RB751系列
肖特基势垒二极管单
版本01 - 2007年5月21日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
平面肖特基势垒二极管，单用一个综合保护环应力保护，
封装在小型表面贴装器件（ SMD ）塑料封装。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
RB751CS40
RB751S40
RB751V40
SOD882
SOD523
SOD323
JEITA
-
SC-79
SC-76
包
CON组fi guration
无铅超小
超小
非常小
类型编号
1.2产品特点
I
低正向电压
I
低电容
1.3应用
I
I
I
I
超高速开关
电压钳位
线路终端
反极性保护
1.4快速参考数据
表2中。
符号
I
F
V
RRM
V
F
[1]
快速参考数据
参数
正向电流
反向重复峰值
电压
正向电压
I
F
= 1毫安
[1]
条件
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
120
40
370
单位
mA
V
mV
脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
恩智浦半导体
RB751系列
肖特基势垒二极管单
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
RRM
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
参数
反向重复峰值
电压
反向电压
正向电流
非重复性峰值正向
当前
总功耗
RB751CS40
RB751S40
RB751V40
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
条件
民
-
-
-
最大
40
40
120
200
单位
V
V
mA
mA
方波;
t
p
＆ LT ; 10毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[2]
[2]
-
-
-
-
-
65
65
250
280
280
150
+150
+150
mW
mW
mW
°C
°C
°C
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
6.热特性
表7中。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
RB751CS40
RB751S40
RB751V40
[1]
[2]
条件
在自由空气
[1]
民
典型值
最大
单位
[2]
[2]
-
-
-
-
-
-
500
450
450
K / W
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
F
I
R
C
d
[1]
参数
正向电压
反向电流
二极管电容
条件
I
F
= 1毫安
V
R
= 30 V
V
R
= 1V ; F = 1 MHz的
[1]
民
-
-
-
典型值
-
-
2
最大
370
0.5
-
单位
mV
A
pF
脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
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恩智浦半导体
RB751系列
肖特基势垒二极管单
8封装外形
0.85
0.75
1
0.65
0.58
0.62
0.55
2
0.50
0.46
0.30
0.22
0.65
0.30
0.22
0.55
0.47
尺寸（mm）
1.02
0.95
1.65 1.25
1.55 1.15
1
2
阴极标记在上面边
03-04-17
尺寸（mm）
0.34
0.26
0.17
0.11
02-12-13
图4.封装外形SOD882
1.35
1.15
1
图5.封装外形SOD523 （ SC- 79 ）
1.1
0.8
0.45
0.15
2.7
2.3
1.8
1.6
2
0.40
0.25
尺寸（mm）
0.25
0.10
03-12-17
图6.包装外形SOD323 （ SC- 76 ）
9.包装信息
表9 。
包装方法
指示的-xxx是的12NC订货代码的最后三位数字。
[1]
类型编号
RB751CS40
RB751S40
RB751V40
[1]
包
SOD882
SOD523
SOD323
描述
2毫米间距8毫米磁带和卷轴
2毫米间距8毫米磁带和卷轴
4毫米间距8毫米磁带和卷轴
4毫米间距8毫米磁带和卷轴
包装数量
3000
-
-
-115
-115
8000
-
-315
-
-
10000
-315
-
-135
-135
如需进一步信息和包装方法的途径，请参阅
第13节。
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