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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第70页 > RB481Y
RB481Y
二极管
肖特基二极管
RB481Y
应用
尺寸
（单位：毫米）
土地面积图
（单位：毫米）
0.5
低电流整流
1.6±0.05
1.6±0.1
0.22±0.05
0.13±0.05
(3)
0.45
(4)
特点
1 ）超小型功率塑胶型。 （ EMD4 ）
2 ）低V
F
3）高可靠性。
(1)
0.5
1.0±0.1
0.5
(2)
1.6±0.1
1.6±0.05
1.2±0.1
0½0.1
1.0
EMD4
0.5±0.05
施工
硅外延平面
ROHM ： EMD4
JEITA ： SC- 75A尺寸
点（年周厂）
结构
大坪规格
（单位：毫米）
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.5±0.1
　　　　　 0
1.75±0.1
0.3±0.1
3.5±0.05
1.65±0.1
5.5±0.2
8.0±0.2
1.65±0.1
1PIN
4.0±0.1
φ0.8±0.1
0½0.1
0.65±0.1
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
反向电压
平均正向电流整流（ * 1 ）
正向电流浪涌峰值
（60Hz1cyc）（*1）
结温
储存温度
（ * 1 ）每额定值二极管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
V
F
1
V
F
2
正向电压
V
F
3
反向电流
I
R
条件
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=100mA
V
R
=10V
符号
V
R
Io
I
FSM
Tj
TSTG
范围
30
100
1
125
-40到+125
单位
V
mA
A
℃
℃
分钟。
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
0.28
0.33
0.43
30
单位
V
V
V
A
REV.C
1.65±0.01
1.55
1/3
RB481Y
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
1000
正向电流IF （MA ）
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0
100
200
300
400
正向电压VF （MV ）
VF- IF特性
VF分布
360
正向电压VF （MV ）
350
340
330
320
AVE ： 340.2mV
310
VF色散图
反向电流： VR （ UA）
Ta=25℃
IF=100mA
n=30pcs
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
12
AVE ： 4.775uA
Ta=25℃
VR=10V
n=30pcs
16
之间的电容
端子的CT （PF ）
500
Ta=-25℃
Ta=25℃
Ta=125℃
Ta=75℃
100000
Ta=125℃
反向电流： IR （ UA）
Ta=75℃
Ta=25℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
10000
1000
100
10
1
0.1
0.01
0
10
20
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
30
Ta=-25℃
100
f=1MHz
10
1
0
5
10
15
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
20
15
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
14
13
AVE ： 14.33pF
IR色散图
CT色散图
20
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
IFSM
15
8.3ms
10
1cyc
10
IFSM
8.3ms的8.3ms的
1cyc
5
10
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
IFSM
t
5
5
AVE ： 5.60A
0
0
1
IFSM色散图
10
周期数
IFSM周期特征
100
0
1
10
时间： T（毫秒）
IFSM -T特性
100
1000
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
Rth的第（j-一）
前进动力
耗散：PF （ W）
0.3
每个芯片
0.5
每个芯片
0.4
RTH （J -C ）
100
0.2
D=1/2
Sin(θ＝180)
0.1
DC
反向功率
DISSIPATIONP
R
(w)
0.3
0.2
0.1
0
DC
Sin(θ＝180)
D=1/2
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1ms
时间
300us
10
0.001
0.1
10
1000
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
平均整流
正向电流IO（ A）
Io-P½ CHARACTERISTICS
0
TIME ： （ S）
RTH- T特性
10
20
反向电压VR （ V）
VR -P
R
特征
30
REV.C
2/3
RB481Y
二极管
0.5
0.4
0.3
每二极管
0A
0V
t
Io
平均整流
正向电流IO（ A）
VR
D = T / T
VR=15V
Tj=125℃
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
每二极管
DC
0A
0V
t
T
Io
VR
D = T / T
VR=15V
Tj=125℃
平均整流
正向电流IO（ A）
DC
T
D=1/2
D=1/2
0.2
0.1
0
0
25
50
75
100
环境温度： TA（ ℃ ）
降额曲线
125
Sin(θ＝180)
Sin(θ＝180)
0
25
50
75
100
125
北部沿海地区案例：TC （ ℃ ）
降额曲线
REV.C
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
RB481Y
二极管
肖特基二极管
RB481Y
应用
低电流整流
外形尺寸
（单位：毫米）
0.45
土地面积图
（单位：毫米）
0.5
1.6±0.1
0.22±0.05
特点
1 ）超小型功率塑胶型。
(EMD4)
2 ）低V
F
3）高可靠性。
0.13±0.05
(3)
(4)
1.2±0.1
1.6±0.1
1.0
0½0.1
EMD4
(1)
0.5
1.0±0.1
0.5
(2)
结构
0.5±0.05
施工
硅外延平面
ROHM ： EMD4
JEITA ： SC- 75A尺寸
点（年周厂）
大坪规格
（单位：毫米）
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.5±0.1
　　　　　 0
1.75±0.1
0.3±0.1
3.5±0.05
1.65±0.1
5.5±0.2
8.0±0.2
1.55
φ0.8±0.1
0½0.1
0.65±0.1
1.65±0.1
1PIN
4.0±0.1
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
反向电压
平均正向电流整流（ * 1 ）
正向电流浪涌峰值
（60Hz1cyc）（*1）
结温
储存温度
（ * 1 ）每额定值二极管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
V
F
1
V
F
2
正向电压
V
F
3
反向电流
I
R
符号
V
R
Io
I
FSM
Tj
TSTG
范围
30
100
1
125
-40到+125
单位
V
mA
A
℃
℃
分钟。
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
0.28
0.33
0.43
30
单位
V
V
V
A
条件
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=100mA
V
R
=10V
REV.B
1.65±0.01
1/3
RB481Y
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
1000
100000
Ta=125℃
100
f=1MHz
正向电流IF （MA ）
反向电流： IR （ UA）
Ta=75℃
10
1
0.1
0.01
0.001
0
100
200
300
400
正向电压VF （MV ）
VF- IF特性
VF分布
360
500
Ta=-25℃
Ta=25℃
1000
100
10
1
0.1
0.01
0
Ta=75℃
Ta=25℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
30
100
Ta=125℃
10000
10
Ta=-25℃
10
20
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
1
0
5
10
15
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
20
50
16
正向电压VF （MV ）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
AVE ： 4.775uA
340
330
320
AVE ： 340.2mV
310
VF色散图
之间的电容
端子的CT （PF ）
350
反向电流： VR （ UA）
Ta=25℃
IF=100mA
n=30pcs
45
Ta=25℃
VR=10V
n=30pcs
15
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
14
13
AVE ： 14.33pF
12
IR色散图
CT色散图
20
10
10
IFSM
8.3ms的8.3ms的
1cyc
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
IFSM
15
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
1cyc
8.3ms
IFSM
t
10
5
5
5
AVE ： 5.60A
0
0
1
IFSM色散图
10
周期数
IFSM周期特征
100
0
1
10
时间： T（毫秒）
IFSM -T特性
100
1000
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
0.3
Rth的第（j-一）
每个芯片
0.5
每个芯片
0.4
前进动力
耗散：PF （ W）
RTH （J -C ）
100
0.2
D=1/2
Sin(θ＝180)
0.1
DC
反向功率
DISSIPATIONP
R
(w)
0.3
0.2
0.1
0
DC
Sin(θ＝180)
D=1/2
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1ms
时间
300us
10
0.001
0.1
10
1000
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
平均整流
正向电流IO（ A）
Io-P½ CHARACTERISTICS
0
TIME ： （ S）
RTH- T特性
10
20
反向电压VR （ V）
VR -P
R
特征
30
REV.B
2/3
RB481Y
二极管
0.5
0.4
0.3
每二极管
0A
0V
t
Io
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
每二极管
DC
平均整流
正向电流IO（ A）
DC
T
D=1/2
平均整流
正向电流IO（ A）
VR
D = T / T
VR=15V
Tj=125℃
0A
0V
t
T
Io
VR
D = T / T
VR=15V
Tj=125℃
D=1/2
0.2
0.1
0
0
25
50
75
100
环境温度： TA（ ℃ ）
降额曲线
125
Sin(θ＝180)
Sin(θ＝180)
0
25
50
75
100
125
北部沿海地区案例：TC （ ℃ ）
降额曲线
REV.B
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
RB481Y
二极管
肖特基二极管
RB481Y
应用
低电流整流
外形尺寸
（单位：毫米）
0.45
土地面积图
（单位：毫米）
0.5
1.6±0.1
0.22±0.05
特点
1 ）超小型功率塑胶型。
(EMD4)
2 ）低V
F
3）高可靠性。
0.13±0.05
(3)
(4)
1.2±0.1
1.6±0.1
1.0
0½0.1
EMD4
(1)
0.5
1.0±0.1
0.5
(2)
结构
0.5±0.05
施工
硅外延平面
ROHM ： EMD4
JEITA ： SC- 75A尺寸
点（年周厂）
大坪规格
（单位：毫米）
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.5±0.1
　　　　　 0
1.75±0.1
0.3±0.1
3.5±0.05
1.65±0.1
5.5±0.2
8.0±0.2
1.55
φ0.8±0.1
0½0.1
0.65±0.1
1.65±0.1
1PIN
4.0±0.1
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
反向电压
平均正向电流整流（ * 1 ）
正向电流浪涌峰值
（60Hz1cyc）（*1）
结温
储存温度
（ * 1 ）每额定值二极管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
V
F
1
V
F
2
正向电压
V
F
3
反向电流
I
R
符号
V
R
Io
I
FSM
Tj
TSTG
范围
30
100
1
125
-40到+125
单位
V
mA
A
℃
℃
分钟。
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
0.28
0.33
0.43
30
单位
V
V
V
A
条件
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=100mA
V
R
=10V
REV.B
1.65±0.01
1/3
RB481Y
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
1000
100000
Ta=125℃
100
f=1MHz
正向电流IF （MA ）
反向电流： IR （ UA）
Ta=75℃
10
1
0.1
0.01
0.001
0
100
200
300
400
正向电压VF （MV ）
VF- IF特性
VF分布
360
500
Ta=-25℃
Ta=25℃
1000
100
10
1
0.1
0.01
0
Ta=75℃
Ta=25℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
30
100
Ta=125℃
10000
10
Ta=-25℃
10
20
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
1
0
5
10
15
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
20
50
16
正向电压VF （MV ）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
AVE ： 4.775uA
340
330
320
AVE ： 340.2mV
310
VF色散图
之间的电容
端子的CT （PF ）
350
反向电流： VR （ UA）
Ta=25℃
IF=100mA
n=30pcs
45
Ta=25℃
VR=10V
n=30pcs
15
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
14
13
AVE ： 14.33pF
12
IR色散图
CT色散图
20
10
10
IFSM
8.3ms的8.3ms的
1cyc
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
IFSM
15
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
1cyc
8.3ms
IFSM
t
10
5
5
5
AVE ： 5.60A
0
0
1
IFSM色散图
10
周期数
IFSM周期特征
100
0
1
10
时间： T（毫秒）
IFSM -T特性
100
1000
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
0.3
Rth的第（j-一）
每个芯片
0.5
每个芯片
0.4
前进动力
耗散：PF （ W）
RTH （J -C ）
100
0.2
D=1/2
Sin(θ＝180)
0.1
DC
反向功率
DISSIPATIONP
R
(w)
0.3
0.2
0.1
0
DC
Sin(θ＝180)
D=1/2
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1ms
时间
300us
10
0.001
0.1
10
1000
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
平均整流
正向电流IO（ A）
Io-P½ CHARACTERISTICS
0
TIME ： （ S）
RTH- T特性
10
20
反向电压VR （ V）
VR -P
R
特征
30
REV.B
2/3
RB481Y
二极管
0.5
0.4
0.3
每二极管
0A
0V
t
Io
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
每二极管
DC
平均整流
正向电流IO（ A）
DC
T
D=1/2
平均整流
正向电流IO（ A）
VR
D = T / T
VR=15V
Tj=125℃
0A
0V
t
T
Io
VR
D = T / T
VR=15V
Tj=125℃
D=1/2
0.2
0.1
0
0
25
50
75
100
环境温度： TA（ ℃ ）
降额曲线
125
Sin(θ＝180)
Sin(θ＝180)
0
25
50
75
100
125
北部沿海地区案例：TC （ ℃ ）
降额曲线
REV.B
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
肖特基二极管
RB481Y
■应用
低电流整流
尺寸
（单位：毫米）
Land
尺寸图（单位：mm ）
0.5
1.6±0.1
1.6±0.05
0.22±0.05
0.13±0.05
(3)
0.45
1.2±0.1
1.6±0.1
■特点
1 ）超小型模具类型。 （ EMD4 ）
2 ）低VF
3）高可靠性
(4)
1.0
0½0.1
EMD4
建筑
硅外延平面
(1)
0.5
1.0±0.1
0.5
(2)
Structure
0.5±0.05
ROHM ： EMD4
JEITA ： SC- 75A尺寸
点（年周厂）
盘带
规格（单位：mm ）
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.5±0.1
　　　　　 0
1.75±0.1
0.3±0.1
3.5±0.05
1.65±0.1
5.5±0.2
8.0±0.2
1.55
φ0.8±0.1
0½0.1
0.65±0.1
1.65±0.1
1PIN
4.0±0.1
“绝对
最大额定值（Ta = 25℃）
参数
反向电压（DC）的
平均正向电流整流（ * 1 ）
正向电流浪涌峰值
（60Hz1cyc）（*1）
结温
储存温度
（ * 1 ）每额定值二极管
符号
V
R
Io
I
FSM
Tj
TSTG
范围
30
100
1
125
-40到+125
单位
V
mA
A
℃
℃
ⅵELECTRICAL
特性（Ta = 25
℃)
参数
正向电压
反向电流
符号
V
F
1
V
F
2
V
F
3
I
R
分钟。
-
-
-
-
典型值。
0.17
0.24
0.34
4
马克斯。
0.28
0.33
0.43
30
单位
V
V
V
A
条件
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=100mA
V
R
=10V
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2009.02 - Rev.D
1.65±0.01
RB481Y
　
100000
Ta=125℃
反向电流： IR （ UA）
Ta=125℃
Ta=75℃
10000
1000
100
10
Ta=-25℃
1
0.1
0.01
0
100
200
300
400
正向电压VF （MV ）
VF- IF特性
500
0
10
20
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
30
Ta=75℃
Ta=25℃
100
之间的电容
端子的CT （PF ）
数据表
1000
正向电流IF （MA ）
100
10
1
0.1
0.01
0.001
Ta=-25℃
Ta=25℃
f=1MHz
10
1
0
5
10
15
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
20
360
正向电压VF （MV ）
反向电流： VR （ UA）
50
之间的电容
端子的CT （PF ）
35
Ta=25℃
VR=10V
n=30pcs
350
340
330
320
310
AVE ： 340.2mV
Ta=25℃
IF=100mA
n=30pcs
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
AVE ： 4.775uA
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
AVE ： 29.58pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
VF色散图
IR色散图
CT色散图
20
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
IFSM
1cyc
8.3ms
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
10
IFSM
8.3ms的8.3ms的
1cyc
5
10
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
IFSM
15
t
10
5
5
AVE ： 5.60A
0
0
1
IFSM色散图
10
周期数
IFSM周期特征
100
0
1
10
时间： T（毫秒）
IFSM -T特性
100
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
1000
Rth的第（j-一）
前进动力
耗散：PF （ W）
0.3
每个芯片
反向功率
DISSIPATIONP
R
(w)
0.5
每个芯片
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0
10
20
30
DC
Sin(θ＝180)
D=1/2
RTH （J -C ）
100
0.2
D=1/2
Sin(θ＝180)
DC
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
0.1
1ms
时间
300us
10
0.001
0.1
10
1000
0
平均整流
正向电流IO（ A）
Io-P½ CHARACTERISTICS
TIME ： （ S）
RTH- T特性
反向电压VR （ V）
VR -P
R
特征
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RB481Y
　
数据表
0.5
平均整流
正向电流IO（ A）
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
每个芯片
DC
t
T
平均整流
正向电流IO（ A）
0A
0V
Io
VR
D = T / T
VR=15V
Tj=125℃
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
每个芯片
DC
0A
0V
Io
t
T
VR
D = T / T
VR=15V
Tj=125℃
D=1/2
D=1/2
Sin(θ＝180)
Sin(θ＝180)
0
0
25
50
75
100
北部沿海地区案例：TC （ ℃ ）
降额曲线
125
25
50
75
100
125
环境温度： TA（ ℃ ）
降额曲线
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2009.02 - Rev.D
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笔记
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此规定的内容如有变更，恕不另行通知。
此规定的内容是介绍ROHM的产品（以下简称"Products" ）的目的。如果您
希望使用任何此类产品，请务必参照规格，可从ROHM获得
根据要求提供。
此处包含的应用电路，电路常数和任何其它信息的实施例说明
标准用法和制品的操作。外围条件必须考虑到
设计用于量产时的电路。
时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。但是，如果
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sponsibility对这种损害。
本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和实施例
应用电路的产品。 ROHM不授予你，或明或暗地，任何许可
使用或行使知识产权或罗姆和其他方持有的其他权利。 ROHM不承担任何重新
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本文档中指定的产品意图被使用一般用途的电子设备所用
或设备（例如，视听设备，办公自动化设备，通信设备， elec-
TRONIC家电和娱乐设备） 。
该产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，产品可能会失败或
故障的原因多种多样。
请务必在使用该产品的安全性措施，以防范在你的设备来实现
物理损伤，火灾或其它任何损坏的可能性引起的任何产品的故障的情况下，如
降额，冗余，消防和故障安全设计。 ROHM不承担任何责任不对您
使用任何产品的规定范围之外或者未按照说明手册。
该产品并非设计或制造任何设备，装置或系统中使用
其中要求的可靠性非常高的水平的失效或故障可能导致直接
威胁人类生命或人类创造的伤害（的风险，如医疗器械，交通运输设备，
航天机械，核反应控制器，燃料控制器或其他安全装置） 。 ROHM应当承担
以任何方式使用任何产品的上述特殊用途不承担任何责任。如果一个产品是intend-
可用于任何此类特殊用途版，请购买前联系ROHM销售代表。
如果您打算出口或运往境外本文规定的任何产品或技术，可在控制
外汇及对外贸易法，你将需要获得根据该法的牌照或许可证。
感谢您的访问，以ROHM的产品信息。
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RP6-10R-8S
RT9172F-15CG
RF2442
RT9017-35GBR
RS5RJ3027A
RN741V
R1141Q371D-TR
RU4H10P
RXE017S
R5F3573EKFF
RN2707
REG710NA-5
R5030210RSWA
RT92691
RDL60V300
R50480
R30680
RD46KFW
RXE020-1
RT9170-32PV
供货商
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单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    RB481Y
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市灿亿佳电子科技有限公司
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电话：13424184668
联系人：肖佳欣
地址：广东省深圳市福田区深南中路华强电子世界
RB481Y
ROHM
24+
8000000
SMD
13424184668 原厂直销 大量现货 可开票 原装正品
深圳市品惠科技有限公司
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电话：0755-23996734
联系人：李先生
地址：深圳市福田区华航社区中航路4号都会100大厦A座11C
RB481Y
ROHM
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SMDDIP
原装现货假一赔十★品惠特价热卖
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电话：15112667855
联系人：谌小姐
地址：深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
RB481Y
ROHM/罗姆
15+
150000
SMDDIP
全新原装15818663367
深圳市诺洋电子科技有限公司
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电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
RB481Y
ROHM/罗姆
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12300
SOT343
全新原装现货，原厂代理。
深圳市芯福林电子科技有限公司
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联系人：张女士
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RB481Y
ROHM
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SOT543
原装正品，支持实单
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联系人：朱先生
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ROHM/罗姆
24+
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100%原装正品，可长期订货
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QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881443942 复制

电话：0755-83291010 83678410
联系人：赵小姐
地址：深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
RB481Y
ROHM/罗姆
22+
33000
SMDDIP
百分百进口正品原装现货 支持实单！
上海熠富电子科技有限公司
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电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
RB481Y
ROHM/罗姆
2024
30475
SOT543
上海原装现货库存，欢迎咨询合作
深圳市晶美隆科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885393495 复制

电话：0755-82865294/82517859
联系人：吴小姐
地址：深圳市福田区深南中路电子科技大厦A座36楼C09室
RB481Y
ROHM/罗姆
24+
350000
SMDDIP
假一罚十，原装进口正品现货供应，长期供货
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电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
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RB481Y
ROHM/罗姆
2024
30475
SOT543
原装现货上海库存，欢迎咨询
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