 - Rev.B的
1.2
RB751G-40
数据表
100
100000
Ta=125℃
10
f=1MHz
正向电流IF (MA )
10000
1000
Ta=125℃
1
0.1
0.01
0.001
0
100 200 300 400 500 600 700 800
正向电压VF (MV )
VF- IF特性
Ta=25℃
Ta=-25℃
Ta=75℃
之间的电容
端子的CT (PF )
10
反向电流: IR ( NA)
Ta=75℃
Ta=25℃
100
10
1
0
5
10 15 20 25 30 35
反向电压VR ( V)
VR -IR特性
40
Ta=-25℃
1
0.1
0
5
10
15
20
25
30
反向电压VR ( V)
VR -CT特征
330
1000
10
正向电压VF (MV )
反向电流: IR ( NA)
320
310
300
290
AVE : 304.2mV
280
VF色散图
700
600
500
400
300
200
100
0
AVE : 111.0nA
之间的电容
端子的CT (PF )
Ta=25℃
IF=1mA
n=30pcs
900
800
Ta=25℃
VR=30V
n=30pcs
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
AVE : 1.81pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
IR色散图
CT色散图
20
30
10
反向恢复时间: TRR ( NS )
峰值浪涌
正向电流IFSM ( A)
25
20
15
10
5
0
峰值浪涌
正向电流IFSM ( A)
IFSM
15
1cyc
8.3ms
Ta=25℃
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25*IR
n=10pcs
8
6
IFSM
8.3ms的8.3ms的
1cyc
10
AVE : 3.40A
5
4
2
AVE : 11.7ns
0
IFSM DISRESION地图
0
1
TRR色散图
10
周期数
IFSM周期特征
100
10
1000
IFSM
t
0.05
Rth的第(j-一)
0.04
8
短暂
THAERMAL阻抗的Rth ( ℃ / W)
峰值浪涌
正向电流IFSM ( A)
前进动力
耗散:PF ( W)
6
RTH (J -C )
100
安装在环氧板
IM=1mA
IF=10mA
0.03
Sin(θ=180)
0.02
0.01
D=1/2
DC
4
2
1ms
时间
0
0.1
10
时间: T(毫秒)
IFSM -T特性
1
100
10
0.001
300us
0
1000
0
0.01
0.02
0.03
0.04
平均整流
正向电流IO( A)
IO -PF特性
0.05
时间: T( S)
RTH- T特性
0.1
10
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2011.05 - Rev.B的
RB751G-40
数据表
0.003
0.1
0.1
0A
0V
Io
0.08
0.06
0.04
0.02
Sin(θ=180)
0
0
25
50
75
100
125
环境温度: TA( ℃ )
降额曲线( IO- Ta)的
0
25
50
75
100
125
北部沿海地区案例:TC ( ℃ )
降额曲线(IO -TC)
0A
0V
Io
t
T
VR
D = T / T
VR=20V
Tj=125℃
平均RECTIFIDE
正向电流IO( A)
反向功率
耗散:P
R
(W)
t
T
0.002
DC
Sin(θ=180)
D=1/2
0.06
0.04
0.02
DC
D=1/2
VR
D = T / T
VR=20V
Tj=125℃
平均整流
正向电流IO( A)
0.08
DC
D=1/2
0.001
Sin(θ=180)
0
0
10
20
30
40
反向电压VR ( V)
VR -P
R
特征
0
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R1120A
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯

???? ?????? ? ! ?? " # ???
$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
RB751G-40
特点
低电压,低电感
大电流整流肖特基二极管
对于电源
40伏
肖特基二极管
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
和MSL等级1
无铅涂层/符合RoHS ( "P"后缀
指定符合RoHS 。参见订购信息)
标记: 5
SOD-723
单位
V
V
mA
mA
A
B
最大额定值
符号
V
RM
V
R
I
O
I
FSM
T
J
T
英镑
参数
峰值反向电压
采用直流反接电压
意思是整流电流
峰值正向浪涌电流
结温
储存温度
等级
40
30
30
200
125
-40到+125
C
E
F
D
电气特性@ 25
O
C除非另有说明
符号
参数
正向电压
(I
F
=1mAdc)
反向电流
(V
R
=30Vdc)
终端之间的电容
(V
R
= 1V , F = 1MHz的)
典型值
最大
单位
开关特性
V
F
I
R
C
T
---
---
---
---
---
2
0.37
0.5
---
VDC
uAdc
尺寸
pF
暗淡
A
B
C
D
E
F
英寸
.051
.035
.022
.021
.010
.003
最大
.059
.043
.026
.026
.014
.006
1.30
0.90
0.55
0.525
0.25
0.08
MM
最大
1.50
1.10
0.65
0.65
0.35
0.15
修订: 5
www.mccsemi.com
1第3
2010/01/29
RB751G-40
MCC
微型商业组件
TM
修订: 5
www.mccsemi.com
2 3
2010/01/29
MCC
微型商业组件
TM
订购信息
设备
(品名) -TP
填料
Tape&Reel;8Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
.
保留随时更改,恕不另行通知任何权
此产品进行更正,修改,增强,改进或其它更改。
微型商业组件公司
.
不承担因应用程序的任何责任或
使用本文所述的任何产品的;它也没有传达任何许可在其专利的权利,也没有
他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险
并同意举行
微型商业组件公司
.
和所有的公司
产品的代表在我们的网站上,反对一切损害无害。
应用*** ***免责声明
产品提供了
微型商业组件公司
.
不打算用于医学,
航空航天和军事应用。
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修订: 5
3
of
3
2010/01/29
4
VOIS (中国)有限公司
RB751G-40
肖特基势垒二极管
SOD-723
特点
小型表面安装型
低反向电流和低正向电压
高可靠性
标记:
5
最大额定值和电气特性,单二极管@T
A
=25
参数
峰值反向电压
采用直流反接电压
意思是整流电流
峰值正向浪涌电流
结温
储存温度
符号
V
RM
V
R
I
O
I
FSM
T
j
T
英镑
范围
40
30
30
200
125
-40~125
单位
V
V
mA
mA
电气额定值@T
A
=25
参数
正向电压
反向电流
终端之间的电容
符号
V
F
I
R
C
T
2
分钟。
典型值。
马克斯。
0.37
0.5
单位
V
A
pF
条件
I
F
=1mA
V
R
=30V
V
R
=1V,f=1MHZ
典型特征
RB751G-40
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    RB751G-40
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
RB751G-40
CJ/长电
1926+
28562
SOD-723
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
RB751G-40
CJ(长电/长晶)
25+
15568
SOD-723
全系列封装原装正品★肖特基二极管
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3540513578 复制
电话:135-34090664
联系人:马先生
地址:福田区华强北街道中航路
RB751G-40
SEMITEH
22+
5888888
SOD723
ESD管TVS管-可提供样品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2290748171 复制
电话:83682693
联系人:关先生
地址:深圳市福田区赛格广场57楼5704
RB751G-40
SUNMATE
2018
66778
SOD-123
品质保证★免费送样★售后无忧★可开发票
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:960030175 复制

电话:13480301972
联系人:陈先生
地址:福田区中航路华强北街道国利大厦2030
RB751G-40
CJ/长电
24+
898000
SOD-723
圣邦微代理/捷捷微代理/晶导微代理
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制 点击这里给我发消息 QQ:932480677 复制

电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
RB751G-40
JSCJ长晶
2407+
30098
SOD723
全新原装!仓库现货,大胆开价!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:153461020 复制

电话:0755-23996734
联系人:李先生
地址:深圳市福田区华航社区中航路4号都会100大厦A座11C
RB751G-40
ROHM
20+
150000
SMDDIP
原装现货假一赔十★品惠特价热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885742022 复制
电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
RB751G-40
ROHM/罗姆
15+
150000
SMDDIP
全新原装15818663367
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
RB751G-40
CJ
2443+
23000
SOD-723
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
RB751G-40
ROHM/罗姆
24+
8640
SOD-723
全新原装现货,原厂代理。
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