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肖特基二极管
RB706D-40
lApplication
低电流整流
2.9±0.2
各リードとも
＋0.1
每根导线具有相同的尺寸
同寸法
0.4
　－0.05
(3)
0.15
－0.06
＋0.1
数据表
lDimensions
（单位：毫米）
lLand
尺寸图
（单位：毫米）
1.9
2.8±0.2
(2)
(1)
0.95
1.9±0.2
0.8±0.1
+0.2
1.1±0.2
1.1
-0.1
0.01
3）高可靠性。
0.3½0.6
2 ）低I
R
0.95
1.6
－0.1
1 ）小型模具类型。 （ SMD3 ）
0½0.1
SMD3
1.0MIN.
lFeatures
＋0.2
0.95
0.8MIN.
阴极，阳极
lStructure
lConstruction
硅外延平面
ROHM ： SMD3
JEDEC ： SOT- 346
JEITA ： SC- 59
星期代码
阳极
阴极
lTaping
特定网络阳离子
（单位：毫米）
4.0±0.1
2.0±0.05
φ
1.5±0.1
f1.50.1
　　　　　 0
1.75±0.1
0.3±0.1
3.5±0.05
8.0±0.2
3.2±0.1
3.2±0.1
4.0±0.1
φ
f1.05MIN
1.05MIN
0½0.5
5.5±0.2
3.2±0.1
1.35±0.1
lAbsolute
最大额定值
（大= 25℃）
参数
反向电压（重复峰值）
反向电压（DC）的
平均整流正向电压（ * 1 ）
正向电流浪涌峰值（ 60赫兹· 1cyc ） （ * 1 ）
符号
V
RM
V
R
Io
I
FSM
Tj
TSTG
范围
45
40
30
200
125
-40
to
+125
单位
V
V
mA
mA
°C
°C
结温
储存温度
（ * 1 ）每额定值二极管： LO / 2
lElectrical
特征
（ TA = 25°C ）
参数
正向电压
反向电流
终端之间的电容
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符号
V
F
1
I
R
1
Ct1
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
2.0
马克斯。
0.37
1
-
单位
V
mA
pF
条件
I
F
=1mA
V
R
=10V
V
R
= 1V ， F = 1MHz的
1/5
2013.04 - Rev.D
2.4
RB706D-40
lElectrical
特性曲线
数据表
100
TJ = 125°C
1000
TJ = 75℃
正向电流：我
F
（MA ）
10
反向电流：我
R
（MA ）
100
10
1
0.1
TJ = 125°C
TJ = 75℃
1
TJ = 25°C
0.1
TJ =
-25°C
TJ = 25°C
0.01
0.001
TJ =
-25°C
0
10
20
30
0.01
0 100 200 300 400 500 600 700 800 9001000
正向电压： V
F
（毫伏）
V
F
-I
F
特征
反向电压： V
R
(V)
V
R
-I
R
特征
10
F = 1MHz的
300
正向电压： V
F
（毫伏）
之间的电容
端子的CT （PF ）
290
Tj=25°C
I
F
=1mA
n=30pcs
280
AVE ： 267.4mV
1
270
260
0.1
0
10
20
30
250
反向电压： V
R
(V)
V
R
-ct特性
V
F
色散图
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2013.04 - Rev.D
RB706D-40
lElectrical
特性曲线
数据表
1
0.9
10
Tj=25°C
V
R
=10V
n=30pcs
9
Tj=25°C
f=1MHz
V
R
=1V
n=10pcs
反向电流：我
R
（MA ）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
AVE ： 0.083毫安
之间的电容
端子的CT （PF ）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
AVE ： 2.00pF
I
R
色散图
CT色散图
20
10
峰值浪涌
正向电流：我
FSM
(A)
峰值浪涌
正向电流：我
FSM
(A)
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
I
FSM
I
FSM
15
8.3ms
1cyc.
8.3ms
8.3ms
1cyc.
10
AVE ： 7.30A
5
0
10
100
I
FSM
色散图
周期数
I
FSM
-CYCLE特性
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2013.04 - Rev.D
RB706D-40
lElectrical
特性曲线
数据表
峰值浪涌
正向电流：我
FSM
(A)
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
10
短暂
热阻抗：的Rth （ ° C / W）
10
I
FSM
时间
1000
Rth的第（j-一）
100
RTH （J -C ）
10
安装在玻璃环氧树脂板
IM=1mA
I
F
=10mA
时间
1毫秒300毫秒
100
1
0.001
0.1
10
1000
时间： T（毫秒）
I
FSM
-t特性
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.04
D = 1/2
0.003
前进动力
分散性： P
F
(W)
反向功率
分散性： P
R
(W)
0.03
Sin(θ=180)
0.002
DC
0.02
DC
D = 1/2
0.001
0.01
Sin(θ=180)
0.00
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0
0
10
20
30
平均整流
正向电流IO（ A）
io的 - 对
F
特征
反向电压： V
R
(V)
V
R
-P
R
特征
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2013.04 - Rev.D
RB706D-40
lElectrical
特性曲线
数据表
0.1
每个芯片
0A
0V
t
T
Io
0.1
每个芯片
0A
0V
t
T
Io
平均整流
正向电流IO（ A）
平均整流
正向电流IO（ A）
0.08
DC
D = T / T
V
R
=20V
Tj=125°C
V
R
0.08
DC
V
R
D = T / T
V
R
=20V
Tj=125°C
0.06
0.06
0.04
D = 1/2
0.04
D = 1/2
0.02
Sin(θ=180)
0.02
Sin(θ=180)
0
0
25
50
75
100
125
0
0
25
50
75
100
125
环境温度： TA（ ° C）
降额曲线（ IO- Ta）的
CASE温度T （ ℃）
降额曲线（IO -TC）
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REC3-4809DRW4CM
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